Описание поведения МОП-транзистора на физическом уровне с учётом экстремальных температур
Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
Подобные документы
Співпраця фізико-технічного інституту (ФТІ) низьких температур з підприємствами, науково-дослідними установами і навчальними закладами у 70-ті роки. Роль вчених ФТІ у розвитку галузей фізики низьких температур та вплив на підняття економіки України.
статья, добавлен 19.02.2016Методы расчета усилителя мощности низкой частоты. Амплитуда тока выходных транзисторов. Минимальная величина среднего тока, потребляемого от источника питания в каждом плече в режиме заданной выходной мощности. Мощность рассеяния транзисторов VT2 (VT6).
реферат, добавлен 21.10.2017Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Транзистор как полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, физические основы его функционирования, внутреннее устройство и принцип работы. Механизм возникновения токов. Схемы включения биполярного транзистора, их сравнение.
реферат, добавлен 29.10.2017Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Основные разновидности современных транзисторов, критерии и показатели их классификации. Внутреннее устройство и главные компоненты биполярного транзистора, режимы работы и схемы включения. Факторы, влияющие на усиление сигнала, его основные классы.
реферат, добавлен 09.04.2015Определение термодиффузионных характеристик трехкомпонентных газовых систем для различных концентраций компонентов и температур эксперимента. Разработка метода расчета термодиффузионных постоянных в широком интервале составов газовой смеси и температур.
статья, добавлен 02.02.2019Параметры источников стабильного тока в цепи обратной связи. Характеристики токового зеркала при разном диапазоне напряжения транзисторов. Принципы выбора заземления и устройств для аккумуляторных батарей. Схематизация печатных плат источников тока.
контрольная работа, добавлен 09.12.2013Рассмотрение законов термодинамики и их применения. Приведение сведений об измерении температур. Выявление недостатков существующих размерности и единицы термодинамической температуры. Измерение температуры на разных уровнях структурного строения материи.
реферат, добавлен 04.06.2014Использование высокочастотных силовых транзисторов, выполненных по гибридной технологии, в импульсных преобразователях. Разработка технической реализации схем силовой части регулируемого электропривода постоянного тока с импульсными преобразователями.
статья, добавлен 17.06.2018Определение коммутационных процессов в инверторе напряжения при значительном индуктивном рассогласовании и в околорезонансном режиме. Способы определения оптимального тока коммутации силовых транзисторов. Расчетная схема мостового инвертора напряжения.
реферат, добавлен 27.09.2012Полное, нормальное и касательное напряжения на наклонной площадке. Экстремальные и октаэдрические нормальные касательные напряжения. Анализ деформированного состояния, расчет экстремальных и октоэдрических сдвигов и экстремальных касательных напряжений.
контрольная работа, добавлен 29.10.2017Полевые транзисторы, их отличия от биполярных по величине входного сопротивления. Типовые передаточные характеристики основных видов полевых транзисторов. Преимущества усилительных каскадов. Крутизна проходной характеристики, напряжение отсечки.
реферат, добавлен 28.12.2014Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Пересчет массовых концентраций в молярные. Определение температуры начала кипения. Выбор температуры и давления насыщенного водяного пара. Вычисление разности температур между горячим и холодным потоками. Формирование банка теплофизических свойств.
контрольная работа, добавлен 21.05.2022Изучение связи мощности в нагрузке с напряжениями питания. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Максимальная амплитуда переменного напряжения на нагрузке у полумостового каскада. Смещение входных характеристик транзисторов.
презентация, добавлен 23.09.2016Исследование входных, передаточных операторных функций, схем транзисторов с обобщенной и избирательной нагрузкой. Расчет амплитудно- и фазо-частотных характеристик, на основе карты нулей полюсов с использованием автоматизированных методов анализа цепей.
курсовая работа, добавлен 21.01.2017Характеристика устройства, работы и теплового режима нагревательной печи. Выбор оборудования для реализации АСР расхода воздуха в трубопроводе, подаваемого на нагревательную печь. Зона высоких температур. Выдержка для выравнивания температур по сечению.
курсовая работа, добавлен 07.04.2014Определение средних температур теплоносителей как среднее арифметическое температур на входе и выходе теплоносителей. Рассмотрение их теплофизических свойств. Метод вычисления коэффициента теплопередачи. Определение площади поверхности теплообмена.
задача, добавлен 19.02.2015Исследование процесса формирования релятивистских электронных сгустков субмикронной длительности из плазменных слоев под воздействием сверхмощного лазерного импульса. Влияние толщины и продольного профиля плазменного слоя и амплитуды лазерного импульса.
статья, добавлен 03.11.2018Вещества, у которых при охлаждении ниже определенной критической температуры электрическое сопротивление падает до нуля. Проблема сверхнизких температур. Понятие критической температуры, жестких сверхпроводников и высокотемпературных сверхпроводников.
реферат, добавлен 15.03.2013Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Разработка устройства для исследования процессов пульсаций температур при смешении горячей и холодной воды и трещинообразования в элементах оборудования водоохлаждаемых реакторных установок. Методика проведения расчетно-экспериментальных исследований.
статья, добавлен 19.11.2018Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
контрольная работа, добавлен 23.03.2022Наличие термостабилизации магнитных параметров в рабочем диапазоне температур как одно из важнейших требований, предъявляемых к устройствам спинтроники. Характеристика уравнения Ландау-Лифшица, которое определяет движение вектора намагниченности.
статья, добавлен 12.05.2018