Анализ причин брака при производстве кремниевых СВЧ p-i-n диодов
Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
Подобные документы
Описание системы автоматизации и вещательного SD/HD сервера Cinegy Air. Правила технической эксплуатации средств телевещания. Технический контроль и классификация брака в телевизионном вещании. Технология производства и выпуска телерадиопродукции.
дипломная работа, добавлен 26.05.2018Функциональная схема устройства. Режимы работы счетчика К500ИЕ137. Распределение технических характеристик по блокам. Анализ метрологических характеристик счетчика, его емкость и быстродействие. Наиболее важные для моделирования параметры диодов КД503А.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.
лекция, добавлен 01.09.2013Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.
реферат, добавлен 30.08.2010Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Современный технологический процесс изготовления печатной платы для автомата световых эффектов, разработка маршрутных и операционных карт, подбор ИМС, транзисторов и диодов. Технологические требования к паяным соединениям, выбор типа припоя и флюса.
курсовая работа, добавлен 31.07.2013Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.03.2016Сопротивление резистора, индуктивность катушки, емкость конденсатор - параметры сосредоточенных элементов в теории линейных цепей. Статическое сопротивление - показатель, который характеризует отношение напряжения на резисторе к протекающему току.
статья, добавлен 08.08.2020Сущность широкополосного усилителя сигнала и принципы его работы. Определение коэффициента передачи входного и промежуточного каскадов, их электрическая схема. Выбор транзистора, диодов и стабилитрона, расчет источников питания и силы тока эмиттера.
курсовая работа, добавлен 01.07.2014Серийные сверхвысокочастотные детекторы отечественных и зарубежных производителей. Электрические параметры широкополосных и узкополосных детекторов. Технические характеристики волноводных детекторов для волноводов, детекторы на основе диодов Шоттки.
статья, добавлен 29.07.2017Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Структурная схема дифференциального инвертора. Идеальная форма колебаний для управления инвертором с внешним возбуждением. Расчет диодов в диодном мосте. Расчет тока через транзисторы. Цепь подключения драйвера. Самотактируемый полумостовой драйвер.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.
реферат, добавлен 17.06.2015- 66. Исследование вольтамперных характеристик выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона
Изучение принципа работы и исследование статистических вольтамперных характеристик выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона. Понятие электронно-дырочного перехода. Принцип действия, конструктивное выполнение и основные параметры диода.
методичка, добавлен 15.12.2014 Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Современное производство высококачественных микроэлектронных изделий. Обоснование необходимости учета контактных сопротивлений при контроле качества изготовления интегральных схем (ИС). Анализ технологических процессов изготовления тонкопленочных ИС.
курсовая работа, добавлен 04.12.2018Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Гетероструктуры, их состав и материалы. Технология светодиодных структур. Конструкции светодиодов, их характеристики, фотометрические и электротехнические параметры. Постепенное уменьшение мощности светодиодов за счет деградации, причины её возникновения.
лекция, добавлен 17.08.2014Требования к технологичности и метрологическому обеспечению разработки, производства и эксплуатации. Стабилизация выходных напряжений импульсного блока питания. Выбор микросхем усилителя, резисторов, конденсаторов, силовых транзисторов, диодов.
курсовая работа, добавлен 22.11.2013- 72. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2013