Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла

Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.

Подобные документы

  • Автоматизация различных технологических процессов, эффективное управление машинами и механизмами. Температурные датчики в системах автоматического управления. Термопреобразователи электрического сопротивления. Устройство и принцип действия калибратора.

    курсовая работа, добавлен 23.08.2014

  • Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.

    курсовая работа, добавлен 31.10.2016

  • Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.

    курсовая работа, добавлен 25.09.2014

  • Особливості спінового транспорту у моделі нерівноважних функцій Гріна у спінорному зображенні. Поняття спінового вентиля, обертання магнітних контактів, прецесії спіну та ін. Роль спінових гамільтоніанів Зеємана і Рашби, квантовий спіновий ефект Холла.

    статья, добавлен 25.03.2016

  • Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Определение предела прочности горных пород при растяжении, методы и схемы определения, количественная оценка. Методы определения хрупкости горных пород. Использование теории прочности Мора для горных пород. Плотность (количество) дислокаций в кристаллах.

    контрольная работа, добавлен 03.02.2015

  • Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.

    методичка, добавлен 05.02.2015

  • Механизмы влияния внешнего магнитного поля на движение дислокаций в пара- и диамагнитных ионных кристаллах. Его роль в процессах, происходящих в системе дислокация-примесь с учетом спин-орбитального взаимодействия как существенного компонента явления.

    статья, добавлен 23.01.2018

  • Условия и особенности использования в микроэлектронике высокомолекулярных соединений, плавление которых происходит через промежуточное жидкокристаллическое состояние. Классификация жидких кристаллов и применение к их исследованию теории Ландау-де Жена.

    статья, добавлен 30.05.2018

  • Результаты динамической теории рассеяния рентгеновских лучей для кристаллов со случайно распределенными дефектами. Диффузное рассеяние на кристаллах с дефектами. Методы исследования дифракционных характеристик структурного совершенства кристаллов.

    лекция, добавлен 21.03.2014

  • Характеристика электронных, полупроводниковых, магнитных, пневматических и гидравлических усилителей. Использование полупроводниковых диодов в качестве генераторных узлов. Резонансный усилитель на туннельном диоде в составе входного узла приемника.

    реферат, добавлен 10.10.2012

  • Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.

    контрольная работа, добавлен 13.12.2021

  • Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.

    статья, добавлен 04.01.2021

  • Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Граничные условия для протекания тока в условиях квантового эффекта Холла в средах с границами. Механизы протекания краевых холловских токов через границы гетерогенных сред. Особенности применения метода Дыхне на случай бездиссипативных холловских фах.

    автореферат, добавлен 26.07.2018

  • Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.

    курс лекций, добавлен 20.08.2017

  • Классификация датчиков, основные требования к ним. Принцип действия термопреобразователей сопротивления. Поплавковый датчик уровня. Классификация гигрометров по принципу работы. Статическая характеристика нереверсивного потенциометрического датчика.

    контрольная работа, добавлен 17.06.2013

  • Электрические машины постоянного тока. Отличие бесконтактных двигателей от коллекторных с традиционной конструкцией. Работа бесконтактного двигателя, для управления которым применяют датчики Холла и коммутатор, выполненный на транзисторах VT1—VT4.

    реферат, добавлен 29.12.2014

  • Электрооптические эффекты в капсулированных полимером жидких кристаллах. Рассмотрение основных типов термотропных кристаллов. Полевые эффекты в жидких кристаллах и эффекты, обусловленные проводимостью. Рассеяние света биполярными каплями кристалла.

    статья, добавлен 12.04.2019

  • Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.

    курс лекций, добавлен 15.09.2017

  • Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.

    дипломная работа, добавлен 30.08.2016

  • Моделирование туннельного тока в металл-оксид-полупроводниковых транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. Влияние затворного и стокового напряжения, толщины туннельного окисла транзистора на распределение плотности туннельного тока.

    статья, добавлен 21.06.2018

  • Элементы линейных электрических цепей постоянного и синусоидального тока. Способы соединения фаз в трехфазных системах. Принцип действия и виды трансформаторов, полупроводниковых приборов, аппаратуры управления и защиты. Устройство синхронной машины.

    учебное пособие, добавлен 21.05.2013

  • Понятие альфа-радиоактивности и закономерности альфа-распада. Характеристика теории Гамова. Описание законов сохранения в альфа-распаде. Принцип работы полупроводниковых детекторов. Схема экспериментальной установки. Анализ и представление результатов.

    учебное пособие, добавлен 11.10.2014

  • Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.

    статья, добавлен 29.04.2019

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.