Анализ причин брака при производстве кремниевых СВЧ p-i-n диодов
Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
Подобные документы
Интерес производителей электронного оборудования к производству преобразователей частоты на основе IGBT-модулей. Причины и условия пробоя транзисторов и диодов в модулях, рекомендации по их монтажу и эксплуатации, позволяющие предотвратить выход из строя.
статья, добавлен 16.01.2017Влияние вариаций различных изменяемых переменных (источников напряжения и постоянного тока, температуры компонентов, значений сопротивления) на цепь постоянного тока. Анализ цепи постоянного тока DC Sweep с изменяемым значением сопротивления нагрузки.
лабораторная работа, добавлен 21.08.2013Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.
доклад, добавлен 22.05.2016Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015Требования к печатным платам. Материалы для производства печатных плат. Рассмотрены преимущества и недостатки основных методов изготовления печатных плат: комбинированный позитивный, металлизация сквозных отверстий, попарное прессование, субтрактивный.
реферат, добавлен 17.09.2024Методика определения амплитудного значения электродвижущей силы вторичной обмотки трансформатора. Порядок вычисления количества последовательно включенных вентилей в плече мостового выпрямителя. Анализ графика токов диодов при сетевой коммутации.
курсовая работа, добавлен 19.04.2017Генераторы прямоугольных импульсов. Формирование импульсов заданной длительности. Допустимый коэффициент нестабильности исходного режима. Входное сопротивление каскада. Выходное сопротивление эмиттерного повторителя. Параметры операционного усилителя.
курсовая работа, добавлен 24.06.2013Причины выбора принципиальной схемы на транзисторах. Методика определения амплитудных значений тока на нагрузке в усилителе мощности. Расчет величины резисторов защиты и эмиттерного повторителя на транзисторах. Технология изготовления печатной платы.
курсовая работа, добавлен 14.01.2015Характеристика бесконтактного и люминесцентного методов измерения температуры. Разработка электрической структурной и функциональной схемы. Обоснование выбора микросхем, резисторов, конденсаторов и диодов. Анализ создания трассировки печатной платы.
дипломная работа, добавлен 24.06.2015Анализ структурной системы источника питания. Основной расчет параметрического стабилизатора и трансформатора. Определение емкости конденсатора фильтра. Выбор выпрямительных диодов или диодного моста. Особенность схемы защиты от короткого замыкания.
контрольная работа, добавлен 20.11.2015Мультиметр как комбинированный электроизмерительный прибор, объединяющий в себе несколько функций. Анализ общей структурной схемы цифрового тестера. Порядок проверки резисторов, диодов, конденсаторов и транзисторов при помощи аналогового мультиметра.
курсовая работа, добавлен 11.12.2015Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Увеличение дальности действия высокочастотных радиосистем. Принцип детектирования сверхвысокочастотного сигнала. Назначение и технические характеристики диодов с барьером Шоттки. Электрическая схема синхронного детектора радиоприёмного устройства.
реферат, добавлен 19.03.2019Выбор и обоснование структурной схемы радиостанции. Анализ работы блока сопряжения. Исследование антенно-фидерного устройства, синтезатора и усилителя мощности. Особенность избрания диодов и транзисторов. Характеристика разделения частотных искажений.
дипломная работа, добавлен 03.10.2017Анализ схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора элементов схемы: резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов, транзисторов. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Техника безопасности при эксплуатации электронной аппаратуры.
дипломная работа, добавлен 15.07.2009Организация рабочего места и его обслуживание. Устройство и принцип действия. Технологический процесс измерение параметров полупроводниковых диодов прибором Л2-54. Подготовка прибора к работе. Техника безопасности при проведении электрорадиоизмерений.
курсовая работа, добавлен 26.11.2008Изучение структуры p-n перехода. Особенность возникновения потенциального барьера. Анализ прямого и обратного включений. Суть уменьшения дифференциального сопротивления. Осмотр туннельного, лавинного и теплового пробоев. Диффузионная и барьерная емкость.
лекция, добавлен 23.09.2016Основные понятия и определения теории надежности, главные факторы безотказности работы радиоэлектронного оборудования. Анализ вероятности отказа и дефекта приборов, характеристика эквивалентности диодов. Особенности технической диагностики оборудования.
курс лекций, добавлен 21.11.2014Сравнительный анализ работы субгармонического смесителя радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода и на базе диода с барьером Шоттки. Анализ режимов работы смесителя, позволяющие получить повышение показателей качества смесителя на базе диода.
статья, добавлен 08.12.2018Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Анализ современного состояния проектирования и технологии тонкопленочных элементов, плат и микросборки. Влияние конструктивно-технологических факторов на сопротивление тонкопленочного резистора. Формулы для расчета участков контактного сопротивления.
автореферат, добавлен 14.02.2018