Отказ, виды отказов и дефекты полупроводниковых приборов
Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Подобные документы
Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Представление обзора применяемых и перспективных путей снижения влияния угловых шумов радиолокационной цели на точность измерения угловых координат в радиолокационной головке самонаведения. Сопоставление интегральных законов распределения промаха.
статья, добавлен 27.02.2019Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Принципы работы цифровых вычислительных синтезаторов сигналов, причины возникновения в них собственных шумов и методы измерения частоты. Анализ выражений для спектральной плотности мощности естественных и фликкер-шумов, их расчет способом аппроксимации.
статья, добавлен 14.07.2016Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Особенность исследования уровня надежности микроэлектронных систем. Анализ отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изучение устойчивости компонентов электронных схем. Основные составляющие исправности программного обеспечения.
лекция, добавлен 22.03.2018Знакомство с моделями активных элементов и принципами построения приборов для измерения параметров активных элементов электрических цепей. Измерение вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов. Расчет основных параметров в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 29.01.2015Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018- 12. Защита кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем от воздействий внешней среды
Понятие и функциональные особенности интегральных микросхем, эксплуатационные и технологические требования к ним. Виды корпусов данных микросхем, современный этап развития: керамические, пластмассовые, металлополимерные. Методы герметизации пластмассами.
курсовая работа, добавлен 11.03.2012 Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Характеристика основных критериев, определяющих энергетическое разрешение прибора. Исследование пороговой чувствительности оптико-электронных приборов. Соотношения между уровнями полезного сигнала и шумов. Обобщенная методика энергетического расчета.
статья, добавлен 17.11.2018Изучение основных электрических характеристик и параметров канала тональной частоты многоканальных систем передачи. Обзор порядка измерения остаточного затухания канала тональной частоты. Определение уровня невзвешенных (интегральных) шумов в канале.
реферат, добавлен 09.05.2018Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Описание способов измерения температуры и видов термометров. Разработка и описание системы приборов, работа их в комплексе. Манометрические термометры, особенности их устройства и разработки. Метрологические характеристики и погрешности приборов.
курсовая работа, добавлен 27.02.2009Методы обеспечения надежности микроэлектронной аппаратуры и микроэлектронных изделий, эксплуатационные факторы, влияющие на их надежность. Основные характеристики отказов медицинских изделий. Методы оценки и контроля надежности медицинских приборов.
дипломная работа, добавлен 26.05.2018Сравнение эффективности работы методов Прони и Бартлетта при оценке параметров источника сигнала на основе характеристик приемной антенны (ширины диаграммы направленности и коэффициента концентрации) с учетом шумов, образованных поверхностью моря.
статья, добавлен 30.05.2017Особенности квантования, которому не предшествует дискретизация. Характеристика квантователя и методы ее рассмотрения. Вычисление отношения сигнал/шум. Происхождение дополнительных частот. Способы, позволяющие снизить слышимость шумов дробления.
реферат, добавлен 09.11.2010Рассмотрение новых методов определения интегральных характеристик, основанных на запоминании и сравнении мгновенных значений гармонических сигналов и обеспечивающих сокращение времени измерения. Реализация методов измерения интегральных характеристик.
статья, добавлен 30.08.2018Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023