Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів
Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
Подобные документы
З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Вплив особливостей компонування, нерівномірності розподілу теплових і гідравлічних параметрів, режимних, експлуатаційних факторів на ресурс апаратів. Методи підвищення ефективності апаратів шляхом багатопараметричної техніко-економічної оптимізації.
автореферат, добавлен 29.07.2015Метод розрахунку параметрів електронної структури сплавів на основі перехідних елементів з врахуванням впливу топологічного розупорядкування атомів. Моделювання густини електронних станів АМС на основі Ni, порівняння результату з даними досліджень.
автореферат, добавлен 20.04.2014Визначення основних закономiрностей впливу сурми на дефектнi стани некристалiчного селена. Дослiдження з допомогою методiв неiзотермiчної релаксацiї мiлких рiвнiв прилипання в псевдозабороненiй зонi некристалiчного селену і спектроскопiї глибоких станiв.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 105. Удосконалення методів виявлення дефектів ізоляції приєднань 6-10кВ кабель-двигун в робочих режимах
Вдосконалення способу визначення вектора струму нульової послідовності. Аналіз провідності ізоляції відносно землі фаз приєднань кабель-двигун. Вивчення параметрів дефектів ізоляції в робочих режимах. Алгоритм знаходження відстані до місця їх виникнення.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Дослідження мікрохвильових спектрів фурфуролу, гліцину і уретану. Одержання значень спектроскопічних параметрів для опису структури обертальних рівнів енергії коливальних станів конформерів. Модернізація мікрохвильових спектрометрів та лабораторії.
автореферат, добавлен 25.07.2014Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013Порівняльне дослідження механокінетичних параметрів скорочення-розслаблення ГМ caecum за умов дії різних активуючих факторів (K+-деполяризація, аплікація АCh). Вплив часткової заміни іонів Na (25 мМ) в омиваючому розчині на непроникні катіони холіну.
автореферат, добавлен 29.09.2015Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Закономірності впливу структури, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічного відпалу, радіаційного опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та їх аналогів. Методика вимірювання теплопровідності тонких плівок.
автореферат, добавлен 11.11.2013Формування потоку рентгенівського випромінювання електронно-променевих приладів з урахуванням конструктивних параметрів, характеристика електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Виявлення дефектів зварних з’єднань контрольованного об’єкта.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження багаторівневого взаємозв’язку механічних властивостей та кількісних параметрів структури (довжина та ширина комірок і зерен) металевих матеріалів. Визначення наявності масштабної інваріантності в механізмі деформаційного структуроутворення.
автореферат, добавлен 28.09.2015Обґрунтування особливостей визначення теплових та вібраційних параметрів електричних машин за умови наявності дефектів основних конструктивних вузлів та елементів. Удосконалення існуючих та розробка нових методів та моделей надійності на їх основі.
статья, добавлен 19.02.2016Процеси окислення та їх вплив на механізми дефектоутворення у легованому кремнії. Закономірності деградації параметрів приладів залежно від структури приповерхньої області. Моделювання топологічних процесів струмопереносу в системах діоксиду кремнію.
автореферат, добавлен 14.08.2015Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
статья, добавлен 08.10.2013Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
курсовая работа, добавлен 26.08.2016Морфология поверхности исследуемых композитных пленок, а также зависимость модификации их рельефа от вида и концентрации вводимого наполнителя. Обоснование структурирования поверхности с максимальной степенью кристалличности при значениях х=2–6 масс%.
статья, добавлен 21.06.2018Експериментальне дослідження температурної залежності електроопору монокристалів. Рентгенодифрактометричні дослідження структури NbSe2 після нагрівання до високих температур: з’ясування природи дефектів і вивчення релаксації ґратки при утворенні вакансій.
автореферат, добавлен 25.02.2015Розробка методики для контролю геометричного стану слабкорельєфної поверхні підкладинок методом багатокутової еліпсометрії. Дослідження чутливості еліпсометричного методу до визначення геометричних і оптичних параметрів квантово-розмірних структур.
автореферат, добавлен 23.02.2014Кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Керування рекомбінаційними та транспортними ефектами на межі поділу за допомогою зовнішніх факторів. Вплив газової адсорбції та магнітного поля на процеси струмозбирання в структурах з гетеро шарами.
автореферат, добавлен 27.09.2014Дослідження методом малокутового розсіяння нейтронів факторів, що впливають на стабільність магнітних рідинних систем. Оцінка поведінки молекул кислот, що використовуються для стабілізації ферофлюїдів. Вплив структури рідинної системи на її стабільність.
автореферат, добавлен 14.09.2015Вплив двох шумів на статистичну поведінку нульвимірних систем, описаних однією динамічною змінною. Еволюція систем до рівноважного стану під впливом двох зовнішніх шумів. Методи нерівноважної статистичної фізики - рівняння Ланжевена та Фоккера-Планка.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження змін електронного спектру в кластерному наближенні кристалів CuInSe2, спричинених заміною в ньому атомом In атомів Ga та Al. Теорія перенормування потенціалу частки багатокомпонентного кристалу при переході до кластера. Ефект Яна-Теллера.
автореферат, добавлен 31.01.2014