Технологический процесс изготовления полупроводниковой микросхемы с использованием эпитаксиально-планарной технологии
Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
Подобные документы
Интегральные микросхемы: основные понятия и определения. Технология изготовления аналого-цифровых микросхем. Назначение двухразрядного дешифратора (декодера). Построение его схемы. Синтез шифратора. Преобразователь кода для семисегментного индикатора.
контрольная работа, добавлен 22.05.2016Создание интегральной микросхемы, её значение и применение. Описание и характеристика электрической принципиальной схемы. Сущность счётчика, его основные параметры. Расчет тепловых процессов и надежности устройства, разработка и компоновка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Построение технологических процессов, экономическая оценка технологичности и моделирование изготовления печатных плат. Разработка принципиальной электрической схемы, сборочного чертежа акустического реле. Расчет и разработка технологической карты сборки.
курсовая работа, добавлен 12.02.2012Выбор принципа и системы конструирования, его технологическое обоснование. Расчет теплового режима и параметров электрических соединений. Определение степени надежности устройства. Процесс изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.
курсовая работа, добавлен 25.05.2013Требования к тонкопленочным резисторам и конденсаторам, особенности и исходные данные для их расчета. Подбор навесных компонентов. Расчет площади подложки. Выбор материала диэлектрика. Бескорпусные аналоги транзисторов. Принципиальная электрическая схема.
контрольная работа, добавлен 19.09.2015Характеристика проектируемого изделия, требования к маркировке и упаковке. Основные элементы блока питания компьюьера. Описание микросхемы электрической принципиальной. Разработка конструкции прибора, обоснование выбора элементной базы и материалов.
дипломная работа, добавлен 18.12.2009Разработка конструкторской документации с использованием средств P-Cad для проектирования модуля усилителя низких частот. Особенности конструкции усилителя низкой частоты, технологический процесс изготовления и сборки. Чертеж печатной платы и модуля.
курсовая работа, добавлен 25.08.2010Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 16.08.2014Обоснование выбора схемы усилителя с обратной связью. Построение его общей структурной и функциональной схем. Состав каскадов операционного усилителя. Назначение выводов микросхемы. Амплитудная, частотная и фазовая характеристики электронного устройства.
курсовая работа, добавлен 28.10.2017Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
реферат, добавлен 15.11.2012Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Рассмотрение алгоритмов работы, основных параметров и типовых схем включения сумматоров, преобразователей кодов, одновибраторов с перезапуском и без перезапуска, генераторов. Описание некоторых часто встречающихся функций, реализуемых на их основе.
лекция, добавлен 12.01.2015Разработка конструкций пленочных резисторов и конденсаторов. Расчет надежности гибридной интегральной схемы. Анализ требований к корпусу. Обеспечение вакуумно-плотной герметизации микросхемы. Создание топологического чертежа механизма и его оптимизация.
курсовая работа, добавлен 08.06.2016Описание технологии изготовления платы управления станком. Выбор двигателя и энергетический расчёт. Построение модулей драйвера и управления, а также разработка управляющих программ. Анализ особенностей конструкции платы управления мехатронной системой.
дипломная работа, добавлен 01.10.2017Описание особенностей конструкции печатной платы, ее назначение и описание технологического процесса. Выбор и описание оборудования, инструментов и приспособлений для изготовления печатной платы. Вычисление радиоэлементов по заданным параметрам.
курсовая работа, добавлен 26.06.2020Методы нанесения слоя фоторезиста на подложки микросхемы. Схема удаления и проявления фоторезиста. Нанесение слоя оксида кремния SiO2 в качестве межуровнего диэлектрика и низкотемпературного фосфоросиликатного стекла. Контроль блока металлизации.
контрольная работа, добавлен 25.06.2016Выбор и установка системы охранной сигнализации, их типы. Сравнительный анализ нескольких систем периметровой охраны. Технологический процесс изготовления печатной платы блока питания генератора высоковольтных импульсов системы периметровой охраны.
дипломная работа, добавлен 28.12.2018Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015- 71. Оптроны. Часть 1
Принцип действия элементарного оптрона. Характеристики. Разновидности оптронов (транзисторные, диодные, резисторные, тиристорные, с составным транзистором). Технология и конструкции. Оптоэлектронные интегральные микросхемы, тенденции их развития.
лекция, добавлен 17.08.2014 История появления полупроводниковой электроники. Замена ламповой аппаратуры на полупроводниковую. Строение полупроводников и основные принципы их действия. Зонная структура алмазоподобных полупроводников. Дырочная примесная электропроводимость.
контрольная работа, добавлен 20.01.2013Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011Логические основы цифровой техники. Свойства операций конъюнкции и дизъюнкции. Система команд и приемы программирования микропроцессора на языке ассемблера. Особенности микросхемы обработки сигналов. Назначение и типы счетчиков, пилообразные колебания.
курс лекций, добавлен 10.12.2014Описание структуры и порядка функционирования микросхемы сигма-дельта аналого-цифрового преобразователя. Передача результата преобразования в режимах ведущего и ведомого. Характеристика и назначение функциональных устройств сигнального микропроцессора.
контрольная работа, добавлен 27.12.2015