Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
Подобные документы
Внедрение микропроцессорной и цифровой техники в устройства управления промышленными объектами. Основные элементы функциональной схемы цифрового устройства. Интегральные микросхемы, используемые в цифровом устройстве. Подбор интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Разработка спецификаций функциональных элементов больших интегральных схем для моделирования поведения неисправных цифровых устройств. Описание устройства для реализации анализа полноты теста; методика вывода контрольного сигнала на выходы микросхем.
дипломная работа, добавлен 25.02.2013Рассмотрение новых методов определения интегральных характеристик, основанных на запоминании и сравнении мгновенных значений гармонических сигналов и обеспечивающих сокращение времени измерения. Реализация методов измерения интегральных характеристик.
статья, добавлен 30.08.2018Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012- 107. Приемные устройства
Определение ширины спектра сигнала и полосы пропускания приемника. Выбор промежуточной частоты и структуры преселектора на одиночных и двух связанных колебательных контурах. Выбор селективной системы тракта промежуточной частоты и интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 21.09.2017 Разработка многокластерной нанотехнологической установкт с целью производства и исследования топологий структур микроэлементов. Комбинация суперкомпьютера с комплексом программного обеспечения для расчета параметров микроэлементов и интегральных структур.
статья, добавлен 16.11.2018Исследование и возможное применение электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне. Значение терагерцового излучения для биомолекулярных исследований, медицины и сферы безопасности. Разработка детекторов прямого и гетеродинного обнаружения.
контрольная работа, добавлен 03.06.2014Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.
курсовая работа, добавлен 30.07.2015- 111. Разработка вещательного приёмника, работающего в диапазоне средних волн с амплитудной модуляцией
Расчет полосы пропускания преселектора. Выбор структуры его каскадов, числа избирательных контуров, типа аналоговых интегральных микросхем. Определение избирательной системы тракта промежуточной частоты. Электрическая принципиальная схема приемника.
курсовая работа, добавлен 14.12.2014 Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012История развития интегральных микросхем. Понятие и виды сдвига в вычислительной технике. Принцип работы структурной электрической схемы устройства сдвига двоичных чисел. Характеристика работы счетчика, анализ временных диаграмм. Выбор элементной базы.
курсовая работа, добавлен 12.11.2017Характеристика экспансии и следствия закона Мура. Анализ нового технологического процесса, представленного корпорацией Intel. Сущность традиционного планарного транзистора. Формирование емкости на затворе. Особенность бесконтактной диагностики микросхем.
контрольная работа, добавлен 11.12.2014Показатели надежности современного радиоэлектронного оборудования. Виды отказов и основные дефекты. Неразрушающиеся методы испытания элементов радиоэлектронной аппаратуры. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 22.02.2011Исследование и основная разработка технологии серийного изготовления высоконадежных тонкопленочных интегральных схем. Особенность обеспечения малых потерь энергии, высокой коррозионной стойкости и адгезии многослойных проводников микрополосковых линий.
статья, добавлен 04.12.2018- 118. Управление уровнем бокового и заднего излучения антенн на основе применения импедансных структур
Изучение возможности использования импедансных покрытий для уменьшения уровня бокового и заднего излучения антенной системы. Применение спадающего амплитудно-фазового распределения в качестве самостоятельной меры. Условие возбуждения поверхностных волн.
статья, добавлен 03.11.2018 Основные преимущества гибридных интегральных микросхем. Толстые и тонкие пленки, их роль в современной технике и технологии получения. Методы термического испарения и ионного распыления, их характеристика. Области применения тонких и толстых плёнок.
курсовая работа, добавлен 31.05.2012История развития информатики. История развития идеи создания вычислительной, электронновычислительно и компьютерной техники. Изобретение транзисторов и интегральных микросхем. Первые попытки создания компьютера. Apple и IBM компьютеры. Создание Интернет.
реферат, добавлен 12.11.2008Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015Основные области эффективного применения источников ионизирующего излучения в радиационной дефектоскопии. Преобразование радиационного изображения контролируемого объекта в радиографический снимок или запись этого изображения на запоминающем устройстве.
статья, добавлен 27.11.2018Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Условия эффективного использования интегральных операционных усилителей со специальными элементами обратной связи, формирующими амплитудно-частотную характеристику. Этапы и подходы к разработке архитектуры интегральных усилителей, их использование.
статья, добавлен 30.05.2017Датчики счетного типа. Энергетическое разрешение детекторов. Основные составляющие радиационного фона. Использование радиационно-чистых материалов в конструкции датчиков. Радиометры и дозиметры широкого пользования. Принципы классификации датчиков.
статья, добавлен 15.11.2018