Электрические свойства полупроводников
Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
Подобные документы
Физические процессы на контакте "металл-полупроводник". Термоэлектронная эмиссия. Поверхностные состояния. Образования режимов обеднения, обогащения и инверсии в приповерхностном слое полупроводника. Зонные диаграммы, соответствующие этим режимам.
реферат, добавлен 18.11.2015Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Задачи кинематики точки, характеристика способов задания ее движения. Простейшие движения твердого тела. Кинематические характеристики вращающегося тела. Сложное движение точки. Плоскопараллельное движение твердого тела. Мгновенный центр скоростей.
курс лекций, добавлен 10.11.2017Кинематическое описание вращения твердого тела. Значение момента инерции в динамике вращательного движения. Равнодействующая сил тяжести. Качение колеса как сумма поступательного движения. Аспекты передвижения твердого тела под действием силы тяжести.
реферат, добавлен 11.12.2011Изучение закона сохpанения момента импульса и сохранения момента количества движения. Рассмотрение задачи Кеплеpа и сути Резеpфоpдовского pассеяния. Описание движения твердого тела, тензора инерции и вычисление кинетической энергии твердого тела.
курс лекций, добавлен 29.12.2013Изотропия пространства. Закон сохранения момента импульса и движение в центральном поле. Резеpфоpдовское рассеяние, решение задачи Кеплеpа. Тензор инерции и энергия вращающегося твердого тела. Момент импульса твердого тела и уравнение его движения.
курс лекций, добавлен 29.09.2014Свойства полупроводников, характеристика аномального и квантового эффектов Холла. Гальваномагнитные явления в монокристаллах и их применение. Сущность магнетосопротивления и история открытия эффекта Томсона. Понятие термогальваномагнитных эффектов.
курсовая работа, добавлен 13.04.2012Теплоемкость твердого тела и кристаллической решетки. Модель независимых осцилляторов. Теория теплоемкости по Дебаю. Нормальные моды одномерной решетки с базисом. Внутренняя энергия трехмерной решетки Бравэ. Методы молекулярно-кинетической теории.
курсовая работа, добавлен 18.10.2017Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Электропроводность как свойство тела или вещества проводить ток, физическая величина, численно характеризующая эту способность. Классификация веществ по данному признаку: проводники, диэлектрики и полупроводники. Принципы электропроводности газов.
статья, добавлен 22.04.2019Определение момента инерции тела и сплошного цилиндра относительно неподвижной оси. Момент инерции тела в случае непрерывного распределения масс. Теорема Штейнера и кинетическая энергия (динамика) вращающегося твердого тела, его плоское движение.
лекция, добавлен 02.08.2015Резкое изменение заряда ядра европия и "встряска" атомной оболочки. Описание атомно-ядерного процесса. Измерение коэффициентов внутренней конверсии ядра. Компоненты фонового временного спектра. Энергетические распределения электронов "встряски".
статья, добавлен 03.10.2013Дискретная структура энергетического спектра электронов в атоме. Энергетические зоны кристалла. Проводники и диэлектрики в свете зонной теории твердых тел. Различие между собственными и примесными полупроводниками. Функция плотности квантовых состояний.
лекция, добавлен 04.12.2018Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019- 90. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Модель атома, предложенная в 1913 году датским физиком Н. Бором. Плотность ядерного вещества. Обнаружение способности ядер тяжелых элементов самопроизвольно распадаться. Типы радиоактивного распада. Измерение энергии бета-частиц. Распад радионуклида.
реферат, добавлен 25.05.2015Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Квантово-механическая модель твердого тела. Эмиссия электронов с поверхности металла под воздействием потока фотонов. Автоэлектронная эмиссия, а также вычисление плотности автоэлектронного тока. Скорость расширения плазмы катодного факела из плазмы.
курсовая работа, добавлен 29.03.2013Влияние оптических эффектов на функционирование волоконно-оптических систем. Методы усиления сигналов, созданных отдельным источником в электрические сигналы. Применение полупроводников и стекловолокон. Способы измерения усиления в ионных лазерах.
презентация, добавлен 28.12.2015Понятие и общая характеристика твердого тела, его главные свойства и направления исследования. Виды связей и их реакции. Описание и структура, компоненты и свойства плоской системы сил. Принципы равновесия твердых тел при наличии трения и без него.
методичка, добавлен 18.11.2014Исследования наномасштабных шероховатостей поверхности твердого тела методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии. Разработка аппаратуры и СЗМ-методик регистрации локального фототока в фоточувствительных полупроводниках.
автореферат, добавлен 16.02.2018Ковалентная связь в полярной и неполярной молекуле. Характерная особенность кристаллических агрегатных состояний. Классификация веществ по электрическим свойствам. Элементы зонной теории твердого тела. Классификация электротехнических материалов.
реферат, добавлен 06.10.2015Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Уравнение классической диффузии. Механизмы диффузионных процессов в полупроводниках. Модель диффузии на основе аппроксимации Паде с приращением изменения концентрации по времени. Дробно-дифференциальное представление процесса диффузии в полупроводниках.
статья, добавлен 30.04.2018Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016