Вплив електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та перерозподіл електронної густини в широкозонних напівпровідниках з дислокаціями
Перебудова електронних рівнів з дислокаціями. Перерозподіл електронної густини в широкозонних легованих напівпровідниках з дислокаціями. Зміни випрямних властивостей дислокаційного бар’єру під впливом самоузгодженого електрон-деформаційного зв’язку.
Подобные документы
Огляд електронного та екситонного спектру двох тунельно-зв'язаних квантових точок різної форми з врахуванням розриву зон на межах поділу середовищ. Аналіз залежності енергії та густини ймовірності одного і двох зарядів від відстані між квантовими точками.
автореферат, добавлен 29.07.2014Термодинамічні функції електронного газу у сильноанізотропних шаруватих напівпровідниках для моделей залежності енергії від квазіімпульсу. Залежність термодинамічних функцій від параметра перемішування, застосування теорії пружності Дебая в кристалах.
статья, добавлен 29.09.2016Виявлення природи нових динамічних явищ, індукованих взаємодіями спінових систем локальних і нелокальних центрів у напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах. Їх впливу на мікрохвильовий відгук, магнітні та електричні властивості цих матеріалів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Теоретичне дослідження кулонівської взаємодії між двома електронами, які перебувають в когерентних станах, та взаємодії пари когерентних електронів з полем випромінювання. Характеристика властивостей двочастинкових станів незаряджених фермі-частинок.
автореферат, добавлен 30.10.2015Розробка системи кінетичних рівнянь заселеностей електронних рівнів для опису фотоіндукованих фазових перетворень в органічних кристалах. Оцінка розподілу густини екситонів у подвійних квантових ямах у зовнішньому неоднорідному електричному полі.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розгляд високочастотних ефектів, що виникають при поширенні поверхневих поляритонів у поодиноких двовимірних електронних системах, які сформовані на основі гетеропереходів GaAs/Alx, Gax, As і знаходяться в умовах цілочисельного квантового ефекту Холла.
автореферат, добавлен 27.04.2014Електрон як перша відкрита елементарна частинка, що є матеріальним носієм найменшої маси і найменшого електричного заряду в природі, історія його відкриття Джозефом Томсоном. Будова атома та формування його ядерної моделі, зміст дослідів Резерфорда.
презентация, добавлен 07.04.2014Особливості відкриття електрону, його поняття та сутність. Визначення заряду електрона, розкладання хімічних сполук під дією електричного струму. Характеристика досліджень Томсона на відхилення катодного проміння в магнітному або електричному полі.
реферат, добавлен 12.06.2015Вплив ефектів ангармонізму, електрон-фононної взаємодії, анізотропії та внеску нецентральних сил взаємодії на коливний спектр та повзучість гексагональних сплавів на основі титану. Сили взаємодії між атомами кристалічної решітки. Часові функції Гріна.
автореферат, добавлен 12.07.2015Вимірювання спектра гамма-квантів при взаємодії швидких нейтронів з ядрами кадмію із застосуванням методу часу прольоту. Залежність розрахованих перерізів від параметрів оптичного потенціалу, густини ядерних рівнів та радіаційної силової функції.
статья, добавлен 02.09.2013Пружне розсiяння високоенергетичних електронiв як дієвий засіб вивчення внутрішньої структури мікрочастинок, протона та нейтрона. Аналіз методів квантової теорiї поля. Розгляд особливостей двофотонного обмiну у пружному розсiяннi електронiв на нуклонах.
автореферат, добавлен 22.07.2014- 87. Реакційно-дифузійні процеси в системах з поверхнею поділу "метал-газ": квантово-статистичний опис
Теорія процесів переносу для систем типу "метал–адсорбат–газ". Квантово-статистична теорія рівноважних характеристик металевих систем. Розрахунок рівноважних функцій розподілу електронів. Процеси переносу електронної підсистеми напівобмеженого металу.
автореферат, добавлен 26.08.2015 Особливості зміни оптичних властивостей тонких шарів напівпровідника, спектрів комбінаційного розсіювання, механізм незворотних фотоструктурних перетворень. Визначення процесів селективного травлення, формуванні рельєфу голограмних оптичних елементів.
автореферат, добавлен 22.04.2014Вплив хімічного складу, температури, швидкості потоку електроліту, зміни густини струму у процесі вирощування гальваноматриць на однорідність, напруження та шорсткість поверхні штампів. Вплив pH та концентрації сульфамату нікелю на його гідроліз.
статья, добавлен 29.01.2019Еволюція і поперечна обмеженість модульованого електронного пучка в однорідному плазмовому бар’єрі для різних режимів турбулентності. Вплив початкової модуляції пучка на його функції розподілу за швидкостями, неоднорідність густини плазмового бар’єра.
автореферат, добавлен 13.08.2015Дослідження структурних функції тринуклонних ядер та встановлення асимптотиків розподілів густини нуклонів на великих відстанях на основі розрахованих з високою точністю хвильових функцій зв’язаних станів. Розрахунок асимптотичних коефіцієнтів нормування.
статья, добавлен 11.09.2013Побудова рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Ефективність кристалів як матеріалів для екзоемісійної скін-дозиметрії. Термоактивовані та тунельні електронно-діркові рекомбінації.
автореферат, добавлен 02.08.2014Визначення основних закономiрностей впливу сурми на дефектнi стани некристалiчного селена. Дослiдження з допомогою методiв неiзотермiчної релаксацiї мiлких рiвнiв прилипання в псевдозабороненiй зонi некристалiчного селену і спектроскопiї глибоких станiв.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження кристалічної структури, електронних і коливальних спектрів конденсованих плівок С60, легованих атомами міді, срібла та титану. Полімеризація фулеритів в залежності від типу легуючого металу. Гібридизація електронних станів атомів вуглецю.
автореферат, добавлен 14.09.2015Експериментальне визначення впливу розупорядкування кристалічної ґратки на характеристичнi часи електрон-фононної взаємодії. Дослiдження провiдних, гальваномагнiтних властивостей плiвок золота при значному розупорядкуваннi аж до переходу метал-iзолятор.
автореферат, добавлен 25.04.2014Розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу, які мають різну ступінь іонності. Експериментальна установка для комплексних досліджень.
автореферат, добавлен 28.06.2014Характеристика сигналу з випадковою початковою фазою. Визначення особливостей перебігу вузькосмугового випадкового процесу. Встановлення середньої потужності, що виділяється на опорі 1 Ом. Розгляд параметру спектральної густини середньої потужності.
статья, добавлен 27.07.2016Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження кореляційних ефектів, поправки на локальне поле, енергетичних і структурних характеристик моделі електронної рідини. Розробка нового підходу у теорії електронної рідини, що ґрунтується на моделюванні короткосяжних кореляцій між частинками.
автореферат, добавлен 25.02.2015Вплив градієнтів (n-1)-порядку густини та температури плазми в умовах n–кратного повздовжнього резонансу. Процес розповсюдження та поглинання швидких магнітозвукових хвиль з частотами, близькими до циклотронних, при їх взаємодії з частинками плазми.
автореферат, добавлен 27.02.2014