Модели полупроводниковых диодов
Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
Подобные документы
Изучение принципов работы жидкокристаллических дисплеев, плазменных панелей. Исследование характеристик полупроводниковых приборов и электронных устройств: полевых транзисторов, диодов, усилительных каскадов. Двоичные системы счисления в электронике.
курсовая работа, добавлен 24.10.2015- 77. Электроника
Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка, добавлен 11.12.2012 Характеристика полупроводниковых источников излучения. Изучение принципов работы светоизлучающих диодов. Расчет квантового выхода, частоты излучения. Строение лазеров, электролюминесцентных и плёночных излучателей. Описание внутреннего фотоэффекта.
курсовая работа, добавлен 21.08.2015Характеристика свойств и параметров полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов и стабилитронов. Расчет стабилизаторов напряжения, выпрямителей с емкостным фильтром. Выбор стандартного трансформатора. Определение коэффициента полезного действия.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013Изучение радиотехнических систем передачи информации. Назначение и функции элементов модели системы передачи (и хранения) информации. Помехоустойчивое кодирование источника. Физические свойства радиоканала как среды распространения электромагнитных волн.
реферат, добавлен 10.02.2009Теоретические основы и определение шумоподобных сигналов. Анализ скрытности системы связи и кодового разделения абонентов. Функциональная структура исследуемой модели, её реализация и тестирование. Расчёт сметной стоимости программного обеспечения.
дипломная работа, добавлен 11.02.2013- 82. Топология ЛВС
Топология ЛВС: модели, характеристики, преимущества, недостатки. Геометрическое расположение линий связи относительно узлов сети и физическое подключение узлов к сети. Использование линейного моноканала (коаксиального кабеля) для передачи данных.
реферат, добавлен 10.10.2011 Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Управляющая оболочка Schematics. Графический редактор: конфигурация; установка параметров изображения; подключение библиотек. Создание принципиальных схем. AC Sweep-расчёт частотных характеристик. Конфигурирование и запуск программы моделирования PSpice.
курсовая работа, добавлен 23.03.2011Принципы построения систем управления электроприводами. Построение статичных и энергетических характеристик. Связь между электрической и магнитной энергией. Построение математической модели электропривода лабораторного стенда. Расчет контура тока.
курсовая работа, добавлен 15.09.2013Схема выпрямителя, график токов и напряжений. Фильтры, используемые в устройствах электропитания. Принципиальная схема выпрямителя. Выбор полупроводниковых диодов. Рекомендации по монтажу и модернизации схемы. Частота пульсаций выпрямленного напряжения.
реферат, добавлен 21.06.2015Структура имитационных моделей. Поведение переменных и параметров в пределах компоненты. Имитация процессов выхода каналов из строя. Работа магистрали передачи данных. Загрузка основного и запасного канала, частота отказов и число прерванных сообщений.
контрольная работа, добавлен 24.03.2014Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация, добавлен 19.02.2014Физические параметры комплексного коэффициента усилителя с обратной связью. Характеристика отрицательной и положительной обратной связи её влияние на частотные и переходные параметры усилителя. Резистивно-емкостный каскад дифференциального усилителя.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Формирователь длительности импульсов. Регулировочная характеристика преобразователя.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.
учебное пособие, добавлен 25.03.2009Расчет спектра, полной и неполной энергии сигналов. Определение параметров АЦП и разработка математической модели цифрового сигнала. Согласование источника информации с каналом связи. Определение вероятности ошибки в канале с аддитивным белым шумом.
курсовая работа, добавлен 07.02.2013Расчёт оконечного каскада. Расчёт рабочей точки. Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора. Расчёт параметров схемы Джиаколетто. Расчёт однонаправленной модели транзистора. Расчёт и выбор схемы термостабилизации. Расчёт ёмкостей и дросселей.
курсовая работа, добавлен 01.03.2002Механизм электронного транспорта в полупроводниках. Методы математического моделирования кинетических процессов. Реализация численной модели расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки. Анализ распределения электрофизических параметров.
отчет по практике, добавлен 07.01.2013Сведения о построение математической модели. Описание тягово-динамических процессов, шагового двигателя, разработка схемы управления. Втягивание и выдвижение штока. Переключение между режимами, формирование управляющих сигналов. Экономия расхода топлива.
курсовая работа, добавлен 13.07.2010Современные системы связи с подвижными объектами. Техническое описание GSM-900, характеристики стандартов. Основные технические параметры базовых станций и абонентских станций. Расчёт радиуса зоны обслуживания с использованием модели Окамуры-Хата.
курсовая работа, добавлен 14.12.2012Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
контрольная работа, добавлен 19.02.2012Стабилизатор напряжения, его предназначение. Экспериментальное определение характеристик полупроводниковых параметрического и компенсационного интегрального стабилизатора напряжения постоянного тока. Определение мощности, рассеиваемой на стабилизаторе.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Разработка модели чрезвычайной ситуации. Организация связи с оперативной группой и группой ликвидации для осуществления аварийно-спасательных работ. Выбор спутниковой связи, ее преимущества и недостатки. Пропускная способность канала связи с помехами.
курсовая работа, добавлен 04.12.2009Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация, добавлен 27.11.2015