Свойства полупроводниковых материалов
Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
Подобные документы
Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Эффект резонансного туннелирования в тонкопленочных гетероструктурах. Свойства резонансно-туннельных диодов. Коэффициенты отражения и прохождения. Коэффициент прохождения носителя заряда через двухбарьерную наноструктуру. Энергия носителя заряда.
статья, добавлен 28.05.2017Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Изучение зависимости электрического сопротивления различных металлов, полупроводников и приборов на их основе от температуры. Перенос электрических зарядов в веществе под действием внешнего электрического поля. Понятие твердотельных проводников.
лабораторная работа, добавлен 08.03.2014Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017- 57. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Бесконтактный термометр (пирометр) - прибор, рассчитанный для бесконтактного измерения температуры тел по тепловому электромагнитному излучению. Сферы применения пирометров, характеристика видов. Спектральный диапазон пирометра, эффективная длина волны.
реферат, добавлен 11.11.2012Изучение эффекта Холла и возникновения магнитосопротивления. Расчет абсолютной ошибки концентрации примесей. Нахождение относительной погрешности сопротивления образца в магнитном поле. Анализ зависимости подвижности носителей заряда от температуры.
отчет по практике, добавлен 10.05.2018Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.
учебное пособие, добавлен 27.02.2012Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Анализ генерации, рекомбинации и захвати носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным радиационно-индуцированной проводимости. Модель образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах.
автореферат, добавлен 02.03.2018Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Взаимодействие дрейфующих носителей заряда с бегущей волной электрического поля методом последовательных приближений. Создание волн электрического поля при помощи систем, сопряженных с полупроводниковой средой и упругими волнами в пьезополупроводнике.
статья, добавлен 08.12.2018Характеристика спектральной и пространственной оптической фильтрации. Анализ существования различных определений приемника излучения. Возникновение излучений в процессе рекомбинации носителей заряда, которые образуются при прохождении тока через диод.
статья, добавлен 02.02.2019Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018Обзор понятия и видов тока, под которым в теории электрических цепей принято считать направленное движение носителей заряда в проводящей среде под действием электрического поля. Ток проводимости. Электрический ток смещения. Проводники электрического тока.
статья, добавлен 20.02.2019Способы выделения рабочих спектральных диапазонов. Требования к многоканальным оптикоэлектронным системам и пути их выполнения. Особенности оптической калибровки и корректировки спектральных каналов двух- и многодиапазонных оптикоэлектронных систем.
лекция, добавлен 17.11.2018Понятие температурного магнитного гистерезиса, его виды и типы магнитных материалов. Зависимость величины обратимых и необратимых изменений магнитного состояния ферромагнетиков. Термомагнитные коэффициенты необратимых изменений магнитного параметра.
реферат, добавлен 18.06.2015- 70. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
реферат, добавлен 30.07.2015Методы получения кварцевых емкостей для нагрева, высушивания, сжигания, обжига или плавления монокристаллов кремния. Влияние примесей в материале тигля на качество и анизотропию физических свойств однородных кристаллов. Механические свойства тигля.
статья, добавлен 28.02.2016Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Исследование диэлектрической проницаемости и потерь изолирующих материалов, помещенных в твёрдое поле с применением метода вариации активной проводимости. Расчет параметров диэлектриков. Свойства и применение фторопластов, оргстекла, эбонитов, винипласта.
лабораторная работа, добавлен 09.03.2018Схема структуры и смещения атомов при фазовых переходах в кристаллах триглицинсульфата. Кристаллические решетки дигидрофосфата калия и титаната бария. Температурная зависимость и диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика со структурой перовскита.
реферат, добавлен 29.08.2015