Свойства полупроводниковых материалов
Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
Подобные документы
Аналитические соотношения взаимосвязи основных аберрационных параметров с аберрационными параметрами при произвольном увеличении. Анализ изменения величины аберраций при изменении поперечного увеличения изображения, образованного оптической системой.
статья, добавлен 07.12.2018Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016- 103. Диэлектрики
Определение концентрации носителей заряда в диэлектриках - веществах, не проводящих электрический ток. Влияние температуры, давления и напряженности поля на активные диэлектрики. Свойства электретов и жидких кристаллов. Материалы твердотельных лазеров.
реферат, добавлен 21.07.2013 Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011Изучение температурных зависимостей удельной электропроводности, общей теплопроводности, холловской подвижности носителей зарядов, магнитного сопротивления соединения CuGa2InTe5. Описание механизмов рассеяния электронов и фононов в его кристаллах.
статья, добавлен 06.03.2018Влияние магнитного поля на размеры, концентрацию кластеров, изменение химических свойств водных систем и коэффициента поверхностного натяжения. Описание проводимости и диэлектрической проницаемости воды, характеристики активированной магнитным полем воды.
статья, добавлен 29.04.2017Изложение методов определения тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь. Характеристика проводниковых (алюминий и свинец), полупроводниковых (карбид кремния и варистор) и магнитных материалов (железо технически чистое и феррит 1БИ).
контрольная работа, добавлен 11.05.2014Спектральный анализ - метод определения качественного и количественного состава вещества по его спектру. Тепловое излучение, электро-, катодо-, хеми- и фотолюминесценция. Непрерывные, линейчатые и полосатые спектры. Свойства электромагнитных излучений.
курсовая работа, добавлен 17.06.2010Использование базиса квантово-когерентных состояний для описания состояния поля поляризации в ПБР (полярон большого радиуса). Сопоставление предсказанных оптических свойств систем с ПБР. Построение термодинамической функции распределения носителей заряда.
автореферат, добавлен 16.02.2018Получены экспериментальные временные зависимости токов проводимости тонких пленок технически чистого трансформаторного масла, масла с добавлением химических примесей NaCl и йод. Исследованы прямоугольные импульсы напряжения со сменой полярности.
статья, добавлен 02.12.2018Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Исследование электрической проводимости газов. Изменение электропроводности под действием нагрева и ионизации. Изучение свойств ионной проводимости. Рассмотрение явлений искрового разряда и молнии. Принципы применения коронного и дугового разрядов.
реферат, добавлен 12.02.2015Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Характеристика одномодуляторной и тандемной схемы двухчастотного формирователя для систем поляризационного мультиплексирования. Исследование влияния параметров преобразования частоты на спектральный состав излучения на выходе тандемного формирователя.
автореферат, добавлен 11.01.2018Влияние содержания углерода, температуры окружающей среды на механические характеристики материала. Предел длительной прочности, релаксация напряжений, предел ползучести. Влияние температур на упругие свойства. Зависимость модуля упругости от температуры.
лекция, добавлен 22.10.2014Опыт К. Рикке по проверке неатомного характера тока в металлах. Исследования Милликена и Иоффе по измерению заряда электрона. Дискретность электрического заряда. Практическое количественное измерение Толменом и Стюартом инерционного тока в металлах.
отчет по практике, добавлен 02.10.2014Анализ современного состояния микроволновых методов контроля электрофизических параметров и их неоднородностей магнитодиэлектрических и диэлектрических материалов и покрытий металлов. Исследование способа интроскопии поверхностной медленной волной.
автореферат, добавлен 25.07.2018Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Разработка метода выращивания мультикристаллического кремния с данными свойствами на основе металлургического кремния высокой чистоты для создания физических основ промышленной технологии получения мультикристаллического кремния для солнечной энергетики.
автореферат, добавлен 26.07.2018Понятие эффективной массы электрона. Экспериментальное определение эффективной массы носителей. Зависимость энергии частицы от импульса, взаимосвязь эффективной массы и подвижности электронов. Основные внешние факторы, влияющие на электропроводность.
реферат, добавлен 27.04.2009Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011- 122. Диффузное и дрейфовое движение электронов в N-типе кремния, облученного быстрыми нейтронами реактора
Анализ области температур диффузного и дрейфового движения электронов в N-типе кремния после облучения быстрыми нейтронами реактора. Расчет температурных зависимостей концентрации носителей в проводящей матрице и в объеме образцов, дрейфовых барьеров.
статья, добавлен 02.09.2013 Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.
реферат, добавлен 17.05.2017Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010Твердые растворы полупроводниковых соединений, их свойства и область их применения. Зависимость запрещенной зоны твердых растворов от их состава. Полупроводниковые соединения, состоящие из двух элементов, признаки образования твердого раствора.
реферат, добавлен 18.05.2009