Напівпровідникові з’єднання типу A4B6
Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
Подобные документы
Проектування прожектора лазерного растрового підсвічування, який базується у блоці з пружного матеріалу розмірами 100х100 мм, та в якому розміщені 10 напівпровідникових лазерів ІЧ-випромінювання. Керування розбіжним віялом світлових пучків лазерів.
статья, добавлен 29.10.2016Виявлення наявності істотного струмового перегріву активної області інфрачервоних випромінювачів відносно корпуса приладу. Встановлення взаємозв'язку інжекційно-термічних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових випромінювачах ІЧ – діапазону.
автореферат, добавлен 29.07.2014Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження релаксації фотофізичних властивостей в плівках аморфних органічних напівпровідникових полімерів. Встановлення спектроскопії інфрачервоного поглинання, змін коливної структури аморфних молекулярних напівпровідників та допуючих їх фулеренів С60.
автореферат, добавлен 29.08.2015Вивчення принципу роботи перетворювачів постійного струму в змінний по синусоїдальному закону. Розробка методики вибору параметрів інвертора напруги з відсікаємим комутуючим дроселем. Розрахунок напівпровідникових ключів із внутрішнім зворотним зв'язком.
автореферат, добавлен 04.03.2014Особливість підвищення енергетичної ефективності теплогенераторів, що працюють на альтернативних видах палива шляхом імплементації термоелектричних елементів у режимі генерування енергії в систему резервного джерела живлення когенераційної установки.
статья, добавлен 28.11.2016- 32. Газовий лазер
Характеристика унікальних властивостей лазерного випромінювання. Аналіз ширини спектральної лінії. Варіанти отримання лазерного променю. Перші розрахунки, можливості створення лазерів і перші патенти. Історія технологічного вдосконалення лазерів.
реферат, добавлен 06.11.2011 - 33. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка теоретичних положень синтезу схем напівпровідникових вентильних перетворювачів із заданими властивостями на основі головної топологічної матриці. Основні топологічні закономірності структурного синтезу поліпшених схем перетворювальних пристроїв.
автореферат, добавлен 15.11.2013Удосконалення методів визначення втрат потужності в перетворювальних пристроях, які працюють в різних режимах. Розробка математичної моделі напівпровідникових перетворювачів постійного та змінного струму працюючих в автономних системах електропостачання.
автореферат, добавлен 29.07.2014Побудова структурної моделі та розрахунок енергетичних характеристик кластерів X12Y12 сполук С, BN, SiC, ZnO, GaN. Розрахунок теоретичних інфрачервоних спектрів поглинання та спектрів комбінаційного розсіювання кластерів X24Y24 сполук С, BN, SiC.
автореферат, добавлен 14.07.2015Дослідження динаміки класичних та напівкласичних моделей одномодових твердотільних лазерів з різними модуляторами добротності методом біфуркації народження циклу. Основні біфуркаційні процеси в напівкласичних моделях одномодових лазерів біжучої хвилі.
статья, добавлен 23.10.2010Аналіз механізмів радіаційного дефектоутворення при електронному та нейтронному опроміненні нелегованих і легованих міддю монокристалів CdS. Доідження фізичних властивостей монокристалів з метою побудови моделей електронних процесів у даних сполуках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вивчення впливу анізотропії пружних властивостей на характер хімічного зв’язку та стабільність монокристалів з ґратками типу NaCl, CsCl і CaF2. Визначення ступеня іонних зв'язків лужно-галоїдних кристалів без вимірювання енергетичних параметрів.
статья, добавлен 30.01.2016- 42. Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015 Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Особливості формування нерівноважних функцій розподілів електронів при взаємодії швидких легких іонів із плазмою напівпровідників і металів. Можливості створення з використанням цих розподілів перетворювачів енергії ядерних частинок в електричну.
автореферат, добавлен 27.07.2014Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014Підвищення енергоефективності системи резервного електроживлення з дизель-генератором шляхом застосування напівпровідникових перетворювачів енергії. Використання енергії акумуляторної батареї. Способи зменшення витрат палива у динамічних режимах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розгляд особливостей створення теорії коливальної релаксації оптично активних молекул в активних середовищах ексимерних лазерів. Характеристика проблем встановлення точних значень кінетичних параметрів молекул. Аналіз кінетичного рівняння Фоккера-Планка.
автореферат, добавлен 29.07.2014Електричні властивості монокристалів, які використовуються для виготовлення інфрачервоних детекторів, інтерпретуються в рамках моделі вузькозонного напівпровідника, а оптичні властивості по теорії Кейна із сильно непараболічними енергетичними зонами.
автореферат, добавлен 24.02.2014