Разработка полупроводниковых тензочувствительных элементов для систем неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов
Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
Подобные документы
Радиоволновая дефектоскопия материалов, покрытий, изделий. СBЧ толщинометрия полимеров. Контроль структуры и состава материалов СВЧ методами. СВЧ влагометрия материалов. Расчет прямоугольных и круглых волноводов. Волноводные излучатели и рупорные антенны.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Принципы акустического метода неразрушающего контроля. Анализ вибрационного метода контроля, метода акустической эмиссии. Техническая диагностика объектов транспортировки и хранения нефти и газа. Описание основных дефектов оборудования трубопроводов.
контрольная работа, добавлен 27.04.2020Температурные характеристики структурных переходов в полимерных материалах, нагреваемых линейным источником тепла постоянной мощности. Разработка методов неразрушающего контроля полимеров. Программное обеспечение измерительной системы, их реализующей.
автореферат, добавлен 27.08.2018Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.
курсовая работа, добавлен 30.07.2015Оценка метрологической надежности средств неразрушающего контроля теплофизических свойств объектов с учетом температуры и влажности окружающей среды. Определение зависимости параметров элементной базы от времени и от внешних дестабилизирующих воздействий.
автореферат, добавлен 01.09.2018Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции. Конструктивный расчет терморезистора и термонезависимого сопротивления. Разработка топологии кристалла. Разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
статья, добавлен 03.11.2018Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Результаты разработки модели сканера для проведения дефектоскопии материалов методом неразрушающего контроля в терагерцовом диапазоне электромагнитного спектра. Методика сканирования исследуемых образцов и обработки полученных данных в среде LABVIEW.
статья, добавлен 14.08.2020Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015- 12. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Разработка гибридных сенсорных систем с высокими метрологическими параметрами, в основе которых находятся полимерные сенсорные материалы (структуры). Сущность основных этапов моделирования процесса самосборки электропроводящих полимерных материалов.
статья, добавлен 29.05.2017Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
статья, добавлен 03.11.2018Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011Направления развития неразрушающего контроля и диагностики; единая система контроля качества технических объектов и окружающей среды. Разработка способов и оборудования для электромагнитно-акустической ультразвуковой дефектоскопии сплошности металлов.
контрольная работа, добавлен 27.12.2012Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Влияние всестороннего давления на свойства полупроводниковых материалов и на состояния примесных атомов в кремнии. Выбор методики получения высоких давлений при низких температурах. Изучение методов измерения фоточувствительности и магнетосопротивления.
диссертация, добавлен 24.05.2018Разработка электродинамической модели ЛБВ с взаимодействием за границей полосы пропускания и метода управления полосовыми характеристиками СВЧ усилителей О-типа. Разработка эффективных методов создания фильтровых систем широкополосных клистронов.
автореферат, добавлен 14.04.2018Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
статья, добавлен 29.06.2017Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020- 25. Электроника
Определение предмета и метода исследований электроники как части электротехники, использующей управление потоком электронов и заряженных частиц в электронных элементах. Природа физических процессов в электровакуумных и полупроводниковых устройствах.
презентация, добавлен 05.04.2020