Применение полупроводников
Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
Подобные документы
Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Обоснование необходимости, значение поиска и исследования новых полупроводниковых материалов, отвечающих современным требованиям. Место двойных, тройных и более сложных халькогенидов среди обширного класса соединений с участием редкоземельных материалов.
статья, добавлен 22.02.2023Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Основные задачи и методы сопротивления материалов. Классификация сил, действующих на элементы конструкций. Понятие о внутренних силах и методе сечений. Определение допускаемых напряжений и расчеты на прочность. Работа силы при ее статическом действии.
курс лекций, добавлен 30.07.2015Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Использование сплавов высокого сопротивления для электроизмерительных приборов и образцовых резисторов, их условные обозначения. Применение термопар для измерения температур и материалов для электрических контактов. Группы припоев для осуществления пайки.
реферат, добавлен 22.11.2010- 18. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
статья, добавлен 29.05.2017Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Расчет "Методом узловых потенциалов". Применение законов Кирхгофа. Проводимость между узлами. Метод эквивалентного генератора. Расчет замены звезды треугольником. Собственная проводимость узлов. Составление баланса исходной и преобразованной схем.
контрольная работа, добавлен 13.06.2013Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011