Основы фотолитографического процесса
Фоторезисты и их свойства. Травление подложки с защитным рельефом и удаление защитного рельефа. Формирование слоя фоторезиста и защитного рельефа. Организация производства фотолитографического процесса. Изготовление высококачественных фотошаблонов.
Подобные документы
Определение штучного времени операций автоматизированной сборки и соответствующего ей типа производства. Обоснование компоновки печатной платы, ее расчет на вибропрочность и лектромагнитную совместимость. Выбор припоя и флюса, применяемых для пайки.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа, добавлен 10.06.2013Разработка и изготовление волоконно-оптического кабеля, решение проблем электротехники, материаловедения и технологии. Теоретические основы функционирования, конструкция оптических волокон, материалы, характеристики и параметры, технология изготовления.
реферат, добавлен 27.11.2009Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат, добавлен 20.12.2013Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа, добавлен 24.11.2013Классификация видов транспортной связи. Виды оперативно-технологической связи для непосредственной организации технологического процесса и регулирования движения поездов и пр. Организация избирательной связи, устройства передачи и приема сигналов.
шпаргалка, добавлен 09.01.2011Конструирование микросхемы по электрической принципиальной схеме. Обоснование выбора материала подложки. Расчет тонкопленочных конденсаторов, резисторов. Диапазон рабочих температур. Выбор навесных элементов. Расчет показателя надежности микросхемы.
контрольная работа, добавлен 28.09.2012Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Роль активных фильтров в современных радиотехнических системах; рассмотрение процесса их проектирования. Вычисление технических характеристик и определение передаточной функции прототипа аналогового фильтра. Правила выбора схемной реализации конструкции.
курсовая работа, добавлен 11.12.2013Автоматизация - качественно новый этап в совершенствовании производства. Система сигнализации как функция контроля за состоянием объектов. Назначение и состав устройства, его принцип действия. Описание технологии монтажа, изготовление печатной платы.
курсовая работа, добавлен 04.05.2009Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.
презентация, добавлен 24.05.2014Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
курсовая работа, добавлен 30.04.2011Характеристика оборудования фирмы LPKF для производства печатных плат в домашних условиях. Исследование набора инструментов для скрайбирования и сверления, конструкции фрезерного станка для высокоточной обработки, оборудования для металлизации отверстий.
курсовая работа, добавлен 07.12.2011- 89. Схема процесса автоматизированного проектирования РЭС. Структура и классификация проектных задач
Типовая схема процесса автоматизированного проектирования РЭС. Классификация проектных задач решаемых в процессе проектирования РЭС. Структура САПР, математическое обеспечение, лингвистическое обеспечение. Языки диалогов их разновидности и типы.
реферат, добавлен 10.12.2008 Технологический процесс изготовления круглой пластины средней точности и линз средней точности. Шлифование, полировка. Операция по совмещению геометрической и оптической осей линзы. Центрирование по прибору. Фасетирование линз. Изготовление призм.
реферат, добавлен 14.12.2008Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Назначение и техническая характеристика устройства "Простой бегущий огонек". Разработка электрической схемы в программе МультиСим. Травление микросхемы и выпаивания на ней нужные элементы. Использование транзистора для усиления электрических сигналов.
контрольная работа, добавлен 15.09.2014Разработка блока управления сигнализацией для охраны частного подворья на 8 объектов. Расчет конструкции печатного узла и описание технологического процесса его изготовления. Определение надежности системы и ее расчет на действие вибрации или удара.
курсовая работа, добавлен 11.06.2013Идентификация туннельного пастеризатора бутылок фирмы "Enzinger" как объекта управления, его каналов управления и перекрестных каналов. Выделение объекта управления из среды. Анализ технологического процесса, реализуемого агрегатом, условий его ведения.
курсовая работа, добавлен 14.04.2014Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.
дипломная работа, добавлен 07.06.2011Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Математические модели радиоэлектронных элементов. Частотные характеристики испытуемых резисторов номиналом. Анализ технической прогрессивности новой конструкции РЭА. Расчет площади и габаритов платы, теплового режима ИКУ. Частотные параметры диода.
дипломная работа, добавлен 07.03.2009Расчет дискретного регулятора, обеспечивающего максимальную скорость переходного процесса. Формирование интегрального квадратичного критерия. Синтез компенсатора, непрерывного и дискретного регулятора, компенсатора, оптимального закона управления.
курсовая работа, добавлен 19.12.2010Основные возможности микропроцессора AT91SAM9260, проектирование на его базе программно-аппаратного комплекса (ПАК) для облегчения процесса отладки устройств. Описание функциональной схемы. Разработка топологии печатной платы и программного обеспечения.
дипломная работа, добавлен 10.09.2011Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010