Электрические свойства полупроводников
Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
Подобные документы
Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.
реферат, добавлен 17.05.2017Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Энергетические уровни, электронная конфигурация атома. Принцип заполнения (наименьшей энергии). Распределение электронов в атоме по энергетическим уровням. Принципы и последовательность заполнения атомных орбиталей. Энергетические зоны. Туннельный эффект.
реферат, добавлен 06.12.2012Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Электрические свойства веществ: проводники, полупроводники, диэлектрики. Упорядоченное движение электронов под действием электрического поля. Проведение опытов с инерцией электронов. Атомная кристаллическая решетка. Изменение удельного сопротивления.
презентация, добавлен 10.10.2014Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015- 37. Твердые тела
Изучение структуры твердых тел. Исследования электрических свойств полупроводников. Симметрия и классификация кристаллов. Кристаллическая структура и дифракция. Закономерности построения кристаллов, характеристика сил, которые удерживают в них атомы.
реферат, добавлен 10.12.2014 Ток как направленное движение заряженных частиц, его сила, вектор плотности. Электродвижущая сила, правила Кирхгофа. Закон Ома для замкнутого проводника или для электрической цепи. Электропроводность металлов и полупроводников, термоэлектрические явления.
реферат, добавлен 21.10.2013- 39. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Понятие поступательного и вращательного движения твердого тела формулы расчета. Угловая скорость и угловое ускорение, их связь с линейными скоростями и ускорениями, единицы измерения. Свойства твердого тела при его вращении. Кинетическая энергия вращения.
контрольная работа, добавлен 17.12.2021Рассмотрение акустических эффектов в пьезоэлектрических полупроводниках. Анализ влияния электрического поля на поглощение и усиление звука. Происхождение нелинейных взаимодействий в диэлектрике. Проведение опытов по усилению тепловых звуковых флуктуаций.
доклад, добавлен 07.06.2010Изучение управления электрическим моментом в активных полупроводниках ЭЛК-частиц и диполях. Анализ свойств атомов электронной ловушки донорной природы. Обзор механизма преобразований полупроводников. Характеристика сдвига термостимулированных токов.
реферат, добавлен 31.07.2013Исследования в области полупроводников и их значение для радиотехники, электротехники, автоматики, приборостроения, энергетики. Вопрос о характере движения электронов в полупроводнике. Свойства периодически повторяющейся элементарной ячейки кристалла.
статья, добавлен 20.09.2009Изучение радиальных относительно ядра атома групп электронов с одинаковым значением орбитального квантового числа и одинаковой очередностью появления на подоболочках. Установление орбитального принципа запрета, регулирующего распределение электронов.
статья, добавлен 29.04.2017Большая продолжительность воздействия электрического поля на жидкий диэлектрик. Величинп напряжения, при котором происходит пробой диэлектрика. Влияние электрического поля на электропроводность полупроводников. Магнитные потери, причины их возникновения.
контрольная работа, добавлен 06.01.2016Образование кристаллов, их виды и свойства. Основные параметры кристаллической структуры. Образование кристаллической решётки и типы её дефектов. Особенности механизма перемещения дислокаций. Понятие полиморфизма и изоморфизм, условия их проявления.
реферат, добавлен 20.11.2012Методы измерения проводимости и ее температурной зависимости. Исследование влияния адсорбированного кислорода на электрические свойства пленок производных фталоцианина. Модель многоуровневого прыжкового переноса электронов. Методика ионной имплантации.
автореферат, добавлен 19.08.2018Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Влияние на фотоэлектрические свойства пленок медного фталоцианина модификации формы молекул периферийными и аксиальными заместителями. Критическая толщина, выше которой кристаллическая подложка не оказывает ориентирующего воздействия на молекулы пленки.
автореферат, добавлен 31.07.2018Использование уравнения вращения твердого тела вокруг неподвижной оси. Физический смысл и свойства момента инерции. Применение теоремы Гюйгенса – Штейнера. Закон сохранения момента импульса системы частиц. Изучение кинетической энергии твердого тела.
презентация, добавлен 26.09.2017