Отказ, виды отказов и дефекты полупроводниковых приборов
Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Подобные документы
Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Назначение и характеристика тестера M328 LCR-T3. Изготовление печатной платы, выбор типа производства и составление схемы техпроцесса. Установка элементов на печатную плату и программирование микроконтроллера. Проверка тестера на работоспособность.
курсовая работа, добавлен 30.01.2016История, методики и устройства исследования офтальмотонуса, своевременная диагностика развития нарушений работы зрительного аппарата. Тонометрия, эластотонометрия, тонография; принципы работы приборов инструментального измерения внутриглазного давления.
реферат, добавлен 08.11.2012Физические основы действия полупроводниковых приборов. Техника безопасности при выполнении лабораторных работ. Оформление отчета по работе. Анализ свойств операционных усилителей. Микросхемы базовых логических элементов. Цифровые микросхемы триггеров.
методичка, добавлен 23.06.2013Изучение принципа действия полупроводниковых и фотоэлектронных приборов. Функционирование типовых электронных узлов и устройств. Характеристики основных семейств логических операций. Применение цифровых запоминающих устройств. Виды стабилизаторов.
учебное пособие, добавлен 09.12.2013- 81. Шумы и наводки
Изучение источников возникновения и энергетического спектра помех. Исследование особенностей импульсных и периодических помех. Методы снижения шумов в устройствах и повышения их помехоустойчивости. Обзор способа снижения влияния внешних помех и наводок.
реферат, добавлен 25.09.2013 Обзор информативных параметров ЭП. Способы измерения состава и структуры материалов. Термоэлектрическая обработка информации. Исследование конструктивных параметров преобразователя. Принцип действия трибоэлектрических и электростатических приборов.
реферат, добавлен 07.11.2013- 83. Усилители
Классификация усилителей, их основные технические характеристики. Входное и выходное сопротивление. Уровень собственных помех (шумов) усилителей. Отношение амплитуд максимального и минимального значений напряжения входного сигнала. Искажения в усилителях.
презентация, добавлен 10.02.2022 Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 23.12.2016Анализ и характеристика состояния дел в разработке фотометрических и спектрофотометрических приборов. Выявление перспективных путей преодоления трудностей, возникающих при разработке таких приборов. Описание структурных схем промышленных приборов.
статья, добавлен 07.12.2018Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Анализ работоспособности сложных систем, способы повышения их надежности. Характеристика основных видов резервирования. Определение вероятности безотказной работы элементов. Применение метода свертки для элементарных схем. Расчет интенсивности отказов.
лекция, добавлен 22.03.2018Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Классификация электронных измерительных приборов. Использование указателей напряжения и индикаторов для определения наличия или отсутствия тока в сети. Способы применения вольтметра, амперметра и омметра. Анализ измерения частоты электрических колебаний.
реферат, добавлен 08.11.2015Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
лекция, добавлен 04.10.2013Компьютерное моделирование интегральных цифровых приборов. Структурная схема счетчика, эскиз топологии и топологические размеры. Параметры транзисторов и модели вентилей. Расчет быстродействия триггеров. Определение межсоединений и паразитных емкостей.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.
курсовая работа, добавлен 30.07.2015