Напівпровідникові лазери
Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
Подобные документы
Аналіз впливу технологічних факторів електронно-променевої обробки на властивості тонких поверхневих шарів підкладок з оптичного скла. Розробка методу еліпсометричного експрес-контролю якості поверхні модифікованих плат при їх серійному виробництві.
автореферат, добавлен 25.06.2014Вплив ефектів деполяризації оптичного випромінювання на визначення оптичної системи людського ока. Метод модуляційної поляриметрії. Поляризаційна характеристика розсіяної енергії електромагнітних хвиль. Корекція зору при передачі різних типів даних.
автореферат, добавлен 14.09.2014Формування потоку рентгенівського випромінювання електронно-променевих приладів з урахуванням конструктивних параметрів, характеристика електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Виявлення дефектів зварних з’єднань контрольованного об’єкта.
автореферат, добавлен 28.07.2014Огляд використання напівпровідникових випромінювачів та модуляції оптичного випромінювання по інтенсивності. Дослідження проектування та монтажу передавальних квантово-електронних модулів. Аналіз цифрових систем передачі у волоконно-оптичному зв’язку.
реферат, добавлен 08.01.2011Моделі процесу формування потоку рентгенівського випромінювання з урахуванням конструктивних параметрів та електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Параметри перспективних передавальних електронно-променевих приладів та рентгеноскопічних систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження ефектів електрокерованого відбивання світла від межі поділу скло – нематичний рідкий кристал. Розроблення модуляторів оптичного випромінювання на основі цих ефектів та автоматичного світлофільтру для маски зварювальника з РК затвором.
автореферат, добавлен 25.06.2014Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Формування полікристалічними структур. Метод, заснований на реєстрації флуктуацій інтенсивності розсіяного випромінювання. Кореляційно-оптичний метод визначення функції розподілу частинок за розмірами порошків при будь-якому показнику їх заломлення.
автореферат, добавлен 29.07.2015Створення дифракційної моделі розсіювання оптичного випромінювання з урахуванням фазових та поляризаційних змін хвилі при відбиванні від локальних дефектів поверхні. Реалізація сенсорів хвильового фронту з підвищеними чутливістю та просторовою здатністю.
автореферат, добавлен 25.07.2015Напівпровідники - це речовини, що займають по величині питомої електричної провідності проміжне положення між металами і діелектриками, їх застосування в електроніці. Носії заряду в напівпровіднику, вид електропровідності. Електронно-дирочний перехід.
реферат, добавлен 29.03.2010Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.
методичка, добавлен 21.07.2017Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Розгляд особливостей спектральних ефектів при взаємодії випромінювання неперервного лазера на барвнику з атомами і молекулами. Загальна характеристика методу флуоресцентної лазерної спектроскопії з використанням лазера на барвнику з вузьким спектром.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Швидкісна реєстрація відбивних властивостей опромінюваної мішені, застосування активного елементу ЛПМ. Кореляція між динамікою іонної емісії та зміною в часі відбивних властивостей резонансної взаємодії лазерного випромінювання з поверхнею алюмінію.
автореферат, добавлен 23.11.2013Порівняння результатів дослідження люмінесценції кристалів PbWO4:Tb і CdWO4:Tb,Li у разі синхротронного та оптичного збуджень. Низькотемпературна люмінесценція цих кристалів ефективно збуджує синхротронне випромінювання в ділянці фотонного помноження.
статья, добавлен 07.12.2016Виявлення у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі поздовжних термодифузійних автосолітонів. Вивчення поведінки і взаємодії. З'ясування механізму утворення доменів сильного поля і осциляцій струму. Дослідження інфрачервоного випромінювання електронів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Дослідження оптичних та нелінійно-оптичних властивостей кристалів ніобату літію та кристалів групи боратів. Вивчення таких НЛО ефектів як генерація вищих оптичних гармонік, генерація сумарної частоти, фотоіндукована генерація другої оптичної гармоніки.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження електронно-стимульованих явищ у кріокристалах інертних елементів Ne та Xe, опромінених іонізуючим випромінюванням. Механізм релаксації у системі локалізованих заряджених часток, на основі випромінювальної рекомбінації домішкових атомів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Роль робіт М.Г. Басова з накачування рідкого ксенону потужним електричним пучком у створенні ексимерних лазерів. Створення інверсної населеності в ексимерних лазерах. Основні параметри і розрахунок просторових та енергетичних характеристик KrF лазера.
контрольная работа, добавлен 15.12.2014Генерація акустичних коливань при взаємодії сильнострумового пучка релятивістських електронів із твердотільними мішенями. Підсилення коливань за рахунок параметричного ефекту в магнітній рідині. Вплив геометричних та енергетичних параметрів пучка.
автореферат, добавлен 28.08.2014Теорія збудження і переносу нерівноважних носіїв струму в неідеальних гетеропереходах. Створення ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображення нового типу. Виготовлення перетворювача сигналів оптичного зображення із внутрішнім посиленням.
автореферат, добавлен 29.07.2015