Свойства полупроводниковых материалов
Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
Подобные документы
Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Сущность электрического тока, магнитное поле. Действие тока, расчет его силы и плотности. Определение природы носителей тока в металлах. Электронная теория проводимости металлов. Зависимость сопротивления полупроводников и диэлектриков от температуры.
презентация, добавлен 21.06.2016Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Исследование влияния легирования примесями акцепторного и донорного типа на физические свойства твёрдых растворов теллеридов висмута и сурьмы Вг2Те3 — ЗЬ2Те3. Описание техники оптического эксперимента, а также методики определения плазменных частот.
статья, добавлен 19.01.2021- 33. Характеристики новых голографических материалов для записи в широкой видимой и УФ области спектра
Разработка голографических материалов на основе солей серебра с расширенной областью спектральной чувствительности, их характеристики на видимой и УФ областях спектра. Условия синтеза эмульсий, оптической сенсибилизации, постэкспозиционной обработки.
статья, добавлен 30.11.2018 Исследование особенностей фотоэлементов на основе аморфного кремния, кристаллических пленок кремния, органических материалов и на красителях. Электрические свойства поликристаллического кремния. Способы производства поликристаллических пленок кремния.
реферат, добавлен 13.04.2014Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Механизмы взаимосвязи магнитных и электрических свойств исследуемых материалов при изменении температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда. Анализ свойств на основе конфигурационной многоэлектронной модели энергетической структуры.
автореферат, добавлен 02.03.2018Анализ влияния нейтронного облучения на радиационную стойкость кремния. Изучение изотермического отжига образцов при разных температурах с целью определения основных параметров отжига дефектов. Зависимость эффективной концентрации носителей от флюенса.
статья, добавлен 14.11.2013- 38. Время релаксации
Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020 Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Зависимость электрофизических свойств растительных тканей от влажности, плотности, содержания белков, сахара и других компонентов. Получение информации о микрораспределениях электрических свойств внутри растительного объекта с помощью микроэлектродов.
статья, добавлен 08.05.2018Температурная зависимость люминесценции ионов эрбия в свинцово-фторидных наностеклокерамиках. Возрастание пиков люминесценции с повышением концентрации эрбия и времени термообработки. Применение графиков при создании люминесцентных датчиков температуры.
статья, добавлен 30.11.2018Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Нелинейная зависимость почернения от освещенности как главный недостаток фотографической пластинки приемника излучения. Угловая дисперсия - важная характеристика спектральных аппаратов. Анализ основных достижений современной оптической астрономии.
курсовая работа, добавлен 02.05.2019Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.
реферат, добавлен 22.11.2015Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Исследование электрофизических свойств полуметаллов, в особенности висмута и сурьмы. Процессы протекания тока через точечные контакты металл-полуметалл bisb. Анализ участков отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристики.
контрольная работа, добавлен 24.10.2010