Элементарные полупроводники. Характеристика биполярного транзистора
Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
Подобные документы
Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
контрольная работа, добавлен 15.01.2012Определение понятия элементарных частиц и рассмотрение их основных свойств. Характеристика электромагнитных взаимодействий квантов материи и их связь с электромагнитным полем. Изучение унитарной симметрии элементарных частиц и кварковая модель адронов.
реферат, добавлен 09.12.2009Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный переход смещён в обратном направлении.
доклад, добавлен 15.01.2009Использование органической электроники для компактного моделирования надпорогового тока стока органического полевого транзистора. Обеспечение корректного учёта выходной проводимости в режиме насыщения с монотонным её убыванием от максимального значения.
статья, добавлен 17.07.2018Анализ нагрузочной цепи, вывод выражений входного сопротивления и коэффициента передачи по напряжению. Электрическая цепь транзистора с нагрузкой. Проверка выражений входного сопротивления и коэффициента передачи транзистора, нормировка элементов цепи.
курсовая работа, добавлен 18.05.2010Показатели, характеризующие элементарные частицы в физике. Общая характеристика и сущность восьмеричной симметрии. Знакомство с классификациями физиков Гелл-Манна и Ювал Нееман. Мощные средства дальнейших исследований по физике элементарных частиц.
реферат, добавлен 30.06.2011Ознакомление с классификацией усилителей. Анализ технических характеристик и электрических параметров исследуемого транзистора. Изучение структурной схемы каскада с общим эмиттером. Определение напряжение питания усилителя (по второму закону Киргофа).
контрольная работа, добавлен 07.01.2015Принципы построения усилительных устройств. Построение усилительного каскада на электронной лампе и полевых транзисторах. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме АЭУ. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
реферат, добавлен 07.01.2015Определение площади эмиттерного перехода. Расчет сопротивления эмиттера, базы, диффузионных емкостей, предельной частоты усиления, максимальной частоты генерации. Расчет максимальной мощности, рассеиваемой коллектором. Определение положения уровня Ферми.
контрольная работа, добавлен 13.12.2015Расчёт максимально допустимой амплитуды напряжения между коллектором и эмиттером транзистора. Определение значения крутизны сквозной характеристики усилителя. Выбор промежуточного каскада по схеме с общим эмиттером, проверка допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 16.10.2017Полупроводники как вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное положение между металлами и диэлектриками: знакомство с видами, общая характеристика структуры. Анализ схемы энергетических состояний электронов.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Кристаллическая структура халькогенидов свинца, теллуридов олова и германия. Обзор экспериментальных данных. Методика расчета оптических функций. Фундаментальные оптические функции. Правила сумм для оптических функций. Расчет оптических функций.
курсовая работа, добавлен 19.07.2008Рассмотрение особенностей развития микроэлектроники, основные этапы. Полупроводники как наиболее распространенная в природе группа веществ. Характеристика методов получения монокристаллов кремния. Знакомство с биполярными и полевыми транзисторами.
курс лекций, добавлен 27.01.2013Идеальная кристаллическая структура графена, гексагональная кристаллическая решётка. Баллистический транзистор на основе графена. Физические свойства и теоретическое исследование графена. Линейный закон дисперсии, эффективная масса, парадокс Клейна.
реферат, добавлен 15.12.2013Полевой транзистор как элемент схемы и активный трехполюсник, позволяющий получить усиление по мощности. Входное и выходное сопротивления, функции передач усилительного каскада на полевом транзисторе. Технологичность и входное сопротивление по току.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Основные понятия, механизмы элементарных частиц, виды их физических взаимодействий (гравитационных, слабых, электромагнитных, ядерных). Рассмотрение сущности теории кварков. Классификация элементарных частиц: фотоны, лептоны, адроны (мезоны и барионы).
реферат, добавлен 04.02.2015Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Краткие исторические сведения об элементарных частиц. Основные свойства элементарных частиц, их характеристики, классификация. Группировка адронов в изотопические мультиплеты. Принцип неопределённости как фундаментальное положение квантовой теории.
реферат, добавлен 09.04.2012Получение фрактальных структур с минимальными периодами идентичности, таких как симметричность генераторов локальных фракталов. Получение детерминистических структур с параметрами элементарной ячейки, совпадающих с параметрами пространственной ячейки.
статья, добавлен 21.06.2018Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Методы получения кварцевых емкостей для нагрева, высушивания, сжигания, обжига или плавления монокристаллов кремния. Влияние примесей в материале тигля на качество и анизотропию физических свойств однородных кристаллов. Механические свойства тигля.
статья, добавлен 28.02.2016Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
реферат, добавлен 30.07.2015Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018Связь внешней формы кристаллов с формой элементарных структурных элементов. Типы кристаллических решеток. История открытия квазикристаллов, имеющих промежуточное положение между кристаллами и аморфными телами. Способы объединения триаконтаэдров.
курсовая работа, добавлен 27.08.2017