Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсора радіації на цій основі
Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
Подобные документы
Характеристики діодів з міждолинним переносом електронів при введенні в матеріал глибоких нейтральних центрів захоплення електронів. Особливості виникнення та існування високочастотних нестійкостей струму при повній, частковій компенсації напівпровідника.
автореферат, добавлен 30.08.2014Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Опис двоступеневого гідравлічного приводу з двома співвісно розташованими поршнями, працюючими на одне навантаження. Визначення можливості лінеаризації закону руху гідроциліндра. Розробка методу компенсації впливу пульсацій тиску на рух приводу.
статья, добавлен 27.07.2016Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розробка квазістаціонарного наближення для розв'язання кінетичного рівняння росту атомарних кластерів у газовому струмені, що розширюється у вакуумі. Особливості методів дослідження оптичних проявів кластерів, пов’язаних з особливостями їх росту.
автореферат, добавлен 24.02.2014Встановлення змін властивостей шаруватих монокристалів InSe і GaSe та нанооб’єктів на їх основі при впровадженні в них водню, барію, йоду. Методи одержання нанорозмірних шаруватих сполук InSe і GaSe. Оптичні характеристики інтеркальованих монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Розрахунок електронної зонної структури бінарних сполук методом модельного псевдопотенціалу та дослідження впливу на неї деформацій і температури. Моделювання твердих розчинів заміщення і дослідження впливу структурної релаксації на електронний спектр.
автореферат, добавлен 06.07.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Оптичні характеристики хімічно чистих перехідних металів, їхніх бінарних сплавів, сплавів із благородними металами у широкій області спектра. Зв'язок оптичних властивостей з електронною енергетичною структурою чистих металів та двокомпонентних сполук.
автореферат, добавлен 22.04.2014Вплив легування різними концентраціями активних домішок на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік. Моделі, які пояснюють природу центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на структурні дефекти легуючих домішок літію і міді.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, електрофізичних властивостей та технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру низькорозмірних систем розроблених на базі дийодиду свинцю і сполук цинку.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Експериментальне дослідження впливу ізовалентної домішки магнію на структурні та оптичні властивості селеніду цинку. Виявлення можливих генераційно-рекомбінаційних процесів і визначення природи складових оптичних спектрів легування монокристалів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Природа і закономірності формування центрів свічення та захоплення носіїв заряду. Перетворення дефектів під дією збуджувальної радіації і температури. Встановлення механізмів перебігу фотохімічних та рекомбінаційних процесів у фоточутливих кристалах.
автореферат, добавлен 30.07.2015Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015- 49. Епітаксіальні надгратки та квантові структури з монохалькогенідів свинцю, олова, європію та ітербію
Теоретичне встановлення закономірностей та ефектів, пов’язаних з переходом до низьковимірного стану епітаксіальних надграток з халькогенідних напівпровідників з невідповідністю грат суміжних шарів. Електричні, оптичні та магнітні властивості надграток.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Дослідження фотоіндукованих змін в світлочутливих аморфних халькогенідних плівках. Механізм формування поверхневого рельєфу при голографічному записі в багатошарових наноструктурах на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і аморфного селену.
автореферат, добавлен 20.04.2014