Элементарные полупроводники. Характеристика биполярного транзистора

Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.

Подобные документы

  • Механические свойства нитевидных кристаллов кремния и германия при внешних воздействиях и методы их изучения. Создание миниатюрных и высокопрочных тензорезисторов. Определение возможностей их применения. Пластическая деформация нитевидных кристаллов.

    статья, добавлен 04.12.2018

  • Классификация пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы; система условных обозначений. Вольтамперная характеристика электронно-дырочных переходов. Полупроводниковые диоды, устройство и принцип действия биполярного транзистора.

    курс лекций, добавлен 02.08.2013

  • Внутреннее устройство и принцип действия биполярного транзистора, его функциональные особенности и сферы практического использования. Схемы включения и перспективы дальнейшего развития. Статические характеристики транзисторов с индуцированным каналом.

    контрольная работа, добавлен 21.03.2016

  • Транзистор как полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, физические основы его функционирования, внутреннее устройство и принцип работы. Механизм возникновения токов. Схемы включения биполярного транзистора, их сравнение.

    реферат, добавлен 29.10.2017

  • Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.

    учебное пособие, добавлен 09.07.2013

  • Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.

    лекция, добавлен 29.10.2013

  • Основные разновидности современных транзисторов, критерии и показатели их классификации. Внутреннее устройство и главные компоненты биполярного транзистора, режимы работы и схемы включения. Факторы, влияющие на усиление сигнала, его основные классы.

    реферат, добавлен 09.04.2015

  • Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.

    шпаргалка, добавлен 10.02.2017

  • Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.

    статья, добавлен 20.07.2018

  • Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 06.01.2014

  • Рассмотрение графика одномерной функции плотности вероятности мгновенных значений. Изучение уравнения энергетического спектра гауссовского стационарного процесса. Анализ вольт-амперной характеристики биполярного транзистора амплитудного модулятора.

    контрольная работа, добавлен 25.09.2016

  • Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.

    учебное пособие, добавлен 13.04.2015

  • Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.

    методичка, добавлен 25.12.2012

  • Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.

    реферат, добавлен 27.01.2011

  • Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.

    курс лекций, добавлен 21.02.2014

  • Расчет колебательной системы СВЧ-транзисторного генератора с варакторной перестройкой частоты. Определение зависимости параметров генератора от питающего напряжения. Моделирование и использование кусочно-квазилинейной модели биполярного транзистора.

    автореферат, добавлен 13.04.2018

  • Загальна характеристика схеми для побудови вхідної характеристики біполярного транзистора. Розгляд способів визначення частотної залежності струму колектора. Знайомство зі способами побудови статичної прохідної характеристики біполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 19.11.2015

  • Область применения жидкокристаллических индикаторов. Изучение молекулярных свойств жидких кристаллов. Характеристика структурных разновидностей ЖК. Конструкция элементарной ячейки индикатора. Поляризация света при его прохождении через анализатор.

    реферат, добавлен 15.08.2014

  • Особенности расчета тока при прямом смещении, в предположении что доминирует диффузионная компонента тока. Носители, электроны и дырки, которые преобладают в данном токе. Основные методы удвоения тока. Ключевые показатели для насыщения тока канала.

    курсовая работа, добавлен 06.10.2017

  • Регулирование и улучшения качества выходного напряжения инверторов. Коммутационные процессы тиристора в инверторах, биполярного транзистора. Современные элементная база системы управления энергосберегающего инверторов. Разработка системы управления.

    диссертация, добавлен 24.05.2018

  • Классификация элементарных частиц в квантовой теории, в полевой теории элементарных частиц. Масса у элементарных частиц. Радиус элементарной частицы. Строение протона, нейтрона и электрона в полевой теории. Возбужденные состояния элементарных частиц.

    контрольная работа, добавлен 05.05.2017

  • Анализ особенностей источника опорного напряжения, который является составным элементом сложно-функциональных блоков: аналого-цифровых преобразователей и вторичных источников питания. Определение напряжения база-эмиттера биполярного транзистора.

    статья, добавлен 29.06.2017

  • Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.

    контрольная работа, добавлен 23.03.2022

  • Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.

    учебное пособие, добавлен 08.09.2015

  • Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.

    реферат, добавлен 18.04.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.