Применение полупроводниковых индикаторов
Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.
Подобные документы
Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.
курс лекций, добавлен 11.09.2012Диодный преобразователь частоты: схема, принцип действия и недостатки. Использование биполярного или полевого транзистор в транзисторных преобразователях частоты. Балансный и кольцевой преобразователь частоты: основные свойства и принцип работы.
практическая работа, добавлен 15.01.2012Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
статья, добавлен 04.11.2018Понятие и сущность средств измерений, их описание, отличительные черты и использование. Классификация средств измерений, их метрологические характеристики. Поверка и сертификация средств измерений, мера физической величины и измерительные приборы.
реферат, добавлен 02.07.2015Углеродные нанотрубки (УНТ) вместе с фуллеренами и мезопористыми углеродными структурами в составе нового класса углеродных наноматериалов. Перспективные сферы применения УНТ. Программные пакеты для анализа электродинамических характеристик УНТ.
статья, добавлен 19.06.2018Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.
статья, добавлен 24.02.2019Применение вакуумных и плазменных приборов в современной электротехнике. Преимущества электровакуумных приборов. Характеристика лампы накаливания, вакуумно-люминесцентного синтезирующего модуля и электроннолучевых приборов (классификация, применение).
контрольная работа, добавлен 04.06.2014- 63. Виды регистров
Отличительные особенности функциональных узлов с элементами памяти. Назначение, классификация и основные типы регистров. Ввод и вывод информации в последовательных и параллельных регистрах. Принцип их действия, режимы работы, устройство, применение.
лекция, добавлен 21.09.2017 Обоснование электрической структурной схемы супергетеродинного приёмника. Расчёт электрической принципиальной схемы частотного детектора. Принцип работы электрической принципиальной схемы дробного детектора, его характеристика и отличительные черты.
контрольная работа, добавлен 15.06.2016Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.
реферат, добавлен 01.05.2009Рассмотрение кристаллических структур углерода. Анализ свойств в форме нанотрубок. Изучение зависимости от геометрии. Использование в качестве эмиттеров. Применение в атомно-силовых микроскопах. Разработка нанотранзисторов на базе ветвящихся структур.
статья, добавлен 21.09.2015Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Понятие аналогового компаратора, принцип его работы. Отличие схемы включения операционного усилителя в режиме аналогового компаратора от типовых схем применения операционных усилителей. Схема формирователя на компараторе, использующая принцип гистерезиса.
контрольная работа, добавлен 28.12.2014Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
статья, добавлен 23.01.2018Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Виды полупроводниковых электронных устройств, принципы их работы. Переходная характеристика компаратора при различных превышениях скачка входного напряжения над опорным. Использование операционных усилителей общего применения и интегральных компараторов.
реферат, добавлен 06.03.2023- 74. Почтовая связь
Понятие и разновидности почтовых отправлений, их отличительные особенности и значение на современном этапе. Оплата услуг почтовой связи. История создания и основные этапы эволюции почтовых марок, их функциональное назначение и используемые типы.
контрольная работа, добавлен 22.04.2011 Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012