Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів
Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
Подобные документы
Дослідження магнітогідродинамічної стійкості плазми скінченного тиску в токамаках і тороїдних магнітних уловлювачах з просторовою віссю. Урахування дефектів іонів, анізотропії та гофрування фізичного поля. Метод оптимізації профілю тиску плазми.
автореферат, добавлен 22.04.2014Огляд електронного та екситонного спектру двох тунельно-зв'язаних квантових точок різної форми з врахуванням розриву зон на межах поділу середовищ. Аналіз залежності енергії та густини ймовірності одного і двох зарядів від відстані між квантовими точками.
автореферат, добавлен 29.07.2014Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Дослідження кристалічної та енергетичної структури кристалу In2Se3. Одержання послідовностей енергетичних станів, які формують валентну зону в наближенні порожньої гратки. Визначення актуальних позицій Викоффа. Першопринципні розрахунки зонного спектру.
дипломная работа, добавлен 25.10.2011Визначення закономірностей впливу концентрації дефектів, електричного поля та механічних напружень на температурну та часову динаміку модульованої структури оптичними та діелектричними методами. Кристалічні ґратки і послідовність фаз у кристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Встановлення структури молекулярних комплексів. Вплив матричного оточення на їх структуру і роль дифузії в процесі їх утворення. Одержання молярних коефіцієнтів поглинання в ІЧ-спектрах ізольованих молекул похідних піримідину й бензолу в інертній матриці.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Встановлення закономірностей утворення дефектів кристалічної структури. Методи оптимізації параметрів процесу вирощування довгомірних лужно-галоїдних монокристалів максимального діаметру із поліпшеними структурними та сцинтиляційними характеристиками.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розроблення напівпольової і колової математичної моделі електромагніту сильних полів, постійного магніту циліндричної форми для оптимізації геометричних параметрів та факторів впливу на метрологічні і експлуатаційні параметри намагнічувальної системи.
автореферат, добавлен 13.07.2014Вплив структури, точкових дефектів кристалічної будови, температури та концентрації на параметри самодифузії у впорядкованих алюмінідах нікелю та титану. Визначення взаємозв'язку складу, точкових дефектів та механізмів дифузії в інтерметалідах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Аналіз термодинамічних характеристик низькотемпературної фази фулериту С60. Уявлення про двох’ямні орієнтаційні стани. Коефіцієнт теплового розширення і термодинамічний параметр Грюнайзена фулериту С60. Опис структури хмари гексагонних конфігурацій.
автореферат, добавлен 20.04.2014Вплив дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу. Виявлення фазових переходів, зумовлених взаємодією дефектів собою, встановлення специфіки прояву переходів в тонких шарах SnTe і НГ SnTe/PbTe.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження нелінійної провідності квантових контактів різної геометрії в присутності одиничних дефектів. Залежність нелінійної провідності від прикладеної напруги, потенціалу розсіювання й параметрів, що характеризують форму квантового контакту.
автореферат, добавлен 28.10.2015Вплив мікроскопічних параметрів системи на одержані термодинамічної характеристики. Розрахунок виразів для вільної енергії тривимірної ізингоподібної системи в областях зовнішніх полів. Моделі рекурентного співвідношення з новими спеціальними функціями.
автореферат, добавлен 26.08.2015Дослідження ефекту структурної надпластичності, її механізмів деформації і особливостей локалізації, механізмів росту пор, імовірних причин часткового плавлення зразків деяких досліджених сплавів в умовах високотемпературної структурної надпластичності.
автореферат, добавлен 15.07.2014Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Залежність струмів термостимульованної деполяризації. Побудова графіка залежності струму від години. Метод наближеної оцінки енергії активації. Розрахунок ширини забороненої зони методом Гарліка-Гібсона, Гроссвейнера (парціальної напівширини піку).
практическая работа, добавлен 14.04.2013Оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури металу-напівпровіднику з проміжним шаром різної фізико-хімічної природи, їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури. Вивчення деградації напівпрозорих металевих плівок.
автореферат, добавлен 21.11.2013Взаємозв'язок між умовами вирощування, чистотою вихідної сировини й формуванням структури власних та домішкових точкових дефектів, які суттєво впливають на роботу приладів, виготовлених на сапфірових підкладках. Технологія оптимального розкрою кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Вплив елементів і параметрів настроювання інерційної навігації на точністні характеристики обчислення навігаційних параметрів і динаміку зміни похибок. Вивчення роботи ідеальної інерційної навігації по обчисленню параметрів руху літального апарату.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015Розробка підходів і методів математичного моделювання поведінки структурно-неоднорідних металічних тіл в умовах дії зовнішніх силових фрикційних навантажень. Оцінка впливу структурних параметрів на напружено-деформований стан приповерхневих шарів.
автореферат, добавлен 26.08.2015Одержання ортонормованого функціонального базису, придатного для будь-яких мiжатомних відстаней у конденсованої системі. Розробка теорії розрахунку енергетичного спектру і енергії кристалу, позбавленої наближень, що не контролюються при високих тисках.
автореферат, добавлен 31.01.2014Вирішення актуальної наукової проблеми встановлення зв’язку структури і фізико-механічних властивостей кристалічних тіл, ґратки яких містять атоми перехідних елементів. Оцінка впливу структурних дефектів і напружень на стан металів, сплавів і сполук.
автореферат, добавлен 26.07.2014