Анализ причин брака при производстве кремниевых СВЧ p-i-n диодов

Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.

Подобные документы

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.

    книга, добавлен 07.02.2014

  • Конструкции, технология изготовления и материалы, применяемые в проволочных резисторах отечественного и зарубежного производства. Сравнительные характеристики и параметры материалов для подвижных контактных узлов. Обеспечение коррозионной стойкости.

    статья, добавлен 03.05.2016

  • Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2014

  • Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.

    лекция, добавлен 06.09.2017

  • Разработка технологии изготовления чувствительных приемников субмиллиметрового диапазона длин волн. Назначение, виды и параметры сверхпроводниковых болометров. Оптимизация топологии интегральных приемных элементов. Подавление шумов и наводок антенны.

    автореферат, добавлен 02.09.2018

  • Направления по повышению радиационной стойкости кремниевых солнечных элементов. Структура фотопреобразователя с зарядовыми насосами, обеспечивающая стойкость на уровне арсенидгаллиевых солнечных элементов. Спектральная чувствительность преобразователей.

    статья, добавлен 28.09.2016

  • Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.

    контрольная работа, добавлен 17.10.2013

  • Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.

    дипломная работа, добавлен 21.08.2015

  • Перемещение массивных или крупногабаритных грузов, точная сварка, покраска и сортировка продукции - основные задачи промышленных роботов. Методика разработки печатной платы. Схема подключения фотоимпульсного датчика. Выбор конденсаторов и диодов.

    курсовая работа, добавлен 31.05.2015

  • Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.

    учебное пособие, добавлен 24.09.2014

  • История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.

    реферат, добавлен 15.04.2010

  • Прямой цифровой синтез, его схема, область применения, значение. Параметры цифро-аналоговых преобразователей: статистические (разрешающая способность, погрешность полной шкалы и смещения нуля, нелинейность) и динамические. Шумы и причины их появления.

    реферат, добавлен 14.02.2009

  • Известные схемы электрически управляемых СВЧ-устройств (модуляторов, выключателей, аттенюаторов). Использование большого числа диодов в современных цифровых приборах. Рассмотрение принципа работы волноводного электрически управляемого аттенюатора.

    научная работа, добавлен 17.03.2014

  • Выбор и обоснование применения элементной базы. Характеристика резисторов, конденсаторов, диодов, интегральных микросхем. Электрический расчет печатной платы, параметров отверстий. Размещение конструктивных элементов, расчет показателей надежности.

    курсовая работа, добавлен 05.12.2010

  • Расчёт коэффициента заполнения печатной платы. Обоснование выбора резистора, конденсатора, диодов, микросхемы. Установка элементов с аксиальными выводами в двухпалатной конструкции. Способы крепления микросхем. Разработка трассировки и компоновки платы.

    курсовая работа, добавлен 08.08.2013

  • Расчет сопротивления цепи кабеля постоянному току. Сопротивление кабельной сети переменному току. Первичные и вторичные параметры передачи коаксиального кабеля. Нессиметрическая полосковая линия, её поперечное сечение. Коэффициент затухания МПЛ.

    контрольная работа, добавлен 14.04.2011

  • Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.

    реферат, добавлен 06.08.2010

  • Принципы работы и анализ электрических фильтров с точки зрения электротехнического устройства, являющегося совокупным энергоинформационным преобразователем и с точки зрения информационного преобразователя, основанного на дискретных операциях Фурье.

    учебное пособие, добавлен 11.05.2014

  • Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.

    методичка, добавлен 30.10.2015

  • Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 16.12.2009

  • Расположение спектра частот между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонами как особенность терагерцового излучения. Способы увеличения температурного отклика болометра без изменения скорости. Технология изготовления эффекта горячих электронов.

    дипломная работа, добавлен 30.06.2017

  • Принципы изготовления малогабаритных модулей питания для радиоэлектронной аппаратуры, описание микросхем, удаленных и автономных интеллектуальных датчиков. Структура систем электропитания, обзор их номенклатуры на рынке России и технология изготовления.

    реферат, добавлен 01.04.2016

  • Проблема оптимального проектирования технологических процессов. Анализ устройств для сборки и монтажа. Расчёт технологичности конструкции изделия и разработка схемы сборки. Проектирование участка сборки и монтажа усилителя тока; разработка оснастки.

    курсовая работа, добавлен 24.04.2014

  • Электрические характеристики перовскитных диодиов. Использования перовскитов в качестве материалов для фотоприемников. Фотодиоды на основе гибридных материалов. Вольтамперная характеристика и импульсная реакция фотопроводника. Программное обеспечение.

    диссертация, добавлен 10.08.2020

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.