Полупроводниковый инжекционный лазер для применения в лазерной арфе
Активная среда и система накачки полупроводникового лазера. Особенность изучения потерь в резонаторе. Главный анализ условий лазерной генерации и порога возбуждения. Исследование основных участков на типичной ватт-амперной характеристике гетеролазера.
Подобные документы
Особенность распознавания диктора по голосу при идентификации. Анализ изучения типичной схемы верификации. Исследование роли процедуры параметризации. Разделение допущенных пользователей в ограниченной и строго контролируемой группе абонентов системы.
статья, добавлен 23.03.2018Особенности применения согласующего резистора для сглаживания низкого входного импеданса вертикально-излучающего лазера с его волновым сопротивлением. Методы обеспечения согласования широкополосного сверхвысокочастотного излучения с малыми потерями.
статья, добавлен 17.08.2018Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.03.2016Виды, типы и характеристики генераторов. Исследование основных методов генерации сигналов. Частота, амплитуда и фаза как главные свойства колебаний. Иллюстрация аналоговой и цифровой модуляций. Особенность изучения цифро-аналогового преобразователя.
дипломная работа, добавлен 09.08.2018Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.
реферат, добавлен 03.11.2016- 32. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Использование разложения всех параметров задачи по степеням отношения расстояния от оси системы к толщине среды на оси. Анализ применения слоистой модели неоднородного круга. Особенность применения различных методик для слоистых и градиентных сред.
статья, добавлен 04.11.2018Характеристика основных частей электронного трансформатора. Главный выбор и расчет входного и выходного однофазного мостового выпрямителя и фильтра. Сущность разработки системы управления силового инвертора. Особенность динамических потерь в транзисторе.
курсовая работа, добавлен 03.03.2015- 35. Варисторы
Отличительные особенности и параметры варисторов – полупроводниковых резисторов с симметричной вольт-амперной характеристикой. Их виды - низковольтные и высоковольтные. Преимущества и недостатки дисковых оксидно-цинковых варисторов серии TVR(FNR).
презентация, добавлен 27.04.2023 Блок-схема регистратора лазерного пятна дальномера-целеуказателя. Характеристики многоэлементной фотоприемной матрицы и импульсного иттербиевого лазера. Примеры изображений пятна подсвета лазера, полученные при различном времени экспонирования матрицы.
доклад, добавлен 07.12.2018Применение гироскопов в судоходстве и авиации. Прецессия стоячих волн в резонаторе. Прецессия стоячих волн в резонаторе. Цифровая фазовая автоподстройка частоты. Основная идея алгоритма CORDIC. Типичная и структурная реализация преобразователя ВЦП.
статья, добавлен 03.05.2023Поверхностный монтаж как выход из технологического тупика. Преимущества лазерной пайки. Технология и методы герметизации электронной системы. Материалы, применяемые для герметизации. Характеристика общей сборки и монтажа, схемы сборки и контроля ЭС.
реферат, добавлен 12.04.2016Понятие и функции активной среды эксимерного лазера. Накачка электронным пучком, электрическим разрядом, электрическим разрядом с предионизацией электронным пучком. Фотолитография - метод нанесения рисунка на тонкую пленку материала. Сферы применения.
реферат, добавлен 15.07.2012Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Теоретический анализ механизмов возбуждения автоколебаний в магнетронах с вторично-эмиссионным катодом без применения вспомогательного термокатода. Процессы возбуждения автоколебаний с использованием модулированного импульса анодного напряжения.
статья, добавлен 03.11.2018- 42. Светодиоды
Понятие светодиода как простого компонента освещения, реагирующего на поступающий электрический ток и преобразующего его в свет. История изобретения и устройство светодиода как полупроводникового прибора, механизм его действия, достоинства и недостатки.
курсовая работа, добавлен 07.01.2016 Описание системы ЛВС 5-А с повышенной обнаружительной способностью. Свойства трех блоков системы AquaLynx, функции каналов "СКИВ". Разработка активной лазерной системы с повышенным качеством изображения для видения объектов в мутных оптических средах.
реферат, добавлен 29.03.2015Свойства полупроводникового диода Шоттки. Параметры стабилитрона и его вольтамперная характеристика. Принципиальная схема параметрического стабилизатора напряжения. Общие сведения о стабисторах, светодиодах, фоторезисторах и оптоэлектронных приборах.
лекция, добавлен 15.04.2014Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Особенность работы оптоэлектронных устройств. Оптрон, как основной элемент оптоэлектроники. Синтез принципа действия инжекционного светодиода. Анализ главных материалов для фотодиодов. Суть несимметричного поверхностного диэлектрического волновода.
лекция, добавлен 25.07.2015Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Структура фотоприёмника, граница фотоэффекта и его фоточувствительность. Принцип работы фоторезистора. Принципиальная схема включения семисегментного полупроводникового индикатора. Схема включения светодиода. Номинал ограничительного сопротивления.
контрольная работа, добавлен 20.03.2018Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Наличие крутого падающего участка на амплитудной характеристике как физическая причина генерации хаотических колебаний в клистронном автогенераторе. Анализ зависимости нормированной выходной мощности от частоты внешнего гармонического воздействия.
статья, добавлен 30.10.2018