Напівпровідникові лазери
Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
Подобные документы
Досягнення режиму одночастотного квазінеперервного випромінювання генерації в твердотільних лазерах із ламповою накачкою. Аналіз методів самомодуляції потужного випромінювання на основі організації внутрішніх фізичних процесів в активних елементах.
автореферат, добавлен 24.06.2014Експериментальний та теоретичний аналіз спектрів оптичного пропускання в епітаксійних плівках Hg1-xCdxTe з різним характером та величиною градієнта складу. Дослідження механізмів темнового струму і спектрів шуму в довгохвильових фотодіодах n+-p-типу.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Основні фізичні явища за якими змінюється поверхня і поверхневий шар оптичного і технічного скла при дії низькоенергетичного електронного потоку. Основні приклади впливу електронного променя на оптичне скло марок К-8 та БК-10, а також фотопластин.
статья, добавлен 29.06.2016Поведінка хвильової функції акцепторного центру в кубічних напівпровідниках при малому відношенні мас легкої та важкої дірок. Генерація і детектування високочастотних акустичних фононів в напівпровідникових надгратках в умовах стрибкового транспорту.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Обґрунтування актуальності досліджень напівпровідників в умовах сучасного розвитку фізики твердого тіла. Спектр можливостей, наданих кількісною теорією кінетичних ефектів для розуміння явища переносу в анізотропних діодах електропровідних речовин.
автореферат, добавлен 31.01.2014Головна особливість дослідження біологічних властивостей води на основі використання методу газорозрядного випромінювання в електромагнітному полі. Характеристика основоположних методів та алгоритмів цифрової обробки зареєстрованих зображень світла.
статья, добавлен 30.10.2016Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018Побудування мультигармонічної слабосигнальної теорії двопотокового лазера на вільних електронах з Н-убітронною накачкою. Аналіз вираз для інкремента зростання хвиль у досліджуваній системі. Перспективність використання даних систем як підсилювачів.
статья, добавлен 23.10.2010Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014Суцільний та характеристичний спектри пулюївського (рентгенівського) випромінювання. Загальна характеристика ефектів: поглинання, дифракції та опромінення. Історія відкриття х-променів та їх використання. Визначення термінів, що стосуються рентгену.
презентация, добавлен 13.04.2015Розробка аналітичних і експериментальних методів визначення модового складу поля випромінювання круглих оптичних волокон і температурної залежності набігу фаз власних мод круглих оптичних волокон. Обертальний ефект Доплера в маломодових оптичних волокнах.
автореферат, добавлен 23.08.2014Створення наукового інституту фізики під керівництвом доктора фізико-математичних наук Є. Кирилова. Вивчення оптичних властивостей галогенідо-срібних кристалів і фотографічних шарів. Електронні процеси в напівпровідниках, металах і діелектриках.
статья, добавлен 14.08.2016Розробка теорії варизонних напівпровідникових приладів з гетеропереходом. Вивчення ефектів міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів. Визначення параметрів енергетичного зазору між долинами. Підвищення граничної частоти генерації.
автореферат, добавлен 27.08.2015Дослідження спектрального складу випромінювання, що виникає при дії пучка іонів на матеріали з різним хімічним складом. Виявлення можливості практичного використання спектроскопії випромінювання вторинних частинок для елементного аналізу складу поверхні.
автореферат, добавлен 27.07.2014Зміни параметрів спектрів пропускання багатошарових інтерференційних структур (БІС) вузькосмугових оптичних фільтрів в залежності від поляризації та кута падіння. Визначення ефективності використання збіжності або розбіжності потоків випромінювання.
статья, добавлен 19.02.2016Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Структуроутворення ковалентної сітки зв'язків у складних халькогенідних некристалічних напівпровідниках при зміні складу та кореляція структури, динамічної та променевої стійкостей вздовж різних розрізів області склоутворення потрійної системи Ge-As-S.
автореферат, добавлен 13.07.2014Дослідження постійного поширення власних хвиль циліндричного хвилеводу з частковим діелектричним заповненням. Отримання наближених розв'язань дисперсійних рівнянь для гібридних хвиль. Приклади використання характеристик випромінювання і розкладань полів.
автореферат, добавлен 25.02.2015Дослідження структури та електрофізичних властивостей, ефекту Холла та магнітоопору в тонких магнітних плівках сплаву. Метод електронно-променевого випаровування, який застосовується при виготовленні плівок. Дослідження кристалічної структури зразків.
статья, добавлен 23.10.2010