Анализ конструктивно-технологических ограничений при проектировании лавинных фотодиодов, работающих в режиме счета фотонов
Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.
Подобные документы
Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 23.12.2016Принципы построения и реализации процесса автоматизированного выбора конструктивно-технологических решений при проектировании бортовой электронной аппаратуры с использованием экспертной системы. Проверка допустимости реализации варианта конструкции.
статья, добавлен 06.05.2018Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Описание тестов программ разделения откликов нейтронов и фотонов. Изучение программы цифрового разделения в зависимости от загрузки сцинтилляционного тракта при различных энергетических порогах нейтронного спектра и параметрах формы импульсов откликов.
статья, добавлен 06.03.2018Счётчик как устройство, на выходах которого получается двоично-десятичный код, определяемый числом поступивших импульсов. Основные параметры и классификация счетчиков. Характеристика счетчиков с произвольным коэффициентом счета, его проектирование.
контрольная работа, добавлен 18.01.2012Результаты спектроскопического исследования вещества, в котором для измерения спектра поглощения используются частотно-кореллированные пары фотонов, рожденные в процессе спонтанного параметрического рассеяния. Измерения методом бифотонной спектроскопии.
статья, добавлен 07.11.2018Фотоприемник, в котором повышение квантовой эффективности реализуется за счет внутреннего усиления в обратносмещенном p-n переходе. Материал и особенности конструкции фотодиодов. Принцип действия лавинного и р-i-n фотодиодов как широкополосных приемников.
презентация, добавлен 02.02.2021Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Конструктивно-технологические и схемотехнические решения совместного использования цифровых ИМС различных серий. Обеспечение совместимости уровней цифровых элементов при проектировании микроэлектронной аппаратуры на цифровых интегральных микросхемах.
реферат, добавлен 10.02.2013Анализ современного состояния проектирования и технологии тонкопленочных элементов, плат и микросборки. Влияние конструктивно-технологических факторов на сопротивление тонкопленочного резистора. Формулы для расчета участков контактного сопротивления.
автореферат, добавлен 14.02.2018Этапы разработки схемы топологии полупроводниковой ИМС. Конструктивно-технологические ограничения при разработке на биполярных транзисторах. Минимально допустимые размеры. Правила проектирования изолированных областей, учет их количества и размеров.
реферат, добавлен 13.06.2009Программа цифрового разделения нейтронов и фотонов в зависимости от загрузки сцинтилляционного тракта при различных порогах нейтронного спектра. Цифровая обработка сцинтилляционных сигналов в установках обнаружения радиоактивных и делящихся материалов.
статья, добавлен 30.09.2012Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
статья, добавлен 03.11.2018Элементы конструкции интегральных схем (ИС), технологические маршруты изготовления ИС и пути их совершенствования. Влияние конструктивно-технологических факторов на надежность и коэффициент выхода годных тонкопленочных ИС с резистивными структурами.
курсовая работа, добавлен 04.12.2018Преобразование импульсов в цифровых измерительных приборах. Определение погрешности дискретизации при синхронизированном и несинхронизированном началом временного интервала и счетных импульсов. Погрешность выборки при низкочастотной синусоидальной помехе.
лекция, добавлен 28.10.2014Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
статья, добавлен 04.11.2018- 18. P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
статья, добавлен 19.06.2018Ознакомление с функциональной схемой аналоговой интегральной схемы для датчиков космической аппаратуры. Характеристика упрощенной электрической схемы электронного модуля. Анализ влияния входной емкости на коэффициент преобразования и время пика.
статья, добавлен 30.05.2017Анализ рынка современных интегральных микросхем. Дифференциальный подход оценки надежности по стандартизированным методикам. Технология создания алгоритма методики оценки безотказности интегральных микросхем по конструктивно-технологическим параметрам.
дипломная работа, добавлен 13.02.2016Описание специфики моделирования миграции фотонов в биологических тканях. Характеристика алгоритма локализации областей патологических нарушений в оптической структуре биологических тканей. Анализ метода импульсной диффузионной оптической томографии.
статья, добавлен 29.07.2017Рассмотрение процесса ускорения плотных электронных сгустков, получаемых путем ионизации тонких пленок электромагнитными импульсами. Метод ускорения сгустка последовательностью гауссовых импульсов, не имеющий ограничений на максимальное значение энергии.
статья, добавлен 04.11.2018Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Требования к функциональной сложности многокристальных модулей. Новые конструктивно-технологические решения в области компоновки и межсоединений. Использование металлических оснований с высокой механической прочностью, защитой и теплопроводностью.
статья, добавлен 06.04.2014