Применение полупроводников
Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
Подобные документы
Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Классификация, физические свойства кристаллических пьезоэлектрических природных и искусственных материалов. Сравнительная характеристика кристаллов лангатата и кварца для чувствительных элементов пьезодатчиков. Применение пьезоэлектрического эффекта.
статья, добавлен 28.05.2017Приборы с четырехслойной структурой как подвид семейства полупроводниковых приборов. Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров, их вольтамперные характеристики. Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами.
контрольная работа, добавлен 11.09.2013Методы и приборы измерения температуры, электрического сопротивления, массы, плотности и давления. Характеристики, свойства и применение дилатометра, дифференциально сканирующего калориметра, весов с приставкой, универсальной разрывной машины, автоклава.
отчет по практике, добавлен 22.11.2015Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
методичка, добавлен 05.02.2015Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.
реферат, добавлен 17.05.2017- 61. Цветные металлы
Рассмотрение классификации цветных металлов. Определение особенностей их применения и технологии обработки. Приведение основных сплавов алюминия, а так же их свойств, различных магнитных, полупроводниковых и проводниковых материалов из цветных металлов.
реферат, добавлен 05.05.2016 - 62. Сопротивления материалов. Основные понятия и гипотезы. Основы теории изгиба балочных конструкций
Наука о прочности, жесткости и надежности элементов инженерных конструкций - сопротивление материалов. Свойства деформируемых тел. Понятия прочности и жесткости. Деление конструкционных материалов на хрупкие и пластичные. Расчет и схема двухопорной балки.
контрольная работа, добавлен 23.04.2014 Процесс производства термоусаживаемых трубок. Основные преимущества термоусаживаемых муфт. Их применение для изоляции материалов со сложным профилем, что обеспечивает надежность изоляционных соединений. Применение кабельных капов, перчаток, юбок.
реферат, добавлен 06.05.2011Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Исследование диэлектрической проницаемости и потерь изолирующих материалов, помещенных в твёрдое поле с применением метода вариации активной проводимости. Расчет параметров диэлектриков. Свойства и применение фторопластов, оргстекла, эбонитов, винипласта.
лабораторная работа, добавлен 09.03.2018Снижение расходов полупроводниковых дорогостоящих материалов в солнечных элементах. Концентрирование солнечного излучения. Создание концентраторных батарей с плоскими фоклинами с улучшенными удельными фотоэлектрическими и оптическими параметрами.
статья, добавлен 19.06.2018Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
реферат, добавлен 30.07.2015- 69. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Принципиальные схемы выпрямителей с удвоением напряжения на полупроводниковых диодах. Основной характер пульсации выпрямленного тока. План с многократным умножением усилия с дополнительными сопротивлениями. Применение селеновых столбиков или кенотронов.
реферат, добавлен 08.06.2014- 72. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.
учебное пособие, добавлен 27.02.2012Электрическая проводимость различных веществ. Электронная проводимость металлов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. Движение электронов в металле. Сверхпроводимость при очень низких температурах. Электрический ток в полупроводниках.
реферат, добавлен 09.03.2013Зависимость активного сопротивления от материала и сечения проводников, температуры. Величина реактивного индуктивного сопротивления в электрических сетях. Активная проводимость, обусловленная потерями активной мощности в диэлектриках и проводниках.
лекция, добавлен 09.04.2018