Расчет контактной разности потенциалов p-n перехода и характеристик биполярного транзистора

Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.

Подобные документы

  • Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Расчет усилителя на биполярном и полевом транзисторах. Расчет частотных характеристик усилителя. Определение усилителя с заданным режимом покоя. Расчет генераторов тока и напряжения. Определение устройств на операционных усилителях и фильтра Чебышева.

    курсовая работа, добавлен 24.04.2017

  • Анализ и расчет электрической цепи постоянного тока. Расчет упрощенной схемы цепи методом узловых напряжений. Расчет сложной электрической цепи постоянного тока с двумя источниками напряжения и шестью ветвями. Расчет однофазной цепи переменного тока.

    курсовая работа, добавлен 23.02.2021

  • Выбор транзистора для выходного и предварительных каскадов усилителя. Схема температурной стабилизации рабочей точки. Схема и основные параметры температурной стабилизации рабочей точки транзистора предварительного каскада. Расчет вспомогательных цепей.

    курсовая работа, добавлен 08.01.2012

  • Принципиальная электрическая схема усилительного каскада. Расчет напряжения питания, сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора, емкости разделительного конденсатора, максимальных амплитуд источников сигнала. Упрощение логической функции.

    курсовая работа, добавлен 06.01.2015

  • Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.

    курсовая работа, добавлен 27.11.2012

  • Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора BSX20. Расчет резистивных элементов каскада. Определение суммарного сопротивления, задающего режим покоя. Расчет емкостных элементов каскада. Коэффициент усиления по напряжению.

    курсовая работа, добавлен 07.08.2013

  • Расчет и выбор транзисторов. Максимальный ток коллектора. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Минимальные нелинейные искажения для малых сигналов. Расчет общего входного сопротивления схемы. Расчет эмиттерного повторителя и элементов схемы.

    курсовая работа, добавлен 10.03.2015

  • Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.

    учебное пособие, добавлен 26.05.2014

  • Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Расчет вольтамперной характеристики и идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения. Определение дифференциального сопротивления линейного участка. Анализ принципиальной схемы усилителя. Обзор принципа работы и параметров фотодиода.

    задача, добавлен 28.10.2011

  • Проверка достаточности напряжения питания схемы. Выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Выбор транзистора по параметрам режима эксплуатации. Графоаналитический расчет каскада по постоянному току. Определение величин емкостей конденсаторов.

    контрольная работа, добавлен 29.05.2014

  • Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.

    реферат, добавлен 29.01.2014

  • Технические данные системы передачи ИКМ-30. Расчет затухания пунктов регенерации. Схема организации связи. Расчет вероятности ошибки линейного тракта. Организация дистанционного питания. Расчет напряжения в цепи. Расчет необходимого состава аппаратуры.

    контрольная работа, добавлен 04.01.2013

  • Построение вольт-амперной характеристики полупроводникового маломощного стабилитрона. Определение параметров лавинного тока для типового кремниевого прибора. Влияние дифференциального сопротивления на величину выходного напряжения схемы стабилизатора.

    лабораторная работа, добавлен 24.12.2014

  • Параметры эквивалентной схемы транзистора. Угол отсечки и коэффициенты разложения. Расчет режима максимальной мощности. Пиковое напряжение на коллекторе. Амплитуда базового тока. Статические модуляционные характеристики. Принципиальная схема модуля.

    контрольная работа, добавлен 23.02.2015

  • Расчет коэффициента усиления усилителя с разомкнутой цепью обратной связи ОС. Выбор режима усиления и его обоснование. Определение мощности, рассеиваемой коллектором. Режим покоя транзистора и оценка его работоспособности. Расчет КПД данного усилителя.

    контрольная работа, добавлен 04.01.2011

  • Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.

    учебное пособие, добавлен 21.08.2015

  • Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.

    курсовая работа, добавлен 06.12.2013

  • Замеры и расчеты различных характеристик биполярного транзистора КТ 201Б в усилительном каскаде с общим эмиттером. Параметры усилительного каскада, коэффициенты усиления по мощности, по току и по напряжению. Амплитудно-частотные характеристики усилителя.

    курсовая работа, добавлен 13.11.2016

  • Расчет параметров усилителя, на вход которого подается сигнал с амплитудой от источника с внутренним сопротивлением. Эквивалентная схема усилителя для области средних частот. Выходная проводимость транзистора. Напряжение питания предоконечного каскада.

    контрольная работа, добавлен 27.06.2013

  • Проектирование импульсного усилителя обладающий заданными параметрами. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.

    курсовая работа, добавлен 06.05.2010

  • Определение коэффициента передачи аналогового тракта и коэффициента ослабления синфазного сигнала. Расчет согласующего усилителя. Выбор схемы устройства. Блоки гальванической развязки. Преобразователи постоянного напряжения. Расчет фильтра нижних частот.

    курсовая работа, добавлен 09.02.2019

  • Влияние масштабирования n-p-n SiGe гетеропереходного биполярного транзистора на динамические характеристики. Изменение максимальной и граничной частот прибора при переходе от технологии БиКМОП с проектными нормами 0,18 мкм к проектным нормам 0,09 мкм.

    статья, добавлен 27.07.2017

  • Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.

    курсовая работа, добавлен 07.01.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.