Расчет контактной разности потенциалов p-n перехода и характеристик биполярного транзистора
Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
Подобные документы
Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2017Выбор транзистора для выходного каскада. Расчет схемы температурной стабилизации тока покоя выходного транзистора. Основное требование, предъявляемое к выходному каскаду импульсного усилителя. Обеспечение заданной амплитуды импульса на нагрузке.
курсовая работа, добавлен 06.11.2014Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
курсовая работа, добавлен 04.04.2015Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.
реферат, добавлен 27.11.2013Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
лекция, добавлен 19.09.2011Сборка схемы для исследования биполярного транзистора. Построение входных и выходных характеристик. Определение h-параметров. Составление эквивалентной схемы замещения. Изучение параметров передаточных и выходных характеристик полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 25.08.2013Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
реферат, добавлен 06.12.2015Построение нагрузочной кривой на графике выходных характеристик транзистора и проходной характеристики. Расчет входного сопротивления и коэффициента усиления с учетом обратной связи. Расчет промежуточного каскада усилителя и разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 28.06.2015Обобщенная структурная схема передатчика с прямым способом получения частотной модуляции. Расчет коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Расчет схемы связи оконечного каскада с нагрузкой. Выбор транзистора для автогенератора, расчет модулятора.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Электрические параметры биполярного германиевого усилительного высокочастотного маломощного сплавно-диффузионного транзистора. Определение его смешанных (гибридных) параметров по семейству входных и выходных характеристик для схемы с общим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 24.01.2015Определение запаса напряжения, связанного с нелинейностью выходных вольтамперных характеристик транзистора. Методы графического расчета усилительного каскада. Исследование частотных характеристик усилителя. Вычисление возможного ухода рабочего тока.
курсовая работа, добавлен 15.09.2015Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Свойства электронно-дырочного или p-n-перехода. Диод как электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля, свойства и применение транзистора и тиристора. Однокаскадные и двухкаскадные усилители.
курсовая работа, добавлен 18.05.2014Вычисление угла сетевой коммутации диодных плеч выпрямителя. Расчет действующего значения тока первичной обмотки трансформатора. Анализ амплитудного смысла первой гармоники напряжения на нагрузке. Изучение величины сопротивления в цепи базы транзистора.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Определение значения сопротивления, предельно-допустимого напряжения коллектор-эмиттера, напряжения питания усилителя, параметров режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлении. Определение коэффициента нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 20.12.2012Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Принцип действия биполярного транзистора, режимы его работы и статические характеристики. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе при работе в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярного транзистора, его частотные свойства.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016