Напівпровідникові з’єднання типу A4B6
Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
Подобные документы
Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження та розробка теоретичних основ, принципів і методології створення поліфункціональних електромеханічних перетворювачів. Розробка математичних і програмних засобів для підвищення ефективності їх проектного синтезу, аналізу та оптимізації.
автореферат, добавлен 26.07.2014Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Характеристика загальних властивостей хвильових функцій і спектра обмеженого ланцюжка потенціальних ям, який імітує напівпровідникові гетероструктури. Встановлення форми кривої дисперсійного закону в залежності від зовнішнього електричного поля.
автореферат, добавлен 29.04.2014Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015Розробка методів виявлення спотворень форми струмів і напруг, на основі вейвлет перетворення. Розгляд порівняння існуючих методів спектрального аналізу і вибір найбільш ефективного методу частотно-часового аналізу струмів і напруг перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Основні поняття і формули: електропровідність металів та напівпровідників, статистика електронів у металах. Основні подання зонної теорії, гальваномагнітний ефект Холла. Електричні властивості та ємність p-n-переходів. Приклади розв'язування задач.
методичка, добавлен 24.06.2014Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Вирощування великих монокристалів тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8. Проведення кількісного та якісного аналізу і розподілу технологічних дефектів в напрямку росту для монокристалів AgCd2GaS4. Аналіз діаграм стану квазіпотрійних систем.
автореферат, добавлен 26.07.2014Визначення діапазонів термодинамічної стабільності багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів АІІBVI з вмістом ртуті і виявлення причин утворення ділянок нестабільності. Пояснення особливостей електрофізичних характеристик фотодіодів Шотткі.
автореферат, добавлен 14.10.2015- 61. Алгоритми проектування перетворювачів напруги, електромагнітно-сумісних з мережою та навантаженням
Методологія схемотехнічного проектування перетворювачів, за якої вимоги електромагнітної сумісності враховуються на початкових етапах розробки. Схемні моделі ключового стабілізатора напруги знижувального типу, напівмостового та резонансного інверторів.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Корпускулярно-хвильовий дуалізм речовини. Основні поняття квантової механіки. Найпростіші задачі квантової механіки. Взаємодія атомів у молекулі. Основні закони термодинаміки. Елементи зонної теорії кристалів. Електронні властивості напівпровідників.
курс лекций, добавлен 07.07.2017Підвищення точності вимірювання температури і збільшення ресурсу роботи кабельних термоелектричних перетворювачів для особливо жорстких умов експлуатації. Застосування ентропійно-енергетичної концепції до опису метрологічної і механічної надійності.
автореферат, добавлен 27.07.2014Роль фононної підсистеми у формуванні нелінійнооптичного відгуку монокристалів LiB3O5, b-BaB2O4 та Li2B4O7 та вироблення рекомендацій для прогнозування параметрів цих матеріалів. Структура ІЧ спектрів відбивання та спектрів розсіювання монокристалів.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Методика вирощування монокристалів лангбейнітів і їх рентгеноструктурне дослідження. Аналіз доменної структури кристалів при фазових переходах. Послідовність вимірювання показника теплового лінійного розширення за допомогою кварцового дилатометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Закономірності розподілу компонентів вздовж кристалів багатокомпонентних твердих розчинів АІІBVI, вирощених методом модифікованої зонної плавки. Визначення концентрації та енергії активації акцепторних центрів у напівпровідниковому твердому розчині.
автореферат, добавлен 14.09.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Вивчення структури одержаних нових рідкісноземельних монокристалів боратів. Визначення основних дозиметричних і сцинтиляційних характеристик одержаних кристалів. Дослідження механізму пластичної деформації монокристалів острівного та каркасного типів.
автореферат, добавлен 18.07.2015Оптимізація процесів парофазного вирощування методом ХТР структурно досконалих монокристалів телуридів кадмію та цинку, створення структур з БШ для одержання фізичної інформації про поверхню вирощених монокристалів, розробка фізичних основ приладів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження можливостей прецизійного вимірювання швидкості хвиль Релея шляхом використання фазового методу визначення їх часової затримки. Особливість формулювання циклів кумулятивного фазного зсуву вихідних сигналів ультразвукових перетворювачів.
статья, добавлен 30.01.2017Запропоновано новий фізичний підхід оптимізації технології одержання напівпровідникових широкозонних шарів для плівкових фотоелектрично активних гетеросистем. Показано, що процес осадження шарів ZnO:Al не повинен викликати міжфазну та дифузійну взаємодію.
автореферат, добавлен 06.07.2014Обчислення енергії іонізації мілких донорів для випадку L1 та дельта 1 моделі зони провідності монокристалів германію на основі варіаційного методу та теорії збурень. Порівняння розрахунків з експериментальними даними. Врахування хімічного зсуву.
статья, добавлен 27.07.2016Встановлення основних закономірностей формування зонної структури, побудови законів дисперсії та дослідження їхніх змін внаслідок впливу зовнішніх чинників в складних низькосиметричних кристалах. Характеристика особливостей міжчастинкових взаємодій.
автореферат, добавлен 30.07.2015