Полупроводниковые приборы и их применение
Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
Подобные документы
Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016- 103. Диэлектрики
Понятие и сущность диэлектриков, их особенности, предназначение и применение. Характеристика и отличительные черты пассивных, активных диэлектриков, значение электростатического поля. Процесс возникновения поляризации диэлектриков в электрическом поле.
презентация, добавлен 11.05.2016 - 104. Основы электроники
Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017 Понятие электрического тока как переноса электрических зарядов. Характеристика основных структурных элементов атома. Особенности и порядок использования принципа Паули. Сущность туннельного эффекта и принцип действия функции распределения Ферми-Дирака.
лекция, добавлен 29.10.2013Использование фотоэлектрических преобразователей энергии для питания магистральных систем электроснабжения и различного оборудования на космических летательных аппаратах. Принципы работы ФЭП, характеристика полупроводников, преимущества и недостатки.
реферат, добавлен 05.06.2010- 107. Твердые тела
Изучение структуры твердых тел. Исследования электрических свойств полупроводников. Симметрия и классификация кристаллов. Кристаллическая структура и дифракция. Закономерности построения кристаллов, характеристика сил, которые удерживают в них атомы.
реферат, добавлен 10.12.2014 Краткая биография великих физиков России: Ж.И. Алферова, Д.И. Блохинцева, В.С. Ивановича, Я.Б. Зельдовича, П.Л. Капица, А.Я. Орлова и пр. Их основной вклад в развитие науки физики: открытие полупроводников, люминесценции, фотоэффекта, атомов, радио и пр.
презентация, добавлен 05.11.2016Общее понятие об электрическом заряде. Дискретный ряд разрешенных энергий, с которыми могут существовать электроны в атоме. Заряженные частицы в твердом теле. Функция распределения Ферми-Дирака. Определение концентрации электронов в зоне проводимости.
лекция, добавлен 27.09.2017Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015- 111. Внутренние шумы
Минимальное значение усиливаемого сигнала и нормирование его ограничений. Обоснование флуктуации напряжений и токов в электрических цепях. Основные характеристики внутренних шумов, их источники. Параметры шумов электрических цепей, ламп, полупроводников.
реферат, добавлен 27.06.2015 Уникальное свойство атомов углерода. Фуллерены и нанотрубки. Изучение и применение тонких ферромагнитных пленок. Формирование и структура аморфных металлов и сплавов. Приборы и технические изделия нанометровых размеров. Эффект квантового ограничения.
презентация, добавлен 22.10.2013Средство, предназначенное для получения значений физической величины в установленном диапазоне. Виды и параметры измерительных приборов. Сравнительная характеристика высоковольтных и низковольтных приборов, техника безопасности при их использовании.
презентация, добавлен 04.06.2024Системы электроизмерительных приборов: магнитоэлектрическая, электромагнитная, электродинамическая, индукционная, их основные преимущества и недостатки. Измерение магнитной индукции в сердечнике. Условные обозначения электроизмерительных приборов.
лекция, добавлен 10.10.2013- 115. Генератор Ганна
Периодические колебания силы тока в цепи. Появление отрицательного дифференциального сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Генерация и усиление СВЧ-колебаний. Требования к зонной структуре полупроводников. Открытие эффекта Ганна.
презентация, добавлен 16.12.2015 Обоснование актуальности совершенствования средств измерения химического состава газовых сред, в условиях экологических параметров жизнедеятельности человека. Обзор количественной оценки хемосорбционного взаимодействия с поверхностью полупроводников.
реферат, добавлен 03.08.2013Полупроводники с собственной, электронной и дырочной проводимостью. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Контакт между полупроводниками одинакового типа проводимости. Концентрация примесей, воздействия светового и ионизирующего излучений.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Рассмотрение общих элементов и структурной схемы электромеханических приборов. Применение воздушных, магнитоиндукционных и жидкостных успокоителей в электромеханических приборах. Принцип действия основных типов электромеханических измерительных приборов.
реферат, добавлен 16.04.2015Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Электростатические приборы, их разновидности, устройство, преимущества и недостатки. Принцип действия приборов с изменяющейся площадью пластин и приборов с изменяющимся расстоянием между пластинами. Область применения электростатических приборов.
реферат, добавлен 06.12.2015Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018- 123. Инжекционный лазер
Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014 Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Приборы с четырехслойной структурой как подвид семейства полупроводниковых приборов. Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров, их вольтамперные характеристики. Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами.
контрольная работа, добавлен 11.09.2013