Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
Подобные документы
Оптические характеристики объемных и наноразмерных кристаллов. Методы выращивания кристаллов и получение полупроводниковых монокристаллов. Устройство сцинтилляционного болометра. Оптическое поглощение селенида цинка в зависимости от атмосферы отжига.
курсовая работа, добавлен 19.11.2011Обзор по исследованиям радиационных дефектов в детекторных кристаллах LiF. Поглощение рентгеновского и гамма-излучений в щелочно-галоидных солях. Центры поглощения в кристаллах щелочно-галоидных солей. Добавочное оптическое поглощение, энергия кристаллов.
дипломная работа, добавлен 26.05.2018Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Особенности лазерного излучения и методы его получения, теоретические основы лазерных технологических процессов, их классификация и перспективы развития. Характеристика и принцип работы газовых и полупроводниковых лазеров, область их применения.
реферат, добавлен 07.08.2010Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.
автореферат, добавлен 27.07.2018Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Разработка средств тепловой подготовки агрегатов и систем машин, эксплуатирующихся при низких отрицательных температурах. Эксплуатационные качества датчиков. Использование компараторов и аналогово-цифровых преобразователей в кристаллах микроконтроллера.
статья, добавлен 29.06.2017Преобразователи на двойных электрических слоях. Типы асимметричных электродных систем. Преобразователи на полупроводниковых интегральных микросхемах. Чувствительность ДЭС к воздействию физических факторов. Биологические детекторы и их принцип работы.
контрольная работа, добавлен 24.01.2018- 84. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Жидкостные датчики давления прямого действия: опыт создания. Принцип измерения высоты столба жидкости в закрытом с одного конца сосуде в зависимости от давления среды, прилагаемого с другой стороны трубки. Обобщенные технические характеристики датчиков.
реферат, добавлен 05.02.2014Снижение расходов полупроводниковых дорогостоящих материалов в солнечных элементах. Концентрирование солнечного излучения. Создание концентраторных батарей с плоскими фоклинами с улучшенными удельными фотоэлектрическими и оптическими параметрами.
статья, добавлен 19.06.2018Принцип действия полупроводниковых сенсоров газов. Физико-химические превращения, происходящие в процессе электроискровой обработки адсорбента. Исследование особенностей модификации состава и структуры поверхности кремния электроискровой обработкой.
статья, добавлен 30.05.2017Анализ кристаллического строения твердых тел и дифракции рентгеновского излучения в кристаллах. Расчет углов отражения и интенсивности максимума для плоскостей с учетом плотности заполнения атомами, факторов поглощения, повторяемости и температуры.
лабораторная работа, добавлен 06.11.2021Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.
автореферат, добавлен 18.11.2018Рассмотрение определений внутренних усилий, напряжений и деформаций в элементах колеблющегося тела по формулам сопротивления материалов. Исследование различных видов колебаний. Приближённые методы расчетов. Практическое применение методов динамики.
учебное пособие, добавлен 11.05.2014Корреляция между неоднородно распределенными в пространстве локализованными состояниями и особенностями спектра излучения в полупроводниковых эпитаксиальных структурах a3b5. Влияние миграции электронных возбуждений на формирование спектра люминесценции.
автореферат, добавлен 02.03.2018Свойства лазерного излучения и его преимущество по сравнению с другими источниками света. Устройство рубинового лазера. Классификация лазеров и их характеристики. Принцип работы твёрдотелых, полупроводниковых, жидкостных и ультрафиолетовых лазеров.
реферат, добавлен 02.05.2012Анализ основных элементов физики полупроводников. Зависимость электродвижущей силы Холла от размеров пластины. Схемы включения биполярных транзисторов. Сущность электронно-лучевых и вакуумно-люминесцентных индикаторов. Изучение светоизлучающих диодов.
лекция, добавлен 08.08.2020Разработка принципов работы, моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками малой мощности. Анализ выходных, переходных и температурных характеристик N-транзисторных оптронов.
автореферат, добавлен 02.08.2018Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Исследование взаимодействия электромагнитных волн в бесконечном излучающем электромагнитном кристалле, элементы которого содержат резистивно-емкостные нелинейные двухполюсники, являющиеся моделью полупроводниковых диодов. Изучение детектирования сигнала.
статья, добавлен 04.11.2018Выбор силовых полупроводниковых модулей для инвертора. Подбор элементов для демпфирующей цепи. Процесс выключения с демпферной цепью. Расчет элементов для разрядно-гасящей RCD снабберной цепи. Определение паразитной индуктивности проводников снабберов.
лабораторная работа, добавлен 01.12.2016Статическая характеристика потенциометрических датчиков, их динамические характеристики. Собственные шумы потенциометрического датчика. Функциональные потенциометрические датчики. Основные достоинства многооборотных потенциометров, фотопотенциометры.
реферат, добавлен 10.09.2012Основные представления о свойствах первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах. Методика квантово-химических расчетов. Моделирование создания Френкелевских дефектов. Характеристики F-центров окраски ЩГК в основном и возбужденном состоянии.
дипломная работа, добавлен 09.05.2011