Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсора радіації на цій основі
Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
Подобные документы
Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Виявлення природи нових динамічних явищ, індукованих взаємодіями спінових систем локальних і нелокальних центрів у напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах. Їх впливу на мікрохвильовий відгук, магнітні та електричні властивості цих матеріалів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження нестійкостей, що виникають при ядерному опроміненні впорядкованих бінарних сплавів та напівпровідників. Виникнення часових і просторових реакцій однорідного стаціонарного розподілу дефектів. Опис системи методом молекулярної динаміки.
автореферат, добавлен 19.04.2014Електронна та домішково-дефектна структура монокристалічних сполук ZnSe і CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів. Розробка моделі неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs, механізми рентгенолюмінесценції і рентгеночутливості.
автореферат, добавлен 22.04.2014Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014Система компенсації реактивної потужності як комплексна задача, для рішення якої необхідно врахувати параметри, пов'язані з експлуатаційними режимами роботи, наявністю джерел гармонійних перекручувань, терміном служби і ступенем надійності устаткування.
статья, добавлен 13.10.2016Поведінка енергетичних рівнів хвильових функцій, оптичні параметри екситонів у подвійних квантових ямах на базі напівмагнітних напівпровідникових сплавів. Використання в якості спінового фільтра системи CdTe з домішками Mn. Розрахунок спінового фільтру.
автореферат, добавлен 24.07.2014Характеристики відеоекранів на базі повноколірних світлодіодів. Електрооптичні ефекти у холестеричних РК. Особливості оптоелектроніки з неорганічних, органічних напівпровідників і рідкокристалічних матеріалів. Моделювання світлового випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Моделі для опису кривих дифракційного відбиття кристалів з неоднорідним шаром і їх когерентної та дифузної компонент багатошарових структур з однорідно розподіленими дефектами. Динамічна модель дифракції РП в багатошаровій структурі з дефектами.
автореферат, добавлен 10.08.2014Вплив виду, концентрації легуючої домішки на фазовий склад і параметри кристалічної структури, оптичні й електричні властивості плівок оксиду цинку. Оптимізація технологічних параметрів різних видів магнетронного розпилення для одержання легованих плівок.
автореферат, добавлен 30.07.2014Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 07.03.2014Умови осадження полікристалічних плівок ZnO методом хімічного осадження з парової фази металоорганічних вихідних реагентів, при підсиленні плазмовим розрядом. Вплив галію на структуру, морфологію, електричний опір та спектр оптичного пропускання плівок.
автореферат, добавлен 26.08.2015Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Специфіка міжмолекулярних взаємодій, їх вплив на надмолекулярне впорядкування, властивості бінарних систем на базі рідких і органічних молекулярних кристалів у різних фазових станах. Фізико-хімічні властивості, модель утворюваних надмолекулярних структур.
автореферат, добавлен 22.07.2014Методи електронної компенсації похибок вимірювальних трансформаторів струму та напруги. Аналіз схем відповідних пристроїв, їх математичні моделі з урахуванням сімейства петель гістерезіса. Алгоритми розрахунку параметрів елементів пристроїв компенсації.
автореферат, добавлен 27.08.2015Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012- 72. Стабільність, зонна структура та оптичні властивості твердих розчинів на основі елементів IV групи
Розрахунок на основі потенціалу Терсофа розподілу довжин зв’язків для напівпровідників твердих розчинів, особливості поведінки надлишкової енергії при їх змішуванні. Перебудова оптичних функцій сплавів, вплив внутрішніх локальних, біаксіальних деформацій.
автореферат, добавлен 13.07.2014 Вимірювання магнітострикції надпровідних монокристалів в інтервалі температур у магнітних полях. Аналіз ряду проблем змішаного стану анізотропного надпровідника. Особливості форми поверхні Фермі нижче переходу в стан із хвилями зарядової густини.
автореферат, добавлен 10.08.2014Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010