Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсора радіації на цій основі
Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
Подобные документы
З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка методів і засобів компенсації техногенних спотворень геомагнітного поля на робочих місцях оперативного персоналу електростанцій і високовольтних підстанцій для їх зниження до безпечного рівня. Механізмів формування біотропних спотворень ГМП.
автореферат, добавлен 27.07.2015Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Деформаційна залежність від пружного вигину, повної інтегральної відбивної здатності монокристалів з випадково розподіленими дефектами. Теорія розсіяння випромінювань у кристалах. Характер розподілу дифрагованої інтенсивності у просторі оберненої гратки.
автореферат, добавлен 07.08.2014Аналіз нелінійних властивостей інвертора напруги, їх негативний вплив на форму його вихідного струму і ускладнення роботи системи бездатчикового векторного керування асинхронним двигуном. Існуючі способи компенсації нелінійних властивостей інвертора.
статья, добавлен 20.03.2016Дослідження азимутальних залежностей нормованої повної інтегральної інтенсивності монокристалу з дефектами у випадку динамічної дифракції за Бреггом. Шляхи створення комбінованих методів кількісної діагностики характеристик дефектів декількох типів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Функціональний розклад енергії зарядженого металевого кластера довільної форми. Умови його застосування для обчислень квантових систем. Закономірності впливу розмірів і геометрії металевих наносистем на рівноважні зарядові ефекти в таких системах.
автореферат, добавлен 28.09.2015Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Створення узагальненої статистичної динамічної теорії розсіяння випромінювання у кристалах з хаотично розподіленими дефектами. Коректне описання розсіяння в тому числі і на дефектах, розміри яких досягають та перевищують значення довжини екстинкції.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження кристалізаційних, структурних, спектроскопічних, люмінесцентних, нелінійно-оптичних, та генераційних властивостей кристалів боратів стронція. Отримання нової хімічної сполуки. Методика вирощування та дослідження структури нових монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Доцільність застосування анодного процесу формування плівок кадмію сульфіду з електроліту на основі органічного апротонного розчинника. Принципова технологічна схема способу одержання тонких полікристалічних стрічок CdS і CdTe електролітичним способом.
автореферат, добавлен 29.08.2015- 92. Структурні, теплові та магнітні властивості низьковимірних атомарних та молекулярних кріокристалів
Дослідження термодинаміки та магнітних властивостей атомарних та молекулярних адсорбатів, осаджених на вуглецеві нанов’язки та плоскі підкладки різних типів. Термодинаміка депозитів, осаджених в канавки, на зовнішню поверхню та в міжтрубочні канали.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Природа радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах шаруватого та острівного борату. Вплив активації монокристалів рідкісноземельним елементом на створення дефектів під впливом іонізуючого випромінювання, на оптичні та сцинтиляційні характеристики.
автореферат, добавлен 28.07.2014Теорія деформаційного потенціалу й експериментальних даних поздовжнього п’єзоопору в кристалографічному напрямку сильнолегованих монокристалів германію в області виключно іонного розсіювання. Розрахунок ефективної маси густини станів для 1-мінімуму.
статья, добавлен 25.03.2016Вивчення основних закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості та фазові переходи в складних халькогенідах та халькогалогенідах. Дослідження фізичних процесів, що відбуваються під впливом температури, тиску, опромінення.
автореферат, добавлен 25.06.2014Механізми фізичних процесів, що визначають спектральний розподіл фотоелектричної квантової ефективності, напругу розімкненого кола та коефіцієнт корисної дії тонкоплівкової гетеро структури. Можливість застосування тонкоплівкового CdTe в детекторах.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження відмінностей впливу опромінення електронами на оптичні та люмінесцентні властивості кристалів лейкосапфіру, вирощених видозміненим методом Кіропулоса. Вивчення сигналів термолюмінесценції за допомогою молібденових та ніобієвих екранів.
статья, добавлен 30.01.2016Теоретичні моделі рівноважного складу парової фази і масоперенесення. Специфічні особливості супроводження процесів парофазного росту в замкненому об’ємі способами фізичного і хімічного транспорту широкого кола бінарних напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 22.06.2014Вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC. Розщеплення низькочастотної та високочастотної областей прозорості.
автореферат, добавлен 23.02.2014