Анализ конструктивно-технологических ограничений при проектировании лавинных фотодиодов, работающих в режиме счета фотонов
Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.
Подобные документы
Технология поверхностного монтажа. Применение новейшей элементной базы – поверхностно-монтируемых элементов. Преимущество данной технологи. Виды корпусов микросхем. Варианты практической реализации технологии. Типовая схема практической реализации.
реферат, добавлен 21.11.2008Линии передачи в печатном монтаже. Волновое сопротивление и способы согласования. Расчёт волнового сопротивления микрополосковой линии без учёта конструктивно-технологических воздействий. Метод построения веб-сайта, программная реализация расчёта.
дипломная работа, добавлен 10.12.2019Принципиальная схема усилителя. Источник сигнала - ток фотодиода. Расширение полосы пропускания в области верхних частот. Расчет элементов схемы по постоянному току. Предварительный расчет резисторов фотодиода. Анализ по постоянному току каскада.
курсовая работа, добавлен 14.03.2020Генераторы прямоугольных импульсов. Формирование импульсов заданной длительности. Допустимый коэффициент нестабильности исходного режима. Входное сопротивление каскада. Выходное сопротивление эмиттерного повторителя. Параметры операционного усилителя.
курсовая работа, добавлен 24.06.2013Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015Конструктивно-технологические принципы создания беспроводной сенсорной сети для непрерывного мониторинга концентрации токсичных газов в воздухе промышленных предприятий и жилых зонах. Газовые датчики для мониторинга концентрации угарного газа в воздухе.
статья, добавлен 06.05.2018Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Эффект генерации акустических сигналов при поглощении электромагнитных импульсов в слоистой структуре. Преобразование терагерцевого излучения в акустический импульс. Исследование оптических коэффициентов нанометровых пленок хрома на кварцевой подложке.
статья, добавлен 30.10.2018Проектирование печатного узла генератора прямоугольных импульсов с учетом требований миниатюризации и экономичности. Возможности и перспективы графических САПР. Требования к двустороннему фольгированному стеклотекстолиту, как основе для печатной платы.
курсовая работа, добавлен 11.05.2015Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Краткое описание работы и характеристик фотодиода. Среда программирования LabVIEW, условия ее применения, оценка возможностей и преимуществ. Разработка программного обеспечения и его функциональные особенности, составление руководства пользователя.
курсовая работа, добавлен 30.11.2018Формирование цилиндрического пучка с учетом распределения поля его пространственного заряда. Анализ поля системы электродов в пространстве, ход нулевой эквипотенциали. Расчет электродов, формирующих осесимметричный пучок в режиме ограничения тока.
статья, добавлен 04.11.2018- 65. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Принцип действия сверхпроводниковых однофотонных детекторов. Механизм возникновения напряжения фотона на выходе устройства. Повышение чувствительности и быстродействия модуля оптического терминала. Зависимость доли ошибочных битов от уровня дискриминации.
статья, добавлен 03.11.2018Создание гетероструктуры быстродействующего фотопреобразователя на основе p-i-n фотодиода максимальной возможной полосой пропускания. Применение внутреннего квантового выхода фотоответа при работе в фотодиодном режиме и трансимпедансной схемой включения.
курсовая работа, добавлен 19.05.2023Спектральное представление сигналов на выходе нелинейных цепей. Умножение и преобразование частоты. Построение схемы модулятора на полевом транзисторе. Определение частоты модулирующего сигнала. Расчет спектра амплитудно-модулированных импульсов.
контрольная работа, добавлен 24.12.2017Тарификация абонентов в сетях 4G в случае штатного режима работы, а также в режиме обхода оффлайн. Наращивание объемов пропускаемого трафика на высоких скоростях. Разновидности систем тарификации сетей. Введение штрафных санкций для ограничения трафика.
статья, добавлен 27.01.2019Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Исследование процесса накопления повреждений сверхвысокочастотных диодов при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
статья, добавлен 30.10.2018Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Назначение и виды радиоприемных устройств. Электрические, конструктивно-эксплуатационные и экономические характеристики радиоприемников. Временная и пространственная избирательность. Допустимые искажения воспроизводимого сигнала в отсутствие помех.
контрольная работа, добавлен 28.01.2013- 74. Методи і моделі створення мобільних інформаційно-аналітичних систем управління кризисними ситуаціями
Аналіз даних для створення моделей і аналізу лавинного клімату. Метод розподілу надзвичайних ситуацій лавинного клімату на класи. Модель аналізу ситуацій та метод побудови структури мобільних систем для контролю лавинонебезпечних гірських ділянок.
автореферат, добавлен 29.09.2015 Рассмотрение классификации радиоизмерений. Анализ классификации радиоизмерительных приборов по измеряемым величинам. Особенности метода последовательного счета. Исследование метода сравнения временных интервалов. Характеристика нониусного метода.
контрольная работа, добавлен 02.12.2017