Модели полупроводниковых диодов
Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
Подобные документы
Расчет переходного процесса на основе численных методов решения дифференциальных уравнений. Разработка математической модели и решение с использованием метода пространства состояний. Составление математической модели с помощью матрично-векторного метода.
курсовая работа, добавлен 14.06.2010Физические принципы генерации гармонических СВЧ-сигналов широкополосных каналов связи. Базовая конструкция оптоэлектронных генераторов. Расчет мощности нелинейной генерации в планарных структурах с областями модулированной диэлектрической проницаемости.
дипломная работа, добавлен 18.06.2014Описание языка программирования GPSS. Моделирование системы обработки информации содержащей мультиплексный канал. Словесное описание системы и схема модели. Текст программы, имитирующей работу модели на GPSS World. Проверка стабильности работы системы.
курсовая работа, добавлен 15.06.2014Методика построения программной модели. Обобщенная структурная схема ВС. Моделирование работы абонента и работы буферной памяти. Разработка программы сбора статистики и управляющей программы имитационной модели. Методика реализации событийной модели.
курс лекций, добавлен 24.06.2009Передача информации датчиков и управляющей аппаратуры, протоколирование данных процессов. Алгоритм выбора модели оценки надежности. Порядок проведения проверки, модели и оценка их преимуществ. Резервирование замещением как метод повышения надежности.
курсовая работа, добавлен 15.06.2015Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.
курсовая работа, добавлен 12.12.2011Назначение и классификация полупроводниковых приборов, особенности их применения в преобразователях энергии и передаче информации. Система обозначений диодов и тиристоров, их исследование на стенде. Способы охлаждения расчет нагрузочной способности.
дипломная работа, добавлен 28.09.2014Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013Методологические основы двухступенчатой модели коммуникации в молодежной среде. Понятие и виды коммуникации в современной литературе. Исследовательская работа по применению двухступенчатой модели коммуникации в молодежной среде на примере блогерства.
дипломная работа, добавлен 06.06.2019Построение модели с помощью программы OrCAD Capture. Моделирование схемы с помощью программы PSpice. График амплитудно-частотной характеристики Ku(f). Определение полосы частот настройки. Зависимость максимального ослабления сигналов от CL и RL.
реферат, добавлен 24.12.2011Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация, добавлен 29.05.2010Эквивалентная схема измерения температуры с использованием термопреобразователя сопротивления. Анализ модели датчика температуры. Выбор источника опорного напряжения. Расчет коэффициента усиления и напряжения смещения дифференциального усилителя.
курсовая работа, добавлен 26.12.2013Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Описание технологического процесса и принципа работы системы автоматического регулирования температуры бумажного полотна: расчет синтеза САР по математической модели. Определение периода дискретности в соответствии с требованиями к точности измерения.
курсовая работа, добавлен 17.06.2012Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Назначение, преимущества, расчет технических параметров светоизлучающих диодов (СИД). Внешний квантовый выход и потери излучения. СИД как элемент электрической цепи и как элемент оптрона. Излучательная, спектральная, оптическая характеристики СИД.
курсовая работа, добавлен 04.03.2009Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат, добавлен 14.02.2003Математические модели радиоэлектронных элементов. Частотные характеристики испытуемых резисторов номиналом. Анализ технической прогрессивности новой конструкции РЭА. Расчет площади и габаритов платы, теплового режима ИКУ. Частотные параметры диода.
дипломная работа, добавлен 07.03.2009Принципы построения схем трансформаторных импульсных декодеров логических сигналов. Описание модели в файле SCHEMATIC.net. Моделирование увеличения прямого сопротивления, обратного тока и напряжения открытия диода D1. Виды временных диаграмм работы схем.
лабораторная работа, добавлен 28.05.2012Основные характеристики радиоканала. Модель распространения радиоволн в свободном пространстве и в реальных условиях. Модели радиоканалов внутри зданий. Расчет электромагнитного поля. Исследование изменения уровня затухания сигнала. Оценка результатов.
дипломная работа, добавлен 21.06.2012Встроенные математические модели стандартных компонентов. Основные источники импульсного и синусоидального сигналов. Независимые источники напряжения и тока сложной формы. Коммутирующие устройства, стрелки и контакты, устройство выборки-хранения.
курсовая работа, добавлен 18.03.2011Аналитические электрические модели. Расчет дрейфового поля, сопротивлений транзистора. Зарядная емкость эмиттера и коллектора. Расчет максимальной частоты. Эквивалентная П-образная схема на низких и высоких частотах для включения с общим эмиттером.
курсовая работа, добавлен 30.01.2016Построение логической схемы локальной-вычислительной сети для организации. Выбор технологии, топологии, кабельной среды и программного обеспечения. Настройка модели сети, адресов, статической маршрутизации. Подключение устройств файлового и web-серверов.
курсовая работа, добавлен 17.11.2017Принцип действия, передаточные функции и сигнальный граф системы автоматического регулирования (САР) температуры сушильного шкафа. Система дифференциальных уравнений и линеаризация системы уравнений. Структурная схема линейной математической модели.
курсовая работа, добавлен 01.10.2016Требования к аппаратуре автоматизации управления вентиляторами. Функциональная схема автоматической вентиляторной установки. Построение имитационной модели системы автоматического управления, ее исследование при различных параметрах ПИ-регулятора.
курсовая работа, добавлен 18.10.2011