Модели полупроводниковых диодов
Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
Подобные документы
- 101. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 21.11.2014 Описание методологии функционального моделирования и графической нотации, предназначенной для формализации и описания бизнес-процессов. Проектирование модели для БЦ "Севен" в программе BPWin. Состав, назначение и размещение серверов, сетевая политика.
курсовая работа, добавлен 24.09.2012Структурная схема разрабатываемого устройства. Синтез схемы блока АЛУ и блока признаков результата. Номинальные значения параметров компонентов. Открытие созданной принципиальной схемы. Анализ переходных процессов. Выполнение логических операций.
дипломная работа, добавлен 29.09.2014Предварительный расчет частотно-территориального планирования однородной сети сухопутной подвижной связи. Моделирование радиопокрытия на электронной географической территории. Обоснование и выбор схемы электрической структурной обработки сигнала передачи.
курсовая работа, добавлен 13.02.2013Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009Расчёт участка сети сотовой связи стандарта GSM–900 некоторыми методами: прогноза зон покрытия на основе статистической модели напряжённостей поля; на основе детерминированной и аналитической моделей. Определение абонентской ёмкости сети сотовой связи.
курсовая работа, добавлен 13.12.2010Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и статические параметры. Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры.
реферат, добавлен 05.08.2009Создание модели антенны и оптимизация ее конструкции. Свойства антенны горизонтальной поляризации с учетом свойств поверхности земли в направлении максимального КНД и влияние диаметра проводников симметричного вибратора на рабочую полосу частот.
курсовая работа, добавлен 23.02.2016Теоретические основы работы светоизлучающих диодов, области их применения, устройство и требования к приборам. Полупроводниковые материалы, используемые в производстве светоизлучающих диодов: арсенид и фосфид галлия. Основные параметры светодиода.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Особенности и основные этапы производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Описание этапов планарно-эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых ИС. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС.
презентация, добавлен 24.05.2014История создания электронной лампы. Принципы устройств и работы электровакуумных приборов. Назначение и применение диодов и триодов. Основные виды электронной эмиссии. Физические процессы и токораспределение в триодах. Построение характеристик ламп в EWB.
курсовая работа, добавлен 15.12.2010Расчет основных электрических, технологических и эксплуатационных параметров выпрямительного диффузионного диода на основании заданной структуры (характера распределения примеси) и электрических характеристик. Построение графиков зависимости параметров.
курсовая работа, добавлен 15.10.2010- 113. Температурные зависимости параметров вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода
Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа, добавлен 01.02.2012 Структура и элементы схемы измерительной цепи. Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Их главные параметры и критерии измерения. Исследование оценка изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015Виды и использование датчиков автоматического контроля режимных параметров технологических процессов химического производства. Принцип действия измеряемых датчиков, регуляторов температуры, модульных выключателей. Средства защиты электроустановок.
дипломная работа, добавлен 26.04.2014Стабилитрон - диод для стабилизации напряжения. Экспериментальное исследование характеристик полупроводникового стабилитрона. Использование программы Electronics Workbench. Схемы прямого и обратного включения стабилитрона, понятие его рабочих участков.
лабораторная работа, добавлен 12.01.2010Рассмотрение сервисных функций мультиметра: измерение емкости и индуктивности, температуры, частоты; прозвонка; проверка полупроводниковых приборов и генерация простого тестового сигнала. Функциональная схема цифрового мультиметра АЦП серии 7106.
реферат, добавлен 08.05.2013Этапы проектирования синхронной пересчетной схемы, реализующей последовательность двоичных эквивалентов заданных чисел. Определение функций внешних переходов Т-триггера. Представление работы триггера в виде таблицы его внутренних состояний и переходов.
контрольная работа, добавлен 23.10.2010- 120. Полупроводники
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2015 Технология полупроводникового производства. Сущность процесса фотолитографии. Светочувствительность, разрешающая способность и кислотостойкость фоторезистов. Адгезия фоторезиста к подложке. Фотошаблоны и способы их получения. Требования к фоторезистам.
курсовая работа, добавлен 22.02.2012Проведение анализа устройства и применения фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС) на метало-диэлектрик-полупроводниковых интегральных схемах. Физические механизмы, определяющие перенос зарядов. Металл, используемый для получения контактов.
курсовая работа, добавлен 09.12.2015Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция, добавлен 20.01.2010- 124. Резисторы
Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа, добавлен 13.01.2009 Выбор типов цифровых систем передачи для реконструируемых участков сети. Размещение регенерационных участков. Определение допустимых и ожидаемых значений защищенности от помех от линейных переходов для регенераторов. Разработка схемы организации связи.
курсовая работа, добавлен 13.04.2014