Полупроводниковые приборы и их применение
Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
Подобные документы
Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.
реферат, добавлен 16.03.2011Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.
курсовая работа, добавлен 29.05.2024Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Электрические характеристики, параметры электровакуумных приборов, электронных устройств. Полупроводниковые диоды, электронные схемы на их основе. Обратные связи в операционных усилителях. Импульсные электронные генераторы на базе операционных усилителей.
презентация, добавлен 03.01.2018Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015- 39. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018Общие сведения о полупроводниках - веществах, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Характеристики p-n-перехода. Суть процесса легирования – добавления посторонних элементов.
лекция, добавлен 03.10.2012Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016Исследования в области полупроводников и их значение для радиотехники, электротехники, автоматики, приборостроения, энергетики. Вопрос о характере движения электронов в полупроводнике. Свойства периодически повторяющейся элементарной ячейки кристалла.
статья, добавлен 20.09.2009Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 24.12.2013Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015