Анализ конструктивно-технологических ограничений при проектировании лавинных фотодиодов, работающих в режиме счета фотонов
Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.
Подобные документы
Создание учебной автоматизированной экспериментальной установки для измерения вольтамперной характеристики фотодиода при различной освещенности. Разработка программного обеспечения, управляющего данной установкой при помощи платы сбора данных NVL-08.
курсовая работа, добавлен 20.04.2013Оценка электрических параметров транзистора и красного светодиода. Разработка формирователя прямоугольных импульсов для заданного входного сигнала. Описание функциональной схемы генератора импульсов. Расчет сопротивлений по мощности рассеивания.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Исследование процессов передачи информации в радиолокационных системах, обеспечение скрытности и оперативной перестройки их параметров. Свойства случайных импульсов. Решение задачи синтеза случайных потоков с независимыми длительностями импульсов и пауз.
статья, добавлен 03.11.2018Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Анализ работы магнитострикционного преобразователя СВЧ диапазона. Возбуждение гиперзвука переменным магнитным полем в геометрии нормально намагниченной ферритовой пластины. Использование квадратичного приближения для сокращения времени машинного счета.
статья, добавлен 05.11.2018Анализ преимуществ импульсного режима работы над непрерывным. Рассмотрение параметров импульсов. Исследование схем построения компараторов, вибраторов и триггера Шмитта. Создание генераторов напряжения прямоугольной, треугольной и пилообразной форм.
реферат, добавлен 27.06.2015Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Принцип работы и структура прибора с зарядовой связью. Достоинства и ограничения ПЗС. Сечение трёхфазного ПЗС с электродами из поликристаллического кремния и с виртуальной фазой. Запоминающее устройство на ПЗС, способ управления записью информации.
реферат, добавлен 14.10.2015Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2018Разработка функциональной схемы устройства. Функциональная схема универсального расширителя импульсов. Разработка и описание принципиальной схемы устройства. Рассмотрение форм импульсов, используемых в импульсных устройствах различного назначения.
курсовая работа, добавлен 11.11.2017Периодическая последовательность прямоугольных импульсов и импульсов треугольной формы. Частотные и временные характеристики линейных цепей. Особенность определения с помощью "виртуальных" приборов. Теоретическая справка по эффективному кодированию.
статья, добавлен 19.03.2024Система условных обозначений интегральных микросхем. Конструктивно-технологическая группа. Присвоение серии как порядковый номер разработки. Элементы арифметических и дискретных устройств. Схема вторичных источников питания. Сигналы специальной формы.
контрольная работа, добавлен 18.01.2014Изучение методики расчета плотности распределения и начальных моментов времени пребывания суперпозиций потоков прямоугольных импульсов в заданном состоянии. Характеристика частных случаев распределения длительностей импульсов и пауз парциальных потоков.
статья, добавлен 30.10.2018Конструктивно-технологічна оптимізація формування локальних тривимірних структур "кремнiй-на-iзоляторi". Розробка уніфікованого чутливого елемента ємнісно-резистивного типу з частотним виходом і керованою чутливістю для мікросистемних використань.
автореферат, добавлен 14.07.2015Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.
контрольная работа, добавлен 27.03.2012Изучение основных параметров логических элементов. Предназначение мультиплексоров и демультиплексоров. Осуществление межразрядной коммутации в реверсивном счетчике последовательного счета. Распространение и применение цифро-аналоговых преобразователей.
курс лекций, добавлен 12.05.2015Классификация изделий электронно-оптической техники по конструктивно-технологическим признакам. Пленочные элементы, конденсаторы и резисторы. Формирование легированных слоев, герметизация кристаллов. Основные методы производства волоконных световодов.
учебное пособие, добавлен 25.06.2013Передумови інтенсивного розвитку фотоелектрики у 50-х рр. ХХ ст. Досягнення в розробці кремнієвих транзисторів. Вирішення конструктивно-технологічних питань К. Фуллером, Д. Пірсоном та Д. Чапіном у створенні фотоелектричних кремнієвих перетворювачів.
статья, добавлен 27.03.2018- 97. Применение метода токовых графов для схемотехнического проектирования цифровых интегральных схем
Исследование методики схемного проектирования цифровых интегральных схем с применением токовых графов. Преобразование логических функций. Токовый граф логического устройства и его электрическая принципиальная схема. Расчет напряжения питания микросхемы.
контрольная работа, добавлен 22.11.2010 Оптроны - оптоэлектронные приборы, имеющие источник и приемник излучения, конструктивно связанные друг с другом. Отличительные особенности оптронов. Приминение оптронов для связи блоков аппаратуры, между которыми есть значительная разность потенциалов.
реферат, добавлен 18.05.2010- 99. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Методика определения мощности потребления резистора и транзисторного ключа. Разработка формирователя прямоугольных импульсов для входного сигнала. Анализ технических характеристик операционного усилителя. Порядок расчета величины опорного напряжения.
курсовая работа, добавлен 15.01.2015