Вплив електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та перерозподіл електронної густини в широкозонних напівпровідниках з дислокаціями
Перебудова електронних рівнів з дислокаціями. Перерозподіл електронної густини в широкозонних легованих напівпровідниках з дислокаціями. Зміни випрямних властивостей дислокаційного бар’єру під впливом самоузгодженого електрон-деформаційного зв’язку.
Подобные документы
Характеристика процесів електрон-іонних зіткнень для багатозарядних іонів у зовнішньому електричному полі будь-якої сили, використання непертурбативного метода розрахунку сил Ne-подібних іонів. Релятивістський опис розподілу електронів континуума.
автореферат, добавлен 24.07.2014Аналіз закономірностей протікання деформаційних процесів при ударному ультразвуковому і низькочастотному навантаженні металів: застосовано підхід до опису пластичної деформації, що базується на термофлуктуаційному подоланні бар'єрів рухомими дислокаціями.
автореферат, добавлен 22.02.2014Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження електронної структури одностінкових нанотрубок ZnO легованих атомами перехідних металів. Вивчення особливостей заміщення іонів магнію, кобальту і міді. Оптимізація моделей легованих нанотрубок. Розгляд процесу гібридизації атомів кисню.
статья, добавлен 30.01.2016Створення наукового інституту фізики під керівництвом доктора фізико-математичних наук Є. Кирилова. Вивчення оптичних властивостей галогенідо-срібних кристалів і фотографічних шарів. Електронні процеси в напівпровідниках, металах і діелектриках.
статья, добавлен 14.08.2016Вивчення методів та набуття навичок обробки вимірювань та обчислення похибок. Обчислення густини речовини, з якої зроблено тіло, та характеристика абсолютної і відносної похибки вимірювання густини. Обчислення середньоквадратичного відхилення результатів.
лабораторная работа, добавлен 14.05.2020Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Виявлення особливостей утворення поперечних оптичних вихорів та протікання топологічних реакцій, а саме реакцій анігіляції та розгортання оптичних вихорів, у світловому пучку з крайовими дислокаціями хвильового фронту. Дослідження фазових сингулярностей.
автореферат, добавлен 07.08.2014Розподіл електронної густини та ефективних зарядів при рівноважних об’ємах в халькогенідах лужноземельних металів (ХЛЗМ). Ієрархічний підхід введення поправок в розрахунках термодинамічних величин в ХЛЗМ та вплив тиску на фізичні характеристики кристалів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Встановлення закономірностей впливу діелектричного покриття на енергетичні характеристики поверхні металу. Визначення залежності температури електронної підсистеми кластерів різної форми від кількості атомів в них і потужності, що передається електронам.
автореферат, добавлен 29.07.2015Методика статистичного моделювання реалізацій випадкового поля "шуму" для даних зміни густини крейдяної товщі у тривимірному просторі. Статистичні моделі для гауссових однорідних ізотропних випадкових полів у 3D, заданих статистичними характеристиками.
статья, добавлен 28.08.2016Аналіз електронних станів на основі параметрів фотовідгуку у приповерхневій області широкозонних матеріалів (алмазні полікристалічні плівки), при взаємодії з випромінюванням інфрачервоного регіону. Взаємодія спектральних параметрів джерел випромінювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015Методи визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках, їх природа. Електропровідність металів. Надпровідність, магнітні властивості надпровідників. Суть явища ефекту Холла, його використання в вимірювальних пристроїв і схем автоматики.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Аналіз впливу спінових та поляризаційних ефектів на потужність синхротронного випромінювання рентгенівського пульсару. Зміст процесу народження електрон-позитронної пари електроном в магнітному полі поблизу порогу процесу з урахуванням спінів частинок.
автореферат, добавлен 20.07.2015Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Розвиток теорії повздовжніх флуктуацій струму в анізотропних напівпровідниках і встановленні на її основі головних закономірностей сумісної дії гріючого носії електричного та класично сильного магнітного полів і температури на спектральну щільність шумів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз електронного спектра (ЕС) шаруватої наногібридної структури. Зміни ЕС та густини електронних станів у шаруватих кристалах, що виникають при модуляції їх структури за рахунок утворення періодично розташованих пакетів із невеликої кількості шарів.
статья, добавлен 13.10.2016Проведення вимірів кінетичних властивостей носіїв та дослідження їх транспорту в квазіодновимірній електронній системі над рідким гелієм в магнітному полі. Вивчення температурної залежності рухливості електронів від стану діелектричної підкладки.
автореферат, добавлен 22.06.2014Проблема одержання високояскравих іонних пучків з малим енергетичним розкидом для підняття роздільної здатності ядерного мікрозонда. Діагностична установка для вимірювання плазмових параметрів ВЧ-джерел. Аналіз обрахунку густини електронної температури.
автореферат, добавлен 29.08.2014Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 75. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів матеріалів ІV та АІІІ ВV груп
Особливості електронних явищ в приповерхневих шарах сильно легованих твердих розчинів германій-кремній. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів та їх зміни в результаті різних обробок поверхні (механічна, опромінення).
автореферат, добавлен 27.07.2014