Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів
Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
Подобные документы
Вирощування великих монокристалів тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8. Проведення кількісного та якісного аналізу і розподілу технологічних дефектів в напрямку росту для монокристалів AgCd2GaS4. Аналіз діаграм стану квазіпотрійних систем.
автореферат, добавлен 26.07.2014Особливості кристалічної структури. Хімічні надпровідники. Методи одержання надпровідних плівок для надпровідних ІС. CVD-технології ВТНП та їх методи. Метод магнетронного напилення. Сквіди як сенсори енергії. Метрологія та квантова обробка інформації.
курсовая работа, добавлен 12.04.2010Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
автореферат, добавлен 28.06.2014Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Вплив товщини мікрокристалів на просторову неоднорідність параметра порядку. Неоднорідні структури в моделі з інваріантом Ліфшиця, без використання наближення постійної амплітуди. Механічні напруження, які змінюють просторову поведінку амплітуди.
статья, добавлен 10.12.2016Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014- 57. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
автореферат, добавлен 23.08.2014Аналіз умов збудження й поширення поверхневих плазмових поляритонів в багатошарових твердотільних системах. Визначення геометричних, статистичних параметрів мікрорельєфу профільованих поверхонь з різною морфологією, їх вплив на умови плазмового резонансу.
автореферат, добавлен 25.04.2014Встановлення основних закономірностей формування зонної структури, побудови законів дисперсії та дослідження їхніх змін внаслідок впливу зовнішніх чинників в складних низькосиметричних кристалах. Характеристика особливостей міжчастинкових взаємодій.
автореферат, добавлен 30.07.2015Фізичні закономірності впливу шаруватості та нанорозмірності на електронний транспорт у багатошарових плівкових системах. Структура індивідуальних металевих шарів, шорсткість зовнішніх інтерфейсів. Резистометричний метод вимірювання коефіцієнтів дифузії.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вибір класу електронних та квантових приладів надвисоких частот. Опис схеми прольотного клістрону і принцип його дії. Включення і розрахунок основних параметрів обраного електронного пристрою. Рекомендації по використанню розробленої дії в підсилювачах.
практическая работа, добавлен 05.06.2014Методи чисельного моделювання процесів коалесценції при довільній частці нової фази у закритих та відкритих системах. Вплив випадкового просторового розміщення включень, флуктуацій дифузійних, термодинамічних параметрів на кінетику. Можливість відхилень.
автореферат, добавлен 27.08.2014Аналіз режимів електротехнологічних комплексів з виробництва кабелів зі зшитою полімерною ізоляцією. Розробка нової концепції аналізу електричного поля в надвисоковольтних кабелях з урахуванням його локальних збурень сукупністю дефектів ізоляції.
автореферат, добавлен 14.07.2015Механізми руйнування крихких та пластичних матеріалів. Вплив дислокаційної структури на процеси деформації та руйнування при навантаженні. Особливості розтріскування високопористих керамічних матеріалів. Динаміка структурних перетворень в кристалі.
автореферат, добавлен 28.08.2015Залежність фазового складу стрічок від параметрів синтезу. Режими приготування однофазних квазікристалів. Методи рентгенівської дифрактометрії в досліджені структурного, напруженого стану, дефектності структури, властивостей ікосаедричних квазікристалів.
автореферат, добавлен 29.08.2015- 67. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Встановлення природи, локальної структури та загальних закономірностей утворення різних дефектних станів в ряді кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовскіта. Вплив цих дефектів на електро-фізичні властивості даних матеріалів.
автореферат, добавлен 01.08.2014 Отримання експериментальних даних диференціальних перерізів пружного й непружного розсіяння ядер вуглецю та кисню при енергії 105 МеВ для переходів ядер в основні стани та збуджені низькоенергетичні стани. Набори параметрів потенціалу взаємодії ядер.
статья, добавлен 11.09.2013Особливості розподілу вологості в ґрунті зони аерації при різних конфігураціях її структури, різній послідовності і товщині шарів. Залежність електричних характеристик типових порід грунтів зони аерації від вологості, насичення рідкими нафтопродуктами.
автореферат, добавлен 25.02.2015- 70. Моделювання дефектної структури при навантаженні та зв’язок еволюції дефектів з кривою навантаження
Огляд еволюції системи тріщин при навантаженні. Аналіз зв’язку між нелінійним характером кривої навантаження при розтягу та стиску та особливостями формування дефектної структури. Вплив дислокаційних перебудов на інтенсивність напруги в вершині тріщини.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Перебудова електронних рівнів з дислокаціями. Перерозподіл електронної густини в широкозонних легованих напівпровідниках з дислокаціями. Зміни випрямних властивостей дислокаційного бар’єру під впливом самоузгодженого електрон-деформаційного зв’язку.
автореферат, добавлен 29.07.2014Особливості просторово-часових характеристик параметрів дальнього порядку в твердому тілі з наномасштабною модуляцією його просторової структури. Вплив просторових наномасштабних неоднорідностей, обумовлених штучним наноструктуруванням параметрів зразка.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вплив виду, концентрації легуючої домішки на фазовий склад і параметри кристалічної структури, оптичні й електричні властивості плівок оксиду цинку. Оптимізація технологічних параметрів різних видів магнетронного розпилення для одержання легованих плівок.
автореферат, добавлен 30.07.2014- 74. Метод визначення залежності між параметрами структури та діагностичними ознаками складних об’єктів
Критерії вибору структурних параметрів і їх діагностичних ознак. Сумісне застосування теорії чутливості і кореляційно-регресійного аналізу. Співвідношення між частковими похідними і числовими характеристиками лінійно-залежних випадкових параметрів систем.
статья, добавлен 29.09.2018 Введення формального визначення "заклинювання". Геометрична умова "заклинювання" в системах із двома фрикційними контактами. Одержання аналітичних та геометричних умов "заклинювання" для систем із трьома та довільною кількістю фрикційних контактів.
автореферат, добавлен 25.07.2015