Применение полупроводниковых индикаторов
Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.
Подобные документы
Разработка автомата, играющего в игру Баше. Изучение основной структурной схемы и описание принципа функционирования устройства. Характеристика использования микросхем и схем электрической принципиальной. Анализ последовательности включения индикаторов.
реферат, добавлен 10.11.2010Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Обоснование выбора электронных компонентов (транзисторов, резисторов, светодиодов, конденсаторов) индикатора для поиска электропроводки в стене. Создание и принципиальной схемы и разработка электромонтажного индикатора. Отличия индикаторов по функционалу.
дипломная работа, добавлен 07.12.2019Концепция системного доверия как способ минимизации риска, поддержания безопасности в социальных сетях. Особенности доверия в век глобального развития Интернета. Система индикаторов, показателей исследования феномена доверия и чувства безопасности в сети.
дипломная работа, добавлен 12.06.2016Выбор схемы включения микроконтроллера, схемы ввода сигналов от датчиков, подключения элементов индикации и управления, сопряжения с последовательным интерфейсом. Схема подключения светодиодов индикации и семисегментных светодиодных индикаторов.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Ознакомление с принципами построения аппаратуры, физическими особенностями различных типов электронных индикаторов. Дисплей как основное устройство любого ПК. Классификация средств отображения информации. Параметры средств отображения информации.
реферат, добавлен 07.06.2012Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Использование метода сравнения показаний при определении погрешности средств измерений в метрологии. Принцип действия полупроводниковых приборов. Применение транзистора в радиоэлектронике. Средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации.
контрольная работа, добавлен 07.10.2015Неопределенности в задачах автоматического управления. Нечеткая логика, ее принципы. Области применения технологий управления. Степень принадлежности антецедента. Прогнозировании финансовых индикаторов. Проект нечеткой системы управления на fuzzy TECH.
реферат, добавлен 09.03.2009Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Понятие и изучение схем полупроводниковых выпрямителей и параметрических стабилизаторов. Принцип работы однополупериодной и двухполупериодной схемы выпрямителя. Характеристика режима входа осциллографа при измерении размаха пульсаций источника питания.
контрольная работа, добавлен 28.12.2014Принцип работы, сравнительная характеристика ламп накаливания и компактных газоразрядных люминесцентных ламп, возможности экономии электроэнергии. Цветовая температура, правила выбора цвета свечения. Проблемы утилизации ртутьсодержащих электроприборов.
презентация, добавлен 10.12.2015Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Системы спутниковой навигации, их разновидности. Географические информационные системы и компьютерная картографиия: отличительные черты. Изменение порядка отображения тем (на примере Arc View). Использование ГИС при мониторинге чрезвычайных ситуаций.
контрольная работа, добавлен 09.01.2014Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 23.12.2016Понятие и функции фильтров, их классификация и разновидности, отличительные признаки. Внутреннее устройство полосового фильтра, принцип работы, сферы применения. Выбор размеров прямоугольного волновода и коаксиальной линии, расчет основных параметров.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Разработка физико-технологического базиса создания планарных квазиодномерных структур наноэлектроники и способов формирования функциональных устройств. Применение методов микроэлектроники интегральных сенсорных устройств на основе углеродных нанотрубок.
автореферат, добавлен 30.01.2018Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Понятие тиристора, его основные свойства и принцип работы. Параметры тиристоров и его основные типы: тиристор-диод, динистор, симистор, фоторизистор, инвесторный и запираемый тиристор. Их роль, характеристики и особенности применения в радиоэлектронике.
реферат, добавлен 19.02.2016Принципы согласования линии передачи с нагрузкой. Способы узкополосного и широкополосного согласования. Предназначение четвертьволнового и ступенчатого трансформатора. Принцип работы последовательного, параллельного шлейфов. Принцип частотной компенсации.
курсовая работа, добавлен 07.05.2014Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010