Применение полупроводниковых индикаторов
Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.
Подобные документы
История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010- 102. Основы электроники
Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015 Назначение и использование цифровых интегральных микросхем, основы для их построения. Полупроводниковые, пленочные и гибридные микросхемы, их функции и особенности. Принцип работы цифровых микросхем, их свойства, основные параметры, конструкция.
презентация, добавлен 10.05.2013Контурные катушки индуктивности и их использование совместно с конденсаторами для создания резонансных колебательных контуров. Применение сердечников из алсифера или из карбонильного железа. Применение катушек в диапазонах коротких и ультракоротких волн.
презентация, добавлен 23.09.2016Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Разновидности аналогово-цифровых устройств. Принцип работы двухканального осциллографа. Работа LPT: параллельный интерфейс; традиционный LPT-порт; функции BIOS для LPT-порта. Описание работы структурной схемы. Технология изготовления печатных плат.
дипломная работа, добавлен 24.07.2010Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Эволюция оптических сетей доступа. Принцип работы, структура и свойства технологии PON. Использование технологии PON в сетях доступа. Анализ проекта участка сети доступа по технологии PON. Оценка схемы построения. Перспективные направления технологии PON.
дипломная работа, добавлен 12.04.2019Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015- 115. Полевые транзисторы
Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017 Схемы транзисторных усилителей. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада. Основные принципы расчета транзисторного усилителя. Расчет источника питания усилителя. Расчет однофазного мостового выпрямителя на полупроводниковых диодах.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Понятие, сущность и значение активного оптрона. Характеристика оптоэлектронных преобразователей света и изображений. Логические элементы на основе оптронов, применение и перспективы. Создание твердотельного аналога электронно-оптического преобразователя.
лекция, добавлен 17.08.2014Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 15.08.2011Средства и системы телефонной связи, структура и принцип подключения АТС. Сервисные возможности телефонных аппаратов. Функции офисной мини-АТС. Принцип работы факсимильного аппарата. Конфигурации и использование многофункциональных устройств в офисе.
курсовая работа, добавлен 05.11.2010Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018- 121. Полевой транзистор
История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010 - 122. Фрактальные антенны
Понятие о фрактальных антеннах, их свойства, характеристики, применение и основные причины ухудшения эффективности их работы. Требования, предъявляемые к значению внутреннего сопротивления и распределению резонансных частот. Построение древа Кейли.
курсовая работа, добавлен 10.12.2019 Результаты исследования полевой эмиссии с автоэлектронных катодов на основе углеродных наноструктур в коротком сантиметровом диапазоне длин волн. Увеличение плотности тока эмиссии в рабочем сверхвысокочастотном режиме по сравнению со статическим режимом.
статья, добавлен 03.11.2018Изучение состава активного сетевого оборудования. Анализ и принцип работы маршрутизатора. Исследование статической и динамической маршрутизации. Возможности и разновидности коммутаторов. Типы коаксиальных кабелей. Конструкция витопарного электропровода.
контрольная работа, добавлен 06.06.2016Изучение основных характеристик углеродных, металлопленочных и проволочных выводных резисторов. Высокочастотные, термоэлектрические и температурные эффекты. Типовые применения резисторных сборок. Определение значения сопротивления углеродных резисторов.
статья, добавлен 25.04.2017