Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем

Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.

Подобные документы

  • Использование основных методов создания интегральных микросхем. Навесные безкорпусные полупроводниковые приборы с жесткофиксированной системой выводов. Конструкция безкорпусного транзистора с балочными выводами. Пленочные резисторы и конденсаторы.

    реферат, добавлен 07.05.2022

  • Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.

    статья, добавлен 14.07.2016

  • Хранение многоразрядных двоичных чисел в регистрах цифровых интегральных микросхем. Процесс преобразования параллельного кода. Рассмотрение особенностей функциональной схемы последовательного регистра. Двухступенчатый триггер и его основные элементы.

    реферат, добавлен 10.06.2014

  • Характеристика основных методов определения соответствия характеристик образца вооружения тактико-техническим требованиям. Методика полигонных испытаний распознающих автоматов радиолокационных систем разведки, реализующих двухчастотную технологию.

    статья, добавлен 27.02.2019

  • Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.

    курс лекций, добавлен 21.03.2011

  • Задачи и структура отдела микроэлектроники. Анализ процесса производства и контроля качества микрополосковых СВЧ плат. Принципиальная схема тактового генератора. Изучение технологического маршрута изготовления толстопленочных интегральных микросхем.

    отчет по практике, добавлен 16.02.2015

  • Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2010

  • Особенности проектирования усилителей с высокой верхней граничной частотой. Расчет числа каскадов усиления, выбор типов интегральных микросхем, транзисторов. Построение амплитудно-частотных характеристик промежуточного каскада, выполненного на ИС К265УВ6.

    курсовая работа, добавлен 10.11.2016

  • Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.

    курс лекций, добавлен 03.03.2018

  • Создание электронных узлов, блоков и устройств, выполняющих функцию преобразования, обработки сигнала и накапливания информации. Элементы и задачи интегральных микросхем. Использование полупроводниковых устройств в компьютерной технике и процессорах.

    реферат, добавлен 20.11.2018

  • Сведения о продукции, выпускаемой предприятием. Общая схема технологии процесса изготовления изделия HV10. Теоретические основы метода выполнения диффузии, техника ее проведения и предъявляемые требования. Разработка магнитронного напыления алюминия.

    отчет по практике, добавлен 08.08.2013

  • Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.

    шпаргалка, добавлен 01.10.2017

  • Определение значения постоянства электромагнитной устойчивости военной техники противовоздушной обороны. Рассмотрение особенностей искровых разрядников для защиты электронных схем. Анализ необходимости совершенствования электромагнитных испытаний.

    статья, добавлен 03.05.2021

  • Спектральный анализ периодических и непериодических сигналов. Преобразование непрерывных сигналов в дискретные. Энтропия сложных сообщений. Электронный ключ на биполярном транзисторе. Общие сведения о технологии изготовления интегральных микросхем.

    курс лекций, добавлен 18.04.2014

  • Сущность и предназначение цифровых интегральных микросхем, структурная схема измерителя длительности импульсов. Проектирование принципиальной схемы устройства, описание и специфика его функционирования. Расположение радиоэлементов на печатной плате.

    курсовая работа, добавлен 05.02.2015

  • Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.

    реферат, добавлен 22.02.2009

  • Описание конструкции направленных микрофонов "линейного" типа и методики проведения испытаний. Анализ результатов проведения натурных испытаний микрофонов путем записи шума, исходящего от автомобилей. Визуализация натурных исследований микрофонов.

    статья, добавлен 31.10.2017

  • Проведение стандартных сертификационных испытаний узлов и радиоэлементов аппаратуры на примере двухканального микрофонного усилителя. Программа стандартных сертификационных испытаний. Расчет надёжности усилителя, методика испытания на виброустойчивость.

    курсовая работа, добавлен 13.05.2017

  • Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.

    контрольная работа, добавлен 22.01.2015

  • Выбор и обоснование применения элементной базы. Характеристика резисторов, конденсаторов, диодов, интегральных микросхем. Электрический расчет печатной платы, параметров отверстий. Размещение конструктивных элементов, расчет показателей надежности.

    курсовая работа, добавлен 05.12.2010

  • Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.

    контрольная работа, добавлен 30.11.2016

  • Характеристика реализации масс-спектрометрического контроля надёжности отбраковки продукции микроэлектронной промышленности. Основные факторы, влияющие на надёжность работы интегральных схем и резонаторов. Особенности качества исходных материалов.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Функциональная схема аналогово-цифровых преобразователей. Принципиальные схемы входных и выходных цепей основных серий цифровых микросхем. Описание логических сигналов компаратора микросхем. Инверторы и их применение. Назначение и классификация триггеров.

    контрольная работа, добавлен 28.06.2015

  • Разработка структурной, функциональной и электрической принципиальной схем цифрового устройства, алгоритм его работы. Выбор и обоснование критериев подбора интегральных микросхем, их сравнительная оценка. Проектирование генератора тактовых импульсов.

    курсовая работа, добавлен 24.09.2011

  • Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.

    контрольная работа, добавлен 26.05.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.