Описание поведения МОП-транзистора на физическом уровне с учётом экстремальных температур
Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
Подобные документы
Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Основные способы осуществления исходного режима транзистора. Изменение выходного тока вызванные факторами, действующими при колебаниях температуры окружающей среды. Стабилизация исходного режима. Принципиальная схема каскада с коллекторной стабилизацией.
реферат, добавлен 27.06.2015Понятие низких температур и методы определения. Способы достижения низких температур веществ различного агрегатного состояния. Аппараты для измерения низких температур различной степени. Физика низких температур. Свойства веществ при низких температурах.
курсовая работа, добавлен 26.12.2008Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.
лабораторная работа, добавлен 29.06.2014Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Влияние содержания углерода, температуры окружающей среды на механические характеристики материала. Предел длительной прочности, релаксация напряжений, предел ползучести. Влияние температур на упругие свойства. Зависимость модуля упругости от температуры.
лекция, добавлен 22.10.2014Анализ схемной реализации устройства. Статический и динамический расчеты транзисторного ключа. Функциональная схема управления ШИП. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов. Изучение особенностей определения мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Специфические проблемы, связанные с применением пластика в условиях высокого давления и повышенных температур тепловых сетей. Свойства и маркировка сшитого полиэтилена, его основные параметры. Технологии производства. Сравнение РЕХ с полипропиленом.
статья, добавлен 27.02.2017Термодинамическая температура, ее определение. История изобретения холодильных аппаратов и достижений в получении низких температур. Современные способы получения низких температур. Метод получения сверхнизких температур – магнитное охлаждение, его суть.
реферат, добавлен 10.04.2013Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Оптические технологии измерения физических параметров. Исследование конструктивных особенностей и принципов работы оптических датчиков температуры, в которых датчиком является лазер и измеряет температуру по смещению краев спектра отраженного луча.
реферат, добавлен 19.04.2020Появление усилительных элементов – транзисторов, интегральных схем и других электронных приборов, усиливающих электрические сигналы. Создание широкополосных усилителей гармонических и импульсных сигналов, предназначенных для телевидения, радиолокации.
контрольная работа, добавлен 09.10.2018Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов. Отношение тока коллектора к току базы.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.
методичка, добавлен 11.12.2015Исследование пластического поведения монокристаллов сплава Ni3Ge, имеющих разные ориентации оси деформации, в специфических условиях криогенных температур. Пластическое поведение и влияние отклонения от стехиометрии на его механические свойства.
автореферат, добавлен 15.02.2018Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
методичка, добавлен 25.12.2012Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Особенность применения элементов электронных схем. Характеристика биполярных и полевых транзисторов. Анализ устройства для формирования и аналого-цифрового преобразования сигналов. Сущность линейных конфигураций на основе операционных усилителей.
учебное пособие, добавлен 17.01.2015Возможности измерения температуры термометром. Правила создания термометра и построения температурной шкалы. Названия реперных точек и присвоенные им значения температур. Пересчет температуры между основными шкалами. Принцип построения термометров.
реферат, добавлен 19.12.2017Расчет зависимости максимальной выдерживаемой мощности излучения от диаметра пучка, распределения температур и механических напряжений. Исследование и обоснование расходимости излучения для окон, изготовленных из ZnSe, KCl и поликристаллического алмаза.
статья, добавлен 21.06.2018Новый этап в развитии экспериментальных методов изучения поведения веществ в экстремальных условиях. Разработка теоретической модели перехода горения в детонацию в газах. Исследование структуры детонационных волн в конденсированных взрывчатых веществах.
доклад, добавлен 08.12.2010Основные параметры и расчётная схема электрической сети, которая образуется в результате объединения всех схем замещения отдельных бесконечно малых активных и реактивных сопротивлений и проводимости с учётом последовательности соединения их в сеть.
лекция, добавлен 03.04.2019Построение графика распределения максимальных температур в поперечном сечении сварного соединения. Построение термического цикла для заданных точек. Определение температуры нагрева электрода в вылете. Параметры сварочной ванны и время ее существования.
лекция, добавлен 23.11.2013