Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
Подобные документы
Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Алюминий и его сплавы как материал металлизации интегральных схем. Требования, предъявляемые к параметрам металлизации. Контактное сопротивление, качество покрытия ступеньки, размеры пустот, обусловленных напряжениями, и устойчивость к электромиграции.
статья, добавлен 08.04.2019Обширная номенклатура интегральных микросхем в Российской Федерации. Основа последовательностных цифровых приборов. Интегральные микросхемы комбинационного типа. Электронные часы с кварцевым генератором. Таймер на интегральных микросхемах серии К155.
книга, добавлен 11.03.2014Описания особенностей конструирования интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Структура ячейки флэш-памяти. Обзор внутреннего устройства микросхемы. Основные элементы биполярных микросхем. Конструктивно-технологические типы ИМС.
презентация, добавлен 20.07.2013Проблема прогнозирования надежности радиоэлектронной аппаратуры. Анализ модели прогнозирования интенсивности отказов микросхем с точки зрения возможности разделения интенсивности отказов микросхемы на сумму напряженностей отречений кристалла и корпуса.
статья, добавлен 08.12.2018Функции, механические свойства и технические требования к подложкам интегральных микросхем. Определение суммарного припуска на механическую обработку и коэффициента использования материала. Ломка подложек на платы. Сущность процесса скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Разработка методов проверки технического состояния судовой электронной техники, сокращение сроков её испытаний. Раннее выявление отклонений, использование резервов качества аппаратуры. Прогнозирование отказов судовых автоматизированных систем управления.
автореферат, добавлен 08.02.2018Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Описание функционального назначения микропроцессорной системы. Главная сущность используемых микросхем. Особенность распределения адресного пространства. Анализ тактового генератора и буферных регистров. Характеристика работы принципиальной схемы.
курсовая работа, добавлен 08.04.2016Характеристика плёночных и гибридных интегральных микросхем, область их применения и преимущества. Пассивные элементы микросхем. Выполнение арифметических действий в двоичной системе счисления, проверка ответа переводом его в десятичную систему счисления.
курсовая работа, добавлен 10.10.2017Использование интегральных микросхем в радиоэлектронной аппаратуре. Назначение арифметически-логических интегральных схем. Классификация сумматоров, выбор и обоснование функциональной схемы. Расчет потребления мощности, быстродействия и надежности.
реферат, добавлен 06.03.2010Исследование электронных ключей на биполярных транзисторах и интегральных логических микросхем. Мультивибраторы на логических элементах. Триггерные структуры на интегральных микросхемах. Принцип действия реверсивного двоичного счетчика импульсов.
методичка, добавлен 18.04.2014Рассмотрение схем, реализованных на стандартных интегральных микросхемах. Характеристика интегральных микросхем преобразователей кодов, шифраторов и дешифраторов. Исследование принципа действия мультиплексора и демультиплексора и их обобщенной схемы.
реферат, добавлен 21.02.2015Оценка стойкости библиотечных компонентов комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник интегральных схем. Расчет компонентов в структуре систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Анализ результатов расчета вентиля.
статья, добавлен 28.04.2017Назначение и использование цифровых интегральных микросхем, основы для их построения. Полупроводниковые, пленочные и гибридные микросхемы, их функции и особенности. Принцип работы цифровых микросхем, их свойства, основные параметры, конструкция.
презентация, добавлен 10.05.2013Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.
курсовая работа, добавлен 27.11.2012Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных микросхем. Методы формирования тонких пленок: термического испарения в вакууме, ионного распыления, ионно-термического испарения. Характеристика и свойства тонкопленочных пассивных элементов.
курсовая работа, добавлен 17.01.2011Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2013Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Электроника как наука, ее основы и значение. Особенности этапов ее развития, основные открытия и изобретения ученых-физиков. Специфика развития серийного производства интегральных микросхем. Классификация дискретных элементов и интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Измерение динамических электрических параметров микросхем. Примеры существующих измерительных установок для проверки цифровых интегральных схем. Особенности практической реализации блока коммутации измерительной установки измерительной системы.
дипломная работа, добавлен 06.06.2018Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012